[发明专利]低损耗部件埋入式天线封装结构及其制造方法在审

申请号：	201710514558.5	申请日：	2017-06-29
公开（公告）号：	CN107342233A	公开（公告）日：	2017-11-10
发明（设计）人：	林耀剑	申请（专利权）人：	江苏长电科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/66;H01Q1/22
代理公司：	江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙)32309	代理人：	周彩钧
地址：	214434 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明涉及一种低损耗部件埋入式天线封装结构及其制造方法，所述结构包括基板（1），所述基板（1）包括多层线路层（1.1）和低损耗绝缘材料（1.2），所述多层线路层（1.1）包括天线区域，所述基板（1）正面设置有低损耗部件（2），所述低损耗部件（2）覆盖多层线路层（1.1）的天线区域，所述基板（1）上方、低损耗部件（2）外围区域包封有塑封料（3），所述基板（1）背面设置有芯片（4）和金属球（6）。本发明一种低损耗部件埋入式天线封装结构及其制造方法，它增加了薄型基板的结构强度，保证了天线区域在工作时受热的稳定性，防止天线的变形，保证天线信号的稳定。
搜索关键词：	损耗部件埋入天线封装结构及其制造方法
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【主权项】：

一种低损耗部件埋入式天线封装结构，其特征在于：它包括基板（1），所述基板（1）包括多层线路层（1.1）和低损耗绝缘材料（1.2），所述多层线路层（1.1）包括天线区域（1.3），所述基板（1）正面设置有低损耗部件（2），所述低损耗部件（2）覆盖多层线路层（1.1）的天线区域（1.3），所述基板（1）上方、低损耗部件（2）外围区域包封有塑封料（3），所述基板（1）背面设置有芯片（4）和金属球（6）。

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摘要：本发明公开了一种芯片封装方法，包括提供粘性薄膜层，粘性薄膜层为固态且耐高温；裁剪粘性薄膜层，并将粘性薄膜层的第一表面粘贴于基板的芯片封装区域；将芯片粘贴于粘性薄膜层的第二表面上；烘烤粘性薄膜层。本发明提供的芯片封装方法的芯片通过能够进行裁剪的粘性薄膜层粘接于基板上，保证了基板的芯片封装区域完全设置了粘性薄膜层，使得芯片的边缘和芯片靠近边缘的部分皆能够粘接于基板上，改善甚至避免了芯片的场曲，使得芯片能够较佳的固定于基板上。本发明还提供了一种芯片封装结构和移动终端。

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摘要：本发明涉及集成电路芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装体的制备方法以及芯片封装体。该方法包括：将芯片设置于基板上；在芯片远离基板一侧设置一压合体，并且在基板设置有芯片一侧两端分别设置支撑体，压合体与基板以及基板两端的支撑体组合形成一容纳芯片的容置腔体，且压合体与支撑体粘合，在支撑体的拉力下对芯片形成压合力；对容置腔体中的芯片进行回流焊接；在进行回流焊接后的容置腔体中填充封装材料，得到芯片封装原体；对芯片封装原体进行切割以形成芯片封装体。通过上述方式，本发明能够提高芯片封装体制备工艺的效率。

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摘要：本发明的实施例提供一种晶片及芯片的封装方法，涉及半导体技术领域，可提高产出规模以及产出效率，且降低成本。一种芯片的封装方法，包括：将多个晶片固定于第一面板级衬底上，同时在每个芯片上形成封装用结构；其中，多个晶片无交叠紧密排布于第一面板级衬底上；晶片由晶圆加工得到，所述晶圆包括若干芯片，所述晶片的外形为所述晶圆外形的内接闭合图形；其中，所述内接闭合图形的面积大于所述晶圆外形的内接正方形的面积；所述内接闭合图形包括偶数条直线，所述偶数条直线两两平行相对设置，且相对的两条平行直线的长度相等。

轴式二极管的制作方法-201910400480.3
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申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明公开了一种轴式二极管的制作方法，包括如下步骤：1、晶片切割→2、上下导线装填→3、下焊片装填→4、晶粒Pick/Place放入晶粒盘→5、晶粒吸盘装填→6、上焊片装填→7、合盘→8、高温焊接→9、塑封成型→10、无铅电镀→11、测试印字包装。因为采用晶粒Pick/Place放入晶粒盘+晶粒吸盘装填方式进行组装，避免了原来下晶粒及摇晶粒制程时晶粒互相碰撞，晶粒之间不会发生接触及碰撞，可降低晶粒外观损伤问题，进而提升产品生产合格率，提高产品可靠性品质水准。

