[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711090657.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109273429B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 古进誉;杨政龙;陈承先;黄宏麟;王肇仪;陈清晖;郭建鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一介电层、凸块、刻蚀终止层以及间隔壁。所述第一介电层设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构。所述凸块局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构。所述刻蚀终止层在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上。所述间隔壁环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一介电层，设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构；凸块，局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构；刻蚀终止层，在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上；以及间隔壁，环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。
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