[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一介电层，设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构；

凸块，局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构；

刻蚀终止层，在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上，包括第一部分、第二部分以及位于所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分,其中所述第一部分与所述第二部分沿着水平方向延伸,所述第三部分沿着垂直方向延伸,所述第一部分的顶表面位于第一高度处,以及所述第二部分的顶表面位于高于所述第一高度的第二高度处；以及

间隔壁，环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间，其中所述间隔壁在所述第一介电层的顶表面上的投影区域与所述刻蚀终止层在所述第一介电层的所述顶表面上的投影区域不重叠,以及位于所述第一高度与所述第二高度之间的高度处的所述间隔壁的部分通过所述第一部分与所述第三部分分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔壁接触所述刻蚀终止层的所述第一部分及所述凸块。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述凸块包括导电柱及所述导电柱上的焊料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括位于所述刻蚀终止层的所述第二部分与所述第一介电层的所述顶表面之间的第二介电层，其中所述刻蚀终止层的所述第一部分在所述间隔壁与所述第二介电层之间延伸于所述第一介电层之上,所述刻蚀终止层的所述第二部分在所述第二介电层的顶表面之上延伸,以及所述刻蚀终止层的所述第三部分沿着所述第二介电层的内侧壁延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔壁的底表面与所述刻蚀终止层的所述第一部分的底表面齐平。

6.一种半导体装置，其特征在于，包括：

多个介电图案，设置在导电结构之上；

凸块，设置在所述介电图案之间以电连接所述导电结构；以及

刻蚀终止层，设置在所述介电图案之上且设置在所述介电图案与所述凸块之间，其中所述刻蚀终止层在所述半导体装置的底表面上的投影区域与所述凸块在所述半导体装置的所述底表面上的投影区域不重叠，以及所述凸块的顶表面高于所述刻蚀终止层的顶表面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述刻蚀终止层接触所述介电图案。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述刻蚀终止层接触所述凸块的侧壁的底部。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述刻蚀终止层连续地设置在所述介电图案与所述凸块之间。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，进一步包括位于所述凸块的侧壁上的间隔壁。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述刻蚀终止层连续地设置在所述介电图案与所述间隔壁之间。

12.一种半导体装置，其特征在于，包括：

导电结构，包括介电层与位于所述介电层中的导电图案；

多个介电图案，设置在所述导电结构之上；

凸块，设置在所述介电图案之间以电连接所述导电结构；以及

刻蚀终止层，设置在所述介电图案的侧壁与顶表面之上且设置在所述介电图案与所述凸块之间，其中所述刻蚀终止层在所述半导体装置的底表面上的投影区域与所述凸块在所述半导体装置的所述底表面上的投影区域不重叠，以及所述刻蚀终止层沿着所述导电结构的外侧壁延伸且直接接触所述导电结构的所述外侧壁。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述凸块包括导电柱及所述导电柱上的焊料，且所述焊料的顶表面上配置有凹槽。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，进一步包括位于所述凸块的侧壁上的间隔壁。