半导体装置及其制造方法-201610236602.6
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申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明的实施方式提供一种能够使半导体装置的制造容易的半导体装置及其制造方法。根据实施方式的制造方法，于在一面侧隔着粘接剂而包含多个半导体元件、且在另一面包含与半导体元件电连接的外部输入输出端子的衬底的一面上，模铸包含氧化硅的密封树脂层。在以另一面成为下侧的方式将多个被切断的衬底收纳在托盘的状态下，对衬底的密封树脂层的表面进行溅镀蚀刻。溅镀蚀刻是使氧化硅的被密封树脂层覆盖的部分的一部分露出。在将衬底收纳在托盘的状态下溅镀金属层。

一种半导体器件的散热板的除胶方法及除胶装置-201611183633.6
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摘要：本发明公开了一种半导体器件的散热板的除胶方法及除胶装置。除胶方法包括以下步骤：S1：将半导体器件置于化学溶液中浸泡使得散热板表面的溢胶软化；S2：使用旋转毛刷将所述散热板表面的软化后溢胶刷除。由于溢胶已经被软化，即使溢胶非常严重，旋转毛刷也可以快速地清除溢胶，且由于溢胶已经软化，因此，旋转毛刷采用普通毛刷即可，不需要使用耐磨的专用毛刷，节约成本，也不会对散热板的表面产生磨损，省时省力，提高工作效率。

集成电路多芯片层叠封装结构以及方法-201680090817.X
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摘要：本发明涉及提供一种集成电路多芯片层叠封装结构以及方法，其中，集成电路多芯片层叠封装结构包括：第一芯片的底面设有第一引脚；第二芯片的顶面设有第二引脚；基板的顶面设有电路层、或/和基板的底面设有电路层、或/和基板内设有电路层；第一芯片设于基板的顶面，第二芯片设于第一芯片的顶面；第一引脚至少与其中一个电路层电连接：电路层设有电路引脚，基板设有连接通孔，连接通孔与电路引脚对接，连接通孔的第一开口与第一引脚对接，连接通孔的第二开口为操作窗口，连接通孔内设有导电层，导电层将第一引脚和电路引脚电连接；第二引脚至少与其中一个电路层电连接：第二引脚与电路层通过导电引线电连接。芯片与电路层连接的密度高，体积小。

半导体封装以及制造该半导体封装的方法-201910030665.X
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摘要：公开了半导体封装以及制造该半导体封装的方法。制造半导体封装的方法可以包括：提供载体基板，该载体基板具有形成在载体基板的第一顶表面上的沟槽；在载体基板上提供第一半导体芯片；将至少一个第二半导体芯片安装在第一半导体芯片的第二顶表面上；涂覆模构件以围绕第一半导体芯片的第一侧表面和所述至少一个第二半导体芯片的第二侧表面；以及固化模构件以形成模层。该沟槽可以沿着第一半导体芯片的第一边缘提供。该模构件可以覆盖第一半导体芯片的底表面的第二边缘。

封装基板的加工方法-201510923239.0
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申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/50
摘要：提供封装基板的加工方法。以不会产生毛刺的方式高效地对在热扩散基板上配置有器件并通过树脂密封而构成的封装基板进行分割。实施如下的工序而分别缩短树脂(13)的切断和热扩散基板(11)的切断所需要的时间，并缩短封装基板的分割作为整体所需要的时间：切削槽形成工序，使切削刀具(32)切入树脂直至达到未及热扩散基板(11)的深度，而沿着分割预定线(14)进行切削并使树脂(13)残留；树脂切断工序，沿着切削槽照射对于树脂(13)具有吸收性的波长的红外激光光线来切断残留的树脂；分割工序，照射对露出的热扩散基板(11)具有吸收性的波长的激光光线并沿着分割预定线(14)切断热扩散基板(11)而分割成各个封装器件。

一种快速排片设备-201821736302.5
发明人：罗雪方;陈文娟;胡玲玲;薛水源;罗子杰 -专利权人：江苏罗化新材料有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本实用新型公开了一种快速排片设备该方法包括测试分选机、载物台、排片治具、识别机构、平台顶针以及吸嘴；所述测试分选机包括用于识别和测试芯片的自动检测机构和与检测机构连接的PC机、支撑框与激光源，所述自动检测机构和识别机构均采用CCD，所述载物台、平台顶针和吸嘴均具有X轴、Ｙ轴和Rz轴的自由度；本实用新型占用更少的操作时间，大大提高了工作效率。

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摘要：本文公开了一种半导体器件，其具有耦合至衬底的半导体管芯。模制化合物包封所述半导体管芯，并且至少一个导热材料区段从与所述半导体管芯相邻处延伸通过所述模制化合物。因而，所述至少一个导热材料区段通过所述模制化合物从所述半导体管芯运送热量。

