[发明专利]半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610704733.2 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107492542B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王青杉;李顺益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体组件的制造方法。所述方法包括在衬底上形成虚拟结构、在所述虚拟结构的相对两侧上形成导电特征、移除所述虚拟结构与所述虚拟结构下方的所述衬底的一部分以形成沟槽并将介电材料填入所述沟槽中。据此，可使得所形成的电容器具有薄且均匀的介电材料。因此，所述电容器不仅所占的面积较小，且每单位面积可达到高的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体组件的制造方法，包括：在衬底上形成虚拟结构；在所述虚拟结构的相对两侧上形成导电特征；移除所述虚拟结构与所述虚拟结构下方的所述衬底的一部分，以形成沟槽；以及将介电材料填入所述沟槽中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610704733.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
