[发明专利]半导体装置以及功率放大器模块

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

电路元件，形成在包含化合物半导体的基板上；和

接合焊盘，在所述电路元件上，被配置为与所述电路元件至少局部重叠，

所述接合焊盘包含第1金属膜以及形成于所述第1金属膜上的第2金属膜，所述第2金属膜的金属材料的杨氏模量比所述第1金属膜的金属材料的杨氏模量大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述接合焊盘进一步包含形成于所述第2金属膜上的第3金属膜，所述第3金属膜由与所述第1金属膜相同的金属材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第1金属膜以及所述第3金属膜由Au形成，所述第2金属膜具有包含至少1种金属材料的层，所述至少1种金属材料是从包含Cu、Ni以及Mo的群选出的。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第2金属膜具有包含至少2种金属材料的2层，所述至少2种金属材料是从包含Cu、Ni以及Mo的群选出的。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述第1金属膜上进一步具有保护膜，

所述保护膜具有在俯视情况下被配置于所述第1金属膜的内侧的开口，

所述第2金属膜以及所述第3金属膜在俯视情况下被配置于所述开口的内侧。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述第1金属膜上进一步具有保护膜，

所述保护膜具有在俯视情况下被配置于所述第1金属膜的内侧的开口，

所述第2金属膜以及所述第3金属膜在俯视情况下被配置于所述开口的内侧。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述第1金属膜上进一步具有保护膜，

所述保护膜具有在俯视情况下被配置于所述第1金属膜的内侧的开口，

所述第2金属膜以及所述第3金属膜在俯视情况下被配置于所述开口的内侧。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置进一步具有第4金属膜，所述第4金属膜覆盖所述开口的内侧的所述第1金属膜的上表面之中未被所述第2金属膜覆盖的区域、所述第2金属膜的侧面以及所述第3金属膜的侧面和上表面，并且由与所述第1金属膜相同的金属材料形成。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置进一步具有第4金属膜，所述第4金属膜覆盖所述开口的内侧的所述第1金属膜的上表面之中未被所述第2金属膜覆盖的区域、所述第2金属膜的侧面以及所述第3金属膜的侧面和上表面，并且由与所述第1金属膜相同的金属材料形成。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置进一步具有第4金属膜，所述第4金属膜覆盖所述开口的内侧的所述第1金属膜的上表面之中未被所述第2金属膜覆盖的区域、所述第2金属膜的侧面以及所述第3金属膜的侧面和上表面，并且由与所述第1金属膜相同的金属材料形成。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述基板的化合物半导体具有闪锌矿型结晶构造，所述基板的上表面是从(100)面起的偏离角为4°以下的面，

所述电路元件是从包含异质结双极晶体管、场效应晶体管、二极管、电容器以及电阻元件的群选出的1个元件。

12.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述基板的化合物半导体具有闪锌矿型结晶构造，所述基板的上表面是从(100)面起的偏离角为4°以下的面，

所述电路元件是从包含异质结双极晶体管、场效应晶体管、二极管、电容器以及电阻元件的群选出的1个元件。