[发明专利]磊晶用碳化硅基板及半导体芯片有效
| 申请号： | 201710812888.2 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN108573932B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴耀铨;陈柏霖;吴佩瑜;郭彦廷;庄志远;刘哲铭;施英汝;李奇泽 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/04 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磊晶用碳化硅基板及半导体芯片，其中碳化硅基板具有一表面及自所述表面凸起形成的多个图案化结构，所述表面的晶面为(0001)面；所述图案化结构的宽度由下往上逐渐减小且形成倾斜的至少一侧面，侧面的晶面为(‑1,0,1,2)面。碳化硅基板的顶部设置有一氮化镓磊晶层以构成所述半导体芯片。因此，氮化镓磊晶层的底部形成侧向延伸的差排缺陷，不易形成往上延伸的穿透差排缺陷，让氮化镓磊晶层具有良好的磊晶品质。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶用 碳化硅 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种磊晶用碳化硅基板，具有一顶部，所述顶部用于设置氮化镓磊晶层，其特征在于，所述顶部具有一表面及自所述表面凸起形成的多个图案化结构，其中，所述表面的晶面为(0001)面；所述图案化结构的宽度由下往上逐渐减小且形成至少一倾斜的侧面，所述侧面的晶面为(‑1,0,1,2)面。
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