[发明专利]一种半导体结构的图形形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的图形形成方法，包括：提供基底，于基底上依次形成目标材料层、第一抗反射材料层、第二抗反射材料层及光刻胶层，图形化光刻胶层以形成预设图案，以具有预设图案的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二抗反射材料层进行刻蚀，第一刻蚀气体包括光刻胶刻蚀减缓气体，以使第二抗反射材料层与光刻胶层的刻蚀选择比大于3:1，以第二抗反射层为掩膜，采用第二刻蚀气体对第一抗反射材料层进行刻蚀，以第一抗反射层为掩膜对目标材料层进行刻蚀，以形成具有预设图案的目标层。通过上述方案，本发明的半导体结构形成方法，可以减小光刻胶层的深宽比，有效减少发散程度，增加曝光精准度，防止光刻胶残留所造成的图案破坏的现象。

主权项

1.一种半导体结构的图形形成方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于所述基底上依次形成目标材料层、第一抗反射材料层、第二抗反射材料层及光刻胶层；3)图形化所述光刻胶层，以形成具有预设图案的光刻胶层；4)以所述具有预设图案的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对所述第二抗反射材料层进行第一次刻蚀，以形成具有对应预设图案的第二抗反射层，其中，所述第一刻蚀气体中包括光刻胶刻蚀减缓气体，以使得所述第一刻蚀气体对所述第二抗反射材料层与所述光刻胶层的刻蚀选择比大于3:1；5)以所述光刻胶层为牺牲层与以所述第二抗反射层为掩膜，采用第二刻蚀气体对所述第一抗反射材料层进行第二次刻蚀，以形成具有对应预设图案的第一抗反射层；以及6)以所述第二抗反射层为牺牲层与以所述第一抗反射层为掩膜，对所述目标材料层进行第三次刻蚀，以形成具有对应预设图案的目标层。