一种肖特基二极管的安装基座-201822145912.4
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申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/50
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对基板作业系统及管理对基板作业系统的元件的安装顺序的方法-201480075741.4
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摘要：本发明公开了一种集成无源器件的框架封装结构及其制备方法，所述集成无源器件的框架封装结构包括：裸片垫，设置于所述裸片垫下方的第一绝缘介质层，设置于所述第一绝缘介质层下方的金属结构层，设置于所述金属结构层下方的第二绝缘介质层，以及，设置于所述裸片垫外围的至少一个导电焊盘；所述至少一个导电焊盘与所述第二绝缘介质层连接；所述裸片垫上设置有至少一个有源芯片，所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接。

双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组-201711462442.8
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申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明提供了一种功率芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法，该方法包括：从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中；组装限位销压制压片；用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构；从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构，得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片，解决了芯片与钼片烧结后的对中问题，并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。

一种功率器件芯片封装方法-201910282232.3
发明人：夏国峰;尤显平;刘动景 -专利权人：重庆三峡学院;夏国峰
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明公开了一种功率器件芯片封装方法，属于微电子封装技术领域。本发明的功率器件芯片封装方法包括：将纳米银焊膏以均匀厚度印刷在基板上；将导热薄片贴装在纳米银焊膏上；在导热薄片上再次印刷均匀厚度的纳米银焊膏；将功率器件芯片贴装在纳米银焊膏上；对纳米银焊膏进行无压烧结成型，完成功率器件芯片与基板的键合连接；引线键合；塑封成型完成封装。该发明具有简单、高可靠性、高良率、高产率的特点。

一种碳化硅功率器件芯片键合方法-201910282555.2
发明人：夏国峰;尤显平 -专利权人：重庆三峡学院;夏国峰
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件芯片键合方法，属于微电子封装技术领域。本发明的键合方法包括：在碳化硅功率器件晶圆的无源面和基板面板上分别依次配置阻挡层和粘接层；将纳米银焊膏以均匀厚度分别印刷在碳化硅功率器件晶圆和基板面板的粘接层上，进行无压烧结形成银烧结层；对银烧结层进行氧化处理和抛光处理；切割形成分离的碳化硅功率器件芯片和基板；采用表面贴装方式将碳化硅功率器件芯片上的银烧结层面对面配置于基板上的银烧结层上，进行热压键合，实现碳化硅功率器件芯片键合连接。该发明具有简单、高可靠性、高良率、高产率的特点。

应用于测试的裸芯片结构及其制造方法-201611066316.6
发明人：王起 -专利权人：嘉兴鹏武电子科技有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明公开一种应用于测试的裸芯片结构及其制造方法。该结构100包括：主PCB板101、副PCB板102、裸芯片103、焊盘104/106、键合丝105/107、垫片110、金属排针111、保护罩112及电气绝缘油114；垫片110粘结主PCB板101上且裸芯片103粘结垫片110上；焊盘104环绕于裸芯片103四周并设置于主PCB板101上且通过键合丝105与裸芯片103的金属PAD连接；副PCB板102位于焊盘104外围并粘结主PCB板101上且通过金属插针111与主PCB板101实现电气连接；焊盘106设置于副PCB板102上且通过键合丝107与裸芯片103的金属PAD连接；保护罩112粘结于主PCB板101上并在其内部注入电气绝缘油114。本发明中，结构呈高低高阶梯状，提高了单位面积上键合丝的密度，能够保证裸芯片粘结时金属PAD免受污染，避免裸芯片和键合丝在空气中氧化。

一种低功耗快速开关塑封高压硅堆的制造方法及高压硅堆-201711248801.X
发明人：李昊阳;刘云燕;赵栋;孙美玲;王琨琨;魏功祥;付圣贵 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/50
摘要：本发明公开了一种低功耗快速开关塑封高压硅堆的制造方法及高压硅堆，本发明的制造方法包括二极管晶粒制备、开关管制备、填装、焊接、清洗封装步骤，本发明利用晶粒和焊片在高温下不同的热膨胀系数及形变，焊接前无需提前对正晶粒，即可实现焊接后晶粒自动拉正，气孔面积大大减小，提高焊接质量，经由氢氟酸：醋酸：硫酸：硝酸的体积比＝8.8:13：5.6:9.2制得的混合酸酸洗后的晶粒电性良率高。经过实测数据表明：本发明的硅堆能够在不影响其它参数情况下，反向电压10000V时，正向电压不超过8V，并且能够在17ns的极短时间内实现有效关断，解决了高压低功耗高频整流问题。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]低损耗部件埋入式天线封装结构及其制造方法在审

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