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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201910566478.3有效
  • 小林一也;黑川敦;德矢浩章;大部功;斋藤祐一 - 株式会社村田制作所
  • 2019-06-27 - 2023-10-20 - H01L27/06
  • 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202010115755.1有效
  • 梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 - 株式会社村田制作所
  • 2020-02-25 - 2023-10-13 - H01L29/735
  • 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910574024.0有效
  • 大部功;小屋茂树;梅本康成;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2019-06-28 - 2023-10-03 - H01L27/082
  • 本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201810743704.6有效
  • 佐佐木健次;大部功 - 株式会社村田制作所
  • 2018-07-09 - 2023-09-01 - H01L27/02
  • 本发明提供半导体装置，其包括双极晶体管和保护二极管且具有适合小型化的结构。在基板上配置有子集电极层和双极晶体管，该双极晶体管包括由载流子浓度比子集电极层的载流子浓度低的半导体构成的集电极层、基极层、发射极层。肖特基电极在集电极层的上表面的一部分的区域中与集电极层肖特基接触。包括该肖特基电极的保护二极管与基极层以及发射极层中的一方连接。在集电极层中，与基极层接合的部分和与肖特基电极接合的部分经由集电极层电连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率放大器以及化合物半导体装置-CN201811389121.4有效
  • 大部功;田中聪;筒井孝幸;梅本康成 - 株式会社村田制作所
  • 2018-11-20 - 2023-08-22 - H03F1/02
  • 本发明提供一种能够抑制耗电的功率放大器以及化合物半导体装置。功率放大器具备初级放大电路、输出级放大电路、初级偏置电路和输出级偏置电路。初级放大电路包括：第一高电子迁移率晶体管，源极与基准电位电连接，栅极被输入高频输入信号；和第一异质结双极晶体管，发射极与第一高电子迁移率晶体管的漏极电连接，基极交流地与基准电位电连接，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频信号。输出级放大电路包括第二异质结双极晶体管，该第二异质结双极晶体管的发射极与基准电位电连接，基极被输入从第一异质结双极晶体管输出的高频信号，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频输出信号。
  • 功率放大器以及化合物半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201811453223.8有效
  • 大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2018-11-30 - 2023-08-18 - H01L29/08
  • 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910221467.1有效
  • 近藤将夫;大部功;梅本康成;山本靖久;柴田雅博;筒井孝幸 - 株式会社村田制作所
  • 2019-03-22 - 2023-05-12 - H01L23/367
  • 一种半导体装置，在印刷电路基板安装半导体芯片。半导体芯片在基板的与印刷电路基板对置的第一面形成有源元件。在与有源元件不同的位置设置由热传导率比基板高的材料构成的热传导膜。在第一面上配置覆盖有源元件以及热传导膜的绝缘膜。在绝缘膜上设置与热传导膜电连接的凸块。设置从与第一面相反侧的第二面到达热传导膜的贯通导通孔。从在俯视时与有源元件重叠的第二面的区域到贯通导通孔的内面连续地配置由热传导率比基板高的材料构成的热传导部件。半导体芯片的凸块与印刷电路基板的连接盘连接，半导体芯片被密封树脂密封。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率放大电路-CN201811553133.6有效
  • 近藤将夫;田中聪;山本靖久;筒井孝幸;大部功 - 株式会社村田制作所
  • 2018-12-18 - 2023-02-28 - H03F3/21
  • 提供一种功率放大电路，提高增益的线性度。功率放大电路具备：将第1信号放大的第1晶体管；将与第1晶体管的输出信号相应的第2信号放大的第2晶体管；向第2晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压的偏置电路；以及根据从偏置电路供给的控制电压而使第1信号或第2信号衰减的衰减器，衰减器包括：阳极被供给控制电压的第1二极管；集电极与第1信号或第2信号的供给路径连接、发射极与接地侧连接、且基极被从第1二极管的阴极供给控制电压的第3晶体管；以及与第1二极管并联连接的电容器，第2信号的功率电平越大，则控制电压越为低电压，第3晶体管根据向基极供给的控制电压，使第1或第2信号的一部分从第3晶体管的集电极流向发射极。
  • 功率放大电路
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