[发明专利]半导体组件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体组件的制造方法，包括：

在衬底上形成虚拟结构；

在所述虚拟结构的相对两侧上形成导电特征；

移除所述虚拟结构与所述虚拟结构下方的所述衬底的一部分，以形成沟槽，其中移除所述衬底的所述部分暴露出所述虚拟结构的所述相对两侧上的所述导电特征的一部分；以及

将介电材料填入所述沟槽中，以使所述介电材料与其直接接触的所述导电特征形成电容器，其中所述介电材料的顶面高于所述衬底的顶面。

2.根据权利要求1所述半导体组件的制造方法，其中移除所述衬底的所述部分包括蚀刻穿过有源层，以隔离所述沟槽的相对两侧处的第一井区与第二井区。

3.根据权利要求1所述半导体组件的制造方法，其中移除所述虚拟结构与所述衬底的所述部分包括定义出包括上部与下部的所述沟槽，所述上部位于所述衬底的所述顶面上方，所述下部位于所述衬底的所述顶面下方，且所述上部对齐所述下部。

4.根据权利要求1所述半导体组件的制造方法，其中移除所述虚拟结构与所述衬底的所述部分包括定义出具有宽度为40埃至200埃的所述沟槽。

5.根据权利要求3所述半导体组件的制造方法，其中将所述介电材料填入所述沟槽中包括：

将第一介电材料填入所述沟槽的所述下部中；以及

在将所述第一介电材料填入所述沟槽的所述下部中之后，将第二介电材料填入所述沟槽的所述上部中，所述第二介电材料与所述第一介电材料不同。

6.根据权利要求1所述半导体组件的制造方法，在移除所述虚拟结构之前，还包括平坦化所述半导体组件，以暴露出所述虚拟结构的顶面。

7.一种半导体组件的制造方法，包括：

在衬底上形成虚拟栅极结构，其中所述虚拟栅极结构为第一晶体管的源极电极-漏极电极以及第二晶体管的源极电极-漏极电极之间的边缘栅极结构；

移除所述虚拟栅极结构以定义上部沟槽；

移除外露于所述上部沟槽的所述衬底的一部分，以形成对齐于上部沟槽的下部沟槽，其中所述下部沟槽位于所述第一晶体管的所述源极电极-漏极电极以及所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极之间，并暴露出所述第一晶体管的所述源极电极-漏极电极的一部分以及所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极的一部分；

将第一介电材料填入所述下部沟槽中；以及

在将所述第一介电材料填入所述下部沟槽中之后，将第二介电材料填入所述上部沟槽中，以使所述第一介电材料与所述第二介电材料及与其直接接触的所述第一晶体管的所述源极电极-漏极电极与所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极形成电容器，其中所述第二介电材料与所述第一介电材料不同。

8.根据权利要求7所述半导体组件的制造方法，其中移除所述衬底的所述部分包括在单一蚀刻工艺中移除所述衬底的所述部分并移除所述虚拟栅极结构。

9.根据权利要求7所述半导体组件的制造方法，还包括：

将所述第一晶体管的栅极连接至字线；以及

将所述第二晶体管的所述源极电极-漏极电极连接至参考电压。

10.根据权利要求9所述半导体组件的制造方法，还包括将所述第一晶体管的额外源极电极-漏极电极连接至位线，其中所述第一晶体管的所述栅极位于所述额外源极电极-漏极电极与所述第一介电材料之间。

11.根据权利要求10所述半导体组件的制造方法，其中移除所述衬底的所述部分包括定义出具有底面的所述下部沟槽，所述下部沟槽的所述底面低于所述衬底中的井区的底面。

12.根据权利要求11所述半导体组件的制造方法，其中将所述第二介电材料填入所述上部沟槽中包括平坦化所述第二介电材料，以使所述第二介电材料的顶面与所述第一晶体管的所述栅极的顶面共平面。