[发明专利]一种P型掺杂剂及其制备方法有效
| 申请号： | 201310007757.9 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103014839A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 潘家明;何广川;段学颖 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种P型掺杂剂的制备方法，包括：A、去除含有硼元素的不合格的N型单晶硅片中的磷原子；B、将去除磷原子的不合格的N型单晶硅片作为原料，铸造得到P型掺杂剂硅锭；C、对所述P型掺杂剂硅锭进行破碎处理，得到P型掺杂剂。该P型掺杂剂电阻率在0.001Ω·cm~0.01Ω·cm之间，包括端点值。本发明所提供的P型掺杂剂及其制备方法，通过去除含有硼元素的不合格的N型单晶硅片中的磷原子，并对去除磷原子的含有硼元素的不合格的N型单晶硅片进行铸锭，制作出P型掺杂剂，减少了资源的浪费，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型掺杂剂的制备方法，其特征在于，包括：A、去除含有硼元素的不合格的N型单晶硅片中的磷原子；B、将去除磷原子的不合格的N型单晶硅片作为原料，铸造得到P型掺杂剂硅锭；C、对所述P型掺杂剂硅锭进行破碎处理，得到P型掺杂剂。
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- 本发明专利公开了一种提高硅基电光调谐器件效率的掺杂结构，包括电机、电机架、端盖、上轴承、罐体、内罐体、下轴承、托环、孔板、链条、密封球、出料道、漏斗状罐底和掺杂元素，端盖安装在罐体上端，电机通过电机架安装在端盖上表面中央，内罐体通过上轴承和下轴承安装在罐体内且其上端与电机主轴相连，孔板安装在内罐体底部，密封球通过链条与孔板底部相连，漏斗状罐底处于罐体底部且其与出料道相连，内罐体中装有掺杂元素。
- 一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法-201610338045.9
- 刘要普;令狐铁兵;李京涛;王新;方丽霞;李中军 - 麦斯克电子材料有限公司
- 2016-05-20 - 2016-07-13 - C30B15/04
- 一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法，首先利用直拉法制备出电阻率在0.015~0.020Ω/CM的若干母合金样片，然后再利用该母合金样片继续用直拉法制备出高电阻硅单晶。本发明通过精确控制每一小批次母合金的电阻率，提高母合金的掺杂量，减少母合金的计算和称量的误差，实现直拉高阻硅单晶的稳定生长，使P型单晶硅的电阻率能达到300Ω/CM，且电阻率径向均匀性在3%以内，从而极大提高器件性能和稳定性、安全性，同时也实现了稳定批量生产直拉高阻硅单晶，本方法同样适用于拉制N型高阻单晶棒，能满足拉制N型电阻率在100Ω/CM以内的单晶棒。
- 一种直拉单晶硅的Sb掺杂装置-201521047045.0
- 沈杨宇;贺贤汉;小暮康弘 - 上海申和热磁电子有限公司
- 2015-12-15 - 2016-06-22 - C30B15/04
- 本实用新型涉及半导体晶体生长领域，公开了一种直拉硅单晶的Sb掺杂装置，包括：包括：石英钟罩，所述石英钟罩顶端设有吊环，所述石英钟罩内设有石英烧杯，所述石英烧杯的底部设有开孔。本实用新型的Sb掺杂装置通过使用石英治具，将Sb置于石英容器内，无需烧结，操作简单、安全，可有效避免Sb的飞溅，节省工序成本。
- 制造硅锭的方法和硅锭-201510747632.9
- N.卡斯帕里;H-J.舒尔策 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2015-11-06 - 2016-05-18 - C30B15/04
- 制造硅锭的方法和硅锭。一种硅锭的丘克拉斯基生长方法包括在坩埚中将硅材料与n型掺杂剂材料的混合物熔化。在提取时间段期间从熔融硅提取硅锭。在提取时间段的至少一个子时段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂该硅锭。
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