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[发明专利]谐振腔发光二极管及其制造方法-CN201910215605.5有效
发明人：顾俊;胡任浩;胡加辉;周飚 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振腔发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述谐振腔发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、钝化层，所述P型层和所述透明导电层上均设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述衬底的远离所述N型层的一面设有下反射镜层，所述钝化层上设有上反射镜层。此时可以通过提高Al在GaN中的掺杂浓度即可达到下反射镜高反射率的要求。由于下反射镜层设置在衬底的远离N型层的一面上，因此提高Al的浓度不会影响RCLED的外延质量。
谐振腔发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法-CN201810276658.3有效
发明人：叶青贤;杨中和;童咏华 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法，属于发光二极管技术领域。在发光二极管的芯片的发光性能的测试过程中，通过将芯片倒膜、扩膜中所使用的承载膜更换为由聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯制作的白膜。这种材料的白膜对于芯片的光的透过率较高，反射率较小。避免了当测量设备收集分析倒装芯片的发光数据时，倒装芯片发出的光难以透过蓝膜的情况，保证了测量设备采集到的发光二极管的芯片的光的数据的准确性，提高了发光二极管的芯片的发光性能的测试结果的准确性，同时也能够保证放置在白膜上的多个芯片颗粒的测试结果均较为准确，便于工作人员根据最终获得的同批多个芯片颗粒的测试结果对芯片进行选择与使用。
一种发光二极管芯片光电性能测试方法

[发明专利]激光二极管及其制作方法-CN201911047057.6有效
发明人：兰叶;吴志浩 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本公开公开了一种激光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。包括衬底、外延层、N型电极、P型电极、第一反射层和第二反射层；外延层包括缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型半导体层的表面为脊波导结构，P型半导体层上设有第一凹槽和第二凹槽，P型半导体层和有源层形成柱体结构，柱体结构的侧面包括第一曲面、第一平面、第二曲面和第二平面，第一平面和第二平面平行于脊波导结构中脊的延伸方向，第一曲面和第二曲面上点的曲率在从第一平面到第二平面的方向上先减小至0、再保持为0、最后从0开始增大；第一反射层和第二反射层分别铺设在第一曲面和第二曲面上。本公开可提高激光二极管的出光效率。
激光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN201910247428.9有效
发明人：蒋媛媛;纪磊;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述发光二极管外延片还包括设置在所述N型半导体层和所述有源层之间的应力释放层，所述应力释放层包括依次层叠的AlGaN层和InGaN层，所述AlGaN层中Al组分的含量沿从所述N型半导体层到所述有源层的方向逐渐减小，所述InGaN层中In组分的含量沿从所述N型半导体层到所述有源层的方向逐渐增大。本发明有利于电子和空穴在有源层中复合发光，提高LED的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管的外延片的制备方法及外延片-CN201910231496.6有效
发明人：蒋媛媛;纪磊;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管制作领域。向反应腔间断性地通入镓源持续通入铝源，间断性通入镓源可使得反应腔内存在适量的镓原子，适量的镓原子起到活化剂的作用，得到的AlGaN缓冲子层的质量较好，AlN缓冲子层与存在适量镓原子的AlGaN缓冲子层匹配良好，对在AlGaN缓冲子层上生长的AlN缓冲子层的质量有提高。而在生长AlN缓冲子层时，由于氨气与铝源之间存在气相反应，这种反应生成的部分反应物会掺入AlN缓冲子层中，影响AlN缓冲子层的质量。间断性地通入氨气，氨气的减少可以抑制铝与氨气发生气相反应，减少氨气与铝源反应生长的反应物并入AlN缓冲子层，提高AlN缓冲子层的质量，最终得到的外延片的晶体质量得到提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管显示器的制造方法-CN201711473550.5有效
发明人：罗红波;周汉川;杨中和;林云真;陈欢;叶莉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管显示器的制造方法，属于光电子技术领域。该制造方法包括：按同一条件对批量芯片进行分类，以得到多个芯片集合；选取若干个芯片集合分别进行芯片混编处理；将任意一个Bin中的芯片转移并固定至印刷电路板以制成发光二极管显示器，通过对批量芯片进行分类，可以得到多个芯片集合，每个芯片集合包括多个芯片，对芯片集合进行芯片混编处理，将一个芯片集合中的芯片分配到多个Bin，由于每个Bin中的各种芯片的数量均不会超过N限制，限制了同一个Bin中产自同一晶圆的芯片数量，将一个Bin中的芯片转移并固定到印刷电路板上制成发光二极管显示器时，即使产自同一晶圆的芯片集中在一起，对显示效果的影响也较小，提高了显示效果。
一种发光二极管显示器制造方法

