[发明专利]一种半导体结构的图形形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的图形形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一基底；

2)于所述基底上依次形成目标材料层、第一抗反射材料层、第二抗反射材料层及光刻胶层；

3)图形化所述光刻胶层，以形成具有预设图案的光刻胶层；

4)以所述具有预设图案的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对所述第二抗反射材料层进行第一次刻蚀，以形成具有对应预设图案的第二抗反射层，其中，所述第一刻蚀气体中包括光刻胶刻蚀减缓气体，以使得所述第一刻蚀气体对所述第二抗反射材料层与所述光刻胶层的刻蚀选择比大于3:1；

5)以所述光刻胶层为牺牲层与以所述第二抗反射层为掩膜，采用第二刻蚀气体对所述第一抗反射材料层进行第二次刻蚀，以形成具有对应预设图案的第一抗反射层；以及

6)以所述第二抗反射层为牺牲层与以所述第一抗反射层为掩膜，对所述目标材料层进行第三次刻蚀，以形成具有对应预设图案的目标层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤4)中，所述第一刻蚀气体中包括的所述光刻胶刻蚀减缓气体为氢气。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体还包括四氟化碳，其中，所述氢气的含量占所述第一刻蚀气体的40％～60％。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤5)中，所述第二刻蚀气体中包括被刻蚀材料层的侧向保护气体。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，所述侧向保护气体为一氧化碳。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体还包括氧气，其中，所述一氧化碳的含量占所述第二刻蚀气体的70％～90％。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤2)中，所述第二抗反射材料层为含硅防反射涂覆层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤2)中所述光刻胶层的厚度为所述第二抗反射材料层厚度的1～3倍，所述第一抗反射材料层的厚度为所述第二抗反射材料层厚度的4～6倍。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤4)中，进行所述第一次刻蚀工艺后，剩余的所述光刻胶层的厚度不小于所述第二抗反射材料层厚度的1.2倍。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤1)还包括于所述基底上形成刻蚀阻挡层的步骤。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，步骤3)和步骤4)之间，还包括对所述具有预设图案的光刻胶层采用干法刻蚀进行残渣处理的步骤，以去除所述具有预设图案的光刻胶层底部的残渣。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的图形形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的反应气体包括氯气、氩气、溴化氢气体及氧气。