[实用新型]掺杂剂掺杂装置有效
| 申请号： | 201821641063.5 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN208844224U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 芮阳 | 申请（专利权）人： | 宁夏银和半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 一种掺杂剂掺杂装置，掺杂剂掺杂装置与籽晶夹头可拆卸连接，籽晶夹头的一端与重锤螺纹连接，所述掺杂剂掺杂装置包括掺杂工装、掺杂单元，本实用新型中，第一支撑杆插装在籽晶夹头的第一通孔中，整个掺杂工装利用第一支撑杆悬挂固定，掺杂时，不用再将籽晶取下，避免了重复操作将籽晶装入籽晶夹头上，提高了工作效率和安全性，并且保证了籽晶不会因二次装入而造成的磨损；第一支撑杆和第二支撑杆的两端分别通过第一连接机构、第二连接机构吊装连接，第五吊钩吊装于第二支撑杆上，掺杂工装这种分体设计还能避免局部损坏后需要整体更换，而增加成本，拉晶炉内环境要求严格，整个掺杂工装采用钼材料制成，能防止污染，整个掺杂工装轻巧，使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 支撑杆 工装 掺杂装置 掺杂剂 籽晶夹头 籽晶 连接机构 装入 吊装 本实用新型 可拆卸连接 吊钩 防止污染 分体设计 工作效率 局部损坏 螺纹连接 悬挂固定 整体更换 重复操作 拉晶炉 内环境 籽晶夹 钼材料 插装 取下 通孔 重锤 磨损 保证 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂剂掺杂装置，其特征在于：所述掺杂剂掺杂装置与籽晶夹头可拆卸连接，籽晶夹头的一端与重锤螺纹连接，籽晶夹头的另一端夹持有籽晶，重锤通过拉绳悬吊在位于单晶炉副炉室上方的提拉机构上，在籽晶夹头的上设有水平的第一通孔，所述掺杂剂掺杂装置包括掺杂工装、掺杂单元，掺杂工装由钼材料制成，所述掺杂工装包括第一支撑杆、第一钩环、第二钩环、第一连接机构、第二连接机构、第三钩环、第四钩环、第二支撑杆、第五吊钩，第一支撑杆穿过第一通孔，并与第一通孔螺纹配合，以使第一支撑杆相对籽晶夹头位置固定，第一支撑杆的两端分别固定安装有第一钩环、第二钩环，第一连接机构包括第一吊钩、第一钼绳、第二吊钩，第一钼绳两端分别与第一吊钩、第二吊钩的连接端连接，第二连接机构包括第三吊钩、第二钼绳、第四吊钩，第二钼绳两端分别与第三吊钩、第四吊钩的连接端连接，第二支撑杆的两端分别固定安装有第三钩环、第四钩环，第二支撑杆中部具有一个向下弯曲段，在弯曲段钩挂第五吊钩，第一吊钩、第二吊钩、第三吊钩、第四吊钩分别钩挂第一钩环、第三钩环、第二钩环、第四钩环上，以将第二支撑杆吊装在籽晶夹头的下方，所述掺杂单元的顶部与第五吊钩的连接端连接，以将掺杂单元吊装在第二支撑杆的下方。
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- 刘浦锋;宋洪伟;陈猛 - 上海超硅半导体有限公司
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- 本发明在晶锭的提拉生长的同时，通过激光阵列熔化含有均匀分布反型导电元素（副掺杂元素）的单晶硅条，持续可调的向熔体添加副掺杂元素，抵消因分凝引起的熔体中主掺杂元素浓度的快速升高而使晶锭中载流子增多，从而解决在晶锭生长末期电阻率快速下降的问题。通过精确控制副掺杂元素的添加量和添加速率，稳定新结晶区域晶锭中的载流子密度，以稳定新结晶区域的电阻率，缩小整个晶锭轴向电阻率波动幅度，提高晶锭利用率和晶片电学性能品质。
- N型单晶硅晶锭及其制造方法-201610364925.3
- 李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 - 上海超硅半导体有限公司
- 2016-05-30 - 2016-09-21 - C30B15/04
- 本发明提供一种N型单晶硅晶锭的制造方法，其特征在于在Cz法N型单晶硅硅锭提拉生长过程，通过缓慢且连续地向石英坩埚中添加相反导电类型的掺杂元素，提高晶锭中相反导电类型元素的浓度，抵消因分凝引起的熔体中主掺杂元素浓度的快速升高而使晶锭中增多的电子型载流子，从而解决在晶锭生长末期电阻率快速下降的问题。通过该发明，可以得到轴向电阻率波动小于30Ω•cm的N型单晶硅晶锭。
- 一种提高硅基电光调谐器件效率的掺杂结构-201610507220.2
- 华平壤;陈朝夕 - 派尼尔科技（天津）有限公司
- 2016-06-30 - 2016-09-21 - C30B15/04
- 本发明专利公开了一种提高硅基电光调谐器件效率的掺杂结构，包括电机、电机架、端盖、上轴承、罐体、内罐体、下轴承、托环、孔板、链条、密封球、出料道、漏斗状罐底和掺杂元素，端盖安装在罐体上端，电机通过电机架安装在端盖上表面中央，内罐体通过上轴承和下轴承安装在罐体内且其上端与电机主轴相连，孔板安装在内罐体底部，密封球通过链条与孔板底部相连，漏斗状罐底处于罐体底部且其与出料道相连，内罐体中装有掺杂元素。
- 一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法-201610338045.9
- 刘要普;令狐铁兵;李京涛;王新;方丽霞;李中军 - 麦斯克电子材料有限公司
- 2016-05-20 - 2016-07-13 - C30B15/04
- 一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法，首先利用直拉法制备出电阻率在0.015~0.020Ω/CM的若干母合金样片，然后再利用该母合金样片继续用直拉法制备出高电阻硅单晶。本发明通过精确控制每一小批次母合金的电阻率，提高母合金的掺杂量，减少母合金的计算和称量的误差，实现直拉高阻硅单晶的稳定生长，使P型单晶硅的电阻率能达到300Ω/CM，且电阻率径向均匀性在3%以内，从而极大提高器件性能和稳定性、安全性，同时也实现了稳定批量生产直拉高阻硅单晶，本方法同样适用于拉制N型高阻单晶棒，能满足拉制N型电阻率在100Ω/CM以内的单晶棒。
- 一种直拉单晶硅的Sb掺杂装置-201521047045.0
- 沈杨宇;贺贤汉;小暮康弘 - 上海申和热磁电子有限公司
- 2015-12-15 - 2016-06-22 - C30B15/04
- 本实用新型涉及半导体晶体生长领域，公开了一种直拉硅单晶的Sb掺杂装置，包括：包括：石英钟罩，所述石英钟罩顶端设有吊环，所述石英钟罩内设有石英烧杯，所述石英烧杯的底部设有开孔。本实用新型的Sb掺杂装置通过使用石英治具，将Sb置于石英容器内，无需烧结，操作简单、安全，可有效避免Sb的飞溅，节省工序成本。
- 制造硅锭的方法和硅锭-201510747632.9
- N.卡斯帕里;H-J.舒尔策 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2015-11-06 - 2016-05-18 - C30B15/04
- 制造硅锭的方法和硅锭。一种硅锭的丘克拉斯基生长方法包括在坩埚中将硅材料与n型掺杂剂材料的混合物熔化。在提取时间段期间从熔融硅提取硅锭。在提取时间段的至少一个子时段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂该硅锭。
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