[发明专利]磊晶用碳化硅基板及半导体芯片

权利要求书

1.一种磊晶用碳化硅基板，具有一顶部，所述顶部用于设置氮化镓磊晶层，所述顶部具有一表面及自所述表面凸起形成的多个图案化结构，所述图案化结构的宽度由下往上逐渐减小且形成至少一倾斜的侧面，其特征在于，所述表面的晶面为(0001)面；所述侧面的晶面为(-1,0,1,2)面；各所述侧面的表面粗糙度小于所述表面的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，各所述侧面与所述表面之间形成有一夹角，所述夹角为110～130度。

3.根据权利要求1所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，所述至少一侧面的数量为六面。

4.根据权利要求1所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，各所述图案化结构的底部的最大宽度为1～5微米。

5.根据权利要求1所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，各所述图案化结构的高度为0.3～2微米。

6.根据权利要求1所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，相邻两个所述图案化结构的底部之间的间距为2～3微米。

7.根据权利要求1所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，各所述图案化结构具有一顶面，各所述图案化结构的顶面的表面粗糙度大于其侧面的表面粗糙度。

8.根据权利要求7所述的磊晶用碳化硅基板，其特征在于，相邻两个所述图案化结构的顶面之间的间距为2～5微米。

9.一种半导体芯片，其特征在于，包含：

如权利要求1至8任意一项所述的磊晶用碳化硅基板；以及

一氮化镓磊晶层，设置于所述磊晶用碳化硅基板的顶部。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述氮化镓磊晶层具有多个连接面，所述连接面分别连接于所述侧面，各所述连接面的晶面为(-1,1,0,1)面。

11.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述氮化镓磊晶层在连接各所述侧面的部位具有往侧向延伸的差排缺陷。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片，其特征在于，所述氮化镓磊晶层在接触所述表面的部位不具有往上延伸的差排缺陷。