[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

本申请涉及半导体封装领域，公开了一种半导体封装结构及其制造方法。该结构包括：并排排列的第一芯片和第二芯片，之间形成一并排间隙；封装罩，具有第三安装面以及由第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔，第一芯片容置于第一空腔内，第二芯片容置于第二空腔内，第一空腔与第一芯片之间具有第一间隙，第二空腔与第二芯片之间具有第二间隙；导热介质，填充于第一间隙和第二间隙；重布线层，包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘，第一扇入焊盘接合于第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的外接焊盘，第二扇入焊盘接合于第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的外接焊盘，重布线层还包括至少一内互连线路，连接第一扇入焊盘与第二扇入焊盘。

技术领域

本申请涉及半导体封装领域，具体地，涉及一种半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

三维立体封装(3D)是在垂直于芯片表面的方向上堆叠，互连两片以上晶粒的封装。其空间占用小，电性能稳定，是一种高级的系统级封装(SIP，System-In-Package)封装技术。目前先进的3D集成是基于晶圆级封装的系统级架构，内部含有多种器件的叠层，并经由硅通孔(Through Si Via，TSV)在垂直方向(Z方向)相互连接。此外，在封装技术中，致力于缩短封装的芯片与基板上的焊球之间的信号传输距离以及降低形状因素(formfactor)，同时还需要对芯片良好散热。

发明内容

本申请的目的是提供一种半导体封装结构及其制造方法，该半导体封装结构具有更好的散热效果。

为了实现上述目的，在本申请的一个方面，提供一种半导体封装结构，包括：并排排列的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片具有第一安装面以及多个显露在所述第一安装面的第一接点，所述第二芯片具有第二安装面以及多个显露在所述第二安装面的第二接点，所述第一芯片和所述第二芯片之间形成一并排间隙；封装罩，具有第三安装面以及由所述第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔，所述第三安装面对齐于所述第一安装面和所述第二安装面，所述第一芯片容置于所述第一空腔内，所述第二芯片容置于所述第二空腔内，所述第一空腔与所述第一芯片之间具有第一间隙，所述第二空腔与所述第二芯片之间具有第二间隙；导热介质，填充于所述第一间隙和所述第二间隙，所述导热介质具有填充表面，连接所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面，使得所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面构成于一连续表面；重布线层，形成于所述连续表面上，所述重布线层包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘，所述第一扇入焊盘接合于所述第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述第二扇入焊盘接合于所述第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述重布线层还包括至少一内互连线路，连接所述第一扇入焊盘与所述第二扇入焊盘。

可选地，所述封装罩还具有通道，连通所述第一空腔和所述第二空腔，所述导热介质亦填充于所述通道。

可选地，半导体封装结构还可包括第一焊球，植接在所述外接焊盘上。

可选地，半导体封装结构还可包括：承载基板，具有第一表面和第二表面，所述承载基板包含位于所述第一表面的互连焊盘、位于所述第二表面的端子焊盘、以及电连接所述互连焊盘和所述端子焊盘的线路，所述互连焊盘与所述第一焊球键合；以及第二焊球，植接在所述端子焊盘上。

可选地，所述封装罩还具有与所述第一空腔连通的第一开口和与所述第二空腔连通的第二开口，以供所述导热介质的填入。

可选地，所述第一开口或所述第二开口的形状可包括椭圆形、圆形、方形、棱形中的任意一者。

可选地，所述第一扇出线路、所述第二扇出线路和所述内互连线路中的任意一者具有小于15微米的线宽/线距。

可选地，所述封装罩的材料可包含硅。

可选地，所述封装罩是通过对硅晶圆进行刻蚀并单体化分离而形成的。