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- [发明专利]分离的三维处理器-CN202310223434.7在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-05-23
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有多个储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有一个逻辑电路(180)和至少一个存储阵列(170)。所述三维处理器(100)还含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有存储阵列(170)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和存储阵列(170)的至少部分片外周边电路组件(190)。逻辑电路(180)不是存储阵列(170)的周边电路。
- 分离三维处理器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN202310147916.9在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-05-02
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有多个储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有一个逻辑电路(180)和多个三维存储3D‑M阵列(170,170ijA‑170ijD,170ijW‑170ijZ)。所述三维处理器(100)还含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有3D‑M阵列(170,170ijA‑170ijD,170ijW‑170ijZ)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少部分片外周边电路组件(190)。逻辑电路(180)不是3D‑M阵列(170)的周边电路。
- 分离三维处理器
- [发明专利]存储器-CN202210871271.9在审
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张国飙;宋志棠
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南方科技大学
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2022-07-22
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2023-03-21
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H10N79/00
- 本发明提出一种存储器，包括多个一次编程存储元，每个一次编程存储元含有存储膜(30)。在一实施例中，存储膜(30)含有一层OTS(Ovonic阈值开关)膜(30A)和一层反熔丝膜(30B)。在另一实施例中，存储膜(30)含有一层OTS膜(30A)，OTS膜(30A)的首次翻转电压Vform大于后续翻转电压Vth。该存储器是三维一次编程存储器，包括三维横向一次编程存储器和三维纵向一次编程存储器。
- 存储器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN202211669495.8在审
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-03-14
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有三维存储（3D‑M）阵列(170)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)。3D‑M包括三维随机访问存储器（3D‑RAM）、三维只读存储器（3D‑ROM）；三维印录存储器（3D‑P）、三维可写存储器（3D‑W）；三维横向存储（3D‑MH）、三维纵向存储（3D‑MV）等。
- 分离三维处理器
- [发明专利]分离的三维处理器-CN201910038528.0有效
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张国飙
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杭州海存信息技术有限公司
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2019-01-16
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2023-01-10
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G06F15/78
- 分离的三维处理器(100)含有第一芯片(100a)和第二芯片(100b)。第一芯片(100a)含有三维存储（3D‑M）阵列(170),第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)。第一芯片(100a)不含所述片外周边电路组件(190)。第一芯片(100a)和第二芯片(100b)通过多个芯片间连接(160)电耦合。分离的三维存储器可以应用于数学计算、计算机模拟、可编程计算阵列、模式处理、神经网络等领域。
- 分离三维处理器
- [实用新型]存储单元及存储器-CN202220921103.1有效
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李毅达;周冰;程振;林龙扬;张国飙;沈美;朱泉舟
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南方科技大学
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2022-04-20
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2022-10-04
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H01L27/108
- 本实用新型公开了一种存储单元及存储器，存储单元包括：第一晶体管与第二晶体管；第一晶体管包括：第一栅极、位于第一栅极底面的第一介电层以及位于第一介电层底面的第一沟道层、第一源极与第一漏极；第二晶体管包括：第二栅极、位于第二栅极顶面的第二介电层以及位于第二介电层顶面的第二沟道层、第二源极与第二漏极；第二栅极与第一漏极连接；第二介电层包括：铁电层，铁电层位于第二源极与第二漏极的底面。本实用新型采用两个晶体管堆叠的存储单元结构进行数据读写，不仅消除了存储电容对尺寸缩小的影响，还避免了存储电容的结构互连的长度较长的问题，从而减小了互连线的距离，减小了电路延迟，提高了存储器的整体性能。
- 存储单元存储器
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