[发明专利]存储器装置及其制造方法和操作方法

摘要

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法和操作方法，该存储器装置具有独立双重栅极存储单元，每一存储单元储存多重位且包括配置为字线的导电线多层叠层。有源支柱是设置于一对第一与第二叠层之间，每一有源支柱包括一垂直通道结构、一电荷储存层与一绝缘层。绝缘层位于一有源支柱的平截头体中，并接触第一叠层的一层中的第一导电条的一第一拱型边缘与第二叠层的相同层中的第二导电条的一第二拱型边缘。多个绝缘柱与有源支柱将字线叠层分为偶数与奇数线，且绝缘柱接触于每一有源支柱的相反的偶数侧与奇数侧。有源支柱可为椭圆形，具有一长轴平行于第一与第二导电条。

主权项

1.一种存储器装置，包括：一第一导电条多层叠层与一第二导电条多层叠层；多个有源支柱，位于该第一导电条多层叠层与该第二导电条多层叠层之间，每一有源支柱包括一垂直通道结构、一电荷储存层与一绝缘层，该绝缘层位于接触一第一导电条的一第一拱形边缘与接触一第二导电条的一第二拱形边缘的有源支柱的一平截头体中，该第一导电条是位于该第一导电条多层叠层的一层中，该第二导电条是位于该第二导电条多层叠层的相同层中；以及多个内叠层绝缘柱，在该第一导电条多层叠层与该第二导电条多层叠层之间交错于这些有源支柱之中；其中，于至少一平截头体中，该有源支柱的剖面为椭圆形，且具有一长轴平行于该第一导电条与该第二导电条；于该平截头体中，该有源支柱的剖面是被安排使得该第一拱形边缘与该第二拱形边缘的平均曲率半径大于同一层中相邻于该绝缘柱的平截头体的平均曲率半径。