[发明专利]AlN模板以及发光二极管外延片的制造方法-CN201910209256.6有效
发明人：刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN模板以及发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：在衬底上依次沉积多个AlN子层，得到AlN模板，在远离衬底的方向上，多个AlN子层的沉积温度逐渐增大；其中，在衬底上依次沉积多个AlN子层，包括：沉积一个AlN子层后，中断AlN子层的沉积；在沉积一个AlN子层后的沉积中断时间内，将AlN子层的沉积温度升高；沉积下一个AlN子层。本发明提供的制造方法可以改善形成的AlN薄膜的均匀性，减少AlN薄膜中的压应力，提高LED的发光效率。
aln 模板以及发光二极管外延制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN201810634505.1有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。通过将有源层中的垒层设置为包括依次层叠的InxGa1‑xN子垒层、AlaInyN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlcGa1‑cN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlaInyN子垒层、InxGa1‑xN子垒层，这种对称生长的垒层结构，在与阱层交替生长时，可减小外延层中整体积累的应力，同时也能够减小其在自身生长过程中引入的应力，进而减小外延层中由应力引起的压电极化现象，同时，垒层中分别设置在AlcGa1‑cN子垒层两侧的InxGa1‑xN子垒层可减小垒层整体与InGaN阱层之间的晶格失配，进一步减小有源层中的压电极化现象，进而减少有源层中的能带弯曲情况，增大电子和空穴波函数空间重叠，进而增大电子与空穴的有效辐射复合率，提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN201810717061.8有效
发明人：郭炳磊;魏晓骏;葛永晖;吕蒙普;李鹏;胡加辉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极、N型电极和复合层，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，透明导电薄膜铺设在P型半导体层上，P型电极设置在透明导电薄膜上，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上；复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，若干金属纳米颗粒间隔设置在衬底的第二表面上，无机材料层铺设在若干纳米银颗粒和若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，复合层的折射率小于或等于1。本发明工艺简单、制作成本低、制作周期短。
一种发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811416036.2有效
发明人：刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、浅阱层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述低温应力释放层为第一InGaN子层与第一GaN子层交替生长的周期性结构，所述第一InGaN子层的厚度为1～2nm，所述第一GaN子层的厚度为5～10nm，所述第一InGaN子层或所述第一GaN子层的数量为10～30。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种晶圆的加工方法-CN201810688681.3有效
发明人：马玮辰;汪洋;向光胜;叶青贤 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的加工方法，属于半导体技术领域。所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值并上传至运算系统；将待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量待加工晶圆的粘片后厚度值并上传至运算系统；确定待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值并上传至运算系统，运算系统根据存储的厚度值依次计算出待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量；根据待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量依次对待加工晶圆进行减薄、研磨和抛光操作；去除抛光后的晶圆与基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。该加工方法减少了加工过程中的人为干预，提高了晶圆的加工效率，同时保证了LED芯片的质量。
晶圆加工运算系统上传减薄量抛光量研磨量基板减薄种晶半导体技术领域研磨和抛光测量系统加工效率抛光目标人为干预研磨目标抛光粘结部去除粘结粘片测量存储保证

[发明专利]一种喷头清洗方法-CN201710295117.0有效
发明人：杨兰;赵阳;王国行;万林;胡加辉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷头清洗方法，属于金属有机化合物化学气相沉淀技术领域。所述喷头清洗方法包括：配置清洗溶液，所述清洗溶液为NaOH溶液与H₂O₂的混合溶液；将所述喷头浸泡在所述清洗溶液内进行超声清洗；采用清水对所述喷头进行超声冲洗；采用N₂或惰性气体吹扫所述喷头，然后再对所述喷头进行烘干。该清洗方法不会腐蚀喷头，而且能有效的清洗喷头，并可在短时间内恢复到量产的水平，有效降低了恢复量产的时间成本。
一种喷头清洗方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201710334928.7有效
发明人：金雅馨;万林;胡加辉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、低温改善层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；其中，低温改善层为未掺杂的Al_xGa_1‑xN层，0≤x≤1，且低温改善层的生长温度为500～750℃。本发明通过在未掺杂氮化镓层上低温(500～750℃)生长未掺杂的Al_xGa_1‑xN层，0≤x≤1，Al_xGa_1‑xN层的生长温度较低，质量较差，打乱了外延片中晶体的生长方向，从原本单一地沿着晶格的方向变成杂乱无章，进而改变了晶格失配和热失配产生的应力的方向，使得应力得到有效释放，外延片发光波长的均匀性提高。
一种发光二极管外延制造方法

[发明专利]一种发光二极管显示器的制造方法-CN201711475789.6有效
发明人：罗红波;周汉川;周高明;林云真;陈欢;叶莉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管显示器的制造方法，属于光电子技术领域。该制造方法包括：按同一条件对批量芯片进行分类，以得到多个芯片集合；选取若干个芯片集合分别进行芯片混编处理；将任意一个Bin中的芯片转移并固定至印刷电路板以制成发光二极管显示器，通过对芯片集合进行芯片混编处理，将一个芯片集合中的芯片分配到多个Bin中，由于Bin的数量满足a＝N_总数/N_限制，因此限制了同一个Bin中产自同一晶圆的芯片数量，将一个Bin中的芯片转移并固定到印刷电路板上制成发光二极管显示器时，即使产自同一晶圆的芯片集中在一起，但数量受到限制，因此对显示效果的影响也较小，提高了显示效果。
芯片发光二极管显示器芯片集合印刷电路板显示效果混编晶圆光电子技术领域制造分类分配

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法-CN201710326217.5有效
发明人：刘华容;胡加辉 -专利权人： 华灿光电股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括依次层叠在N型氮化镓层上的多个第一子层，每个第一子层包括量子阱层和设置在量子阱层上的量子垒层，量子阱层为铟镓氮层，电子阻挡层包括依次层叠在多量子阱层上的多个第二子层，每个第二子层包括依次层叠的高温阻挡层、能带调制层和低温提供层，高温阻挡层为铝镓氮层，能带调制层为铟镓氮层，能带调制层中铟组分的含量低于量子阱层中铟组分的含量，低温提供层为P型掺杂的氮化镓层。本发明可以增加注入多量子阱层复合发光的空穴数量。
一种发光二极管外延及其制造方法

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