[发明专利]半导体组件及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体组件的制造方法。所述方法包括在衬底上形成虚拟结构、在所述虚拟结构的相对两侧上形成导电特征、移除所述虚拟结构与所述虚拟结构下方的所述衬底的一部分以形成沟槽并将介电材料填入所述沟槽中。据此，可使得所形成的电容器具有薄且均匀的介电材料。因此，所述电容器不仅所占的面积较小，且每单位面积可达到高的电容值。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体组件及其制造方法。

背景技术

电容器为用于许多数据操作与存储应用的构件。一般而言，电容器包括被绝缘体所分隔的两个导电电极。各种电容器常用于现今的集成电路(integrated circuits，ICs)的无数用途中。举例来说，垂直方向的电容器，例如金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容器，介电材料被夹在两个金属层之间或是多晶硅层与金属层之间。然而，当设计规格(design rules)缩小，电容值也因为金属层或多晶硅层尺寸缩小而减少。电容器的电容值取决于介电材料的厚度。薄的介电材料使得电容器具有高电容值。

发明内容

本发明实施例提供一种具有电容器的半导体组件的制造方法，可使得所形成的电容器具有薄且均匀的介电材料。因此，所述电容器不仅所占的面积较小，且每单位面积可达到高的电容值。

本发明实施例提供一种半导体组件的制造方法。所述方法包括在衬底上形成虚拟结构、在所述虚拟结构的相对两侧上形成导电特征、移除所述虚拟结构与所述虚拟结构下方的所述衬底的一部分以形成沟槽，其中移除所述衬底的所述部分暴露出所述虚拟结构的所述相对两侧上的所述导电特征的一部分、以及将介电材料填入所述沟槽中，以使所述介电材料与其直接接触的所述导电特征形成电容器，其中所述介电材料的顶面高于所述衬底的顶面。

本发明实施例提供一种半导体组件的制造方法。所述方法包括在衬底上形成虚拟栅极结构，其中所述虚拟栅极结构为第一晶体管的源极电极-漏极电极以及第二晶体管的源极电极-漏极电极之间的边缘栅极结构；移除所述虚拟栅极结构以定义上部沟槽；移除外露于所述上部沟槽的所述衬底的一部分，以形成对齐于上部沟槽的下部沟槽，其中所述下部沟槽位于所述第一晶体管的所述源极电极-漏极电极以及所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极之间，并暴露出所述第一晶体管的所述源极电极-漏极电极的一部分以及所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极的一部分；将第一介电材料填入所述下部沟槽中；以及在将所述第一介电材料填入所述下部沟槽中之后，将第二介电材料填入所述上部沟槽中，以使所述第一介电材料与所述第二介电材料及与其直接接触的所述第一晶体管的所述源极电极-漏极电极与所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极形成电容器，其中所述第二介电材料与所述第一介电材料不同。

本发明实施例提供一种半导体组件的制造方法。所述方法包括在鳍结构上形成第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构，其中所述第一牺牲栅极结构位于第一井区上且所述第二牺牲栅极结构位于所述第一井区与第二井区之间的界面上；在所述第二牺牲栅极结构的相对两侧上形成导电特征；在所述第一牺牲栅极结构与所述第二牺牲栅极结构的相对两侧上沉积绝缘材料；移除所述第一牺牲栅极结构以形成第一沟槽；移除所述第二牺牲栅极结构与所述第二牺牲栅极结构下方的衬底的一部分以形成第二沟槽，其中所述第二沟槽暴露出所述第二牺牲栅极结构的所述相对两侧上的所述导电特征的一部分；将导电材料填入所述第一沟槽中；以及将介电材料填入所述第二沟槽中，以使所述介电材料与其直接接触的所述导电特征形成电容器。