[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711470750.5 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN107993994B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H10B80/00;H01L21/50
代理公司: 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 代理人: 李冬梅
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请涉及半导体封装领域,公开了一种半导体封装结构及其制造方法。该结构包括:并排排列的第一芯片和第二芯片,之间形成一并排间隙;封装罩,具有第三安装面以及由第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔,第一芯片容置于第一空腔内,第二芯片容置于第二空腔内,第一空腔与第一芯片之间具有第一间隙,第二空腔与第二芯片之间具有第二间隙;导热介质,填充于第一间隙和第二间隙;重布线层,包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘,第一扇入焊盘接合于第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的外接焊盘,第二扇入焊盘接合于第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的外接焊盘,重布线层还包括至少一内互连线路,连接第一扇入焊盘与第二扇入焊盘。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装结构,其特征在于,包括:并排排列的第一芯片和第二芯片,所述第一芯片具有第一安装面以及多个显露在所述第一安装面的第一接点,所述第二芯片具有第二安装面以及多个显露在所述第二安装面的第二接点,所述第一芯片和所述第二芯片之间形成一并排间隙;封装罩,具有第三安装面以及由所述第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔,所述第三安装面对齐于所述第一安装面和所述第二安装面,所述第一芯片容置于所述第一空腔内,所述第二芯片容置于所述第二空腔内,所述第一空腔与所述第一芯片之间具有第一间隙,所述第二空腔与所述第二芯片之间具有第二间隙;导热介质,填充于所述第一间隙和所述第二间隙,所述导热介质具有填充表面,连接所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面,使得所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面构成于一连续表面;重布线层,形成于所述连续表面上,所述重布线层包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘,所述第一扇入焊盘接合于所述第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的所述外接焊盘,所述第二扇入焊盘接合于所述第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的所述外接焊盘,所述重布线层还包括至少一内互连线路,连接所述第一扇入焊盘与所述第二扇入焊盘。
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