[发明专利]一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及提纯掺杂方法在审
| 申请号： | 201811607711.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109457294A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张向东;王林;毛荣昌;俞顺根;章斌;程龙柱 | 申请（专利权）人： | 衢州晶哲电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 衢州维创维邦专利代理事务所(普通合伙) 33282 | 代理人： | 慈程麟 |
| 地址： | 324022 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及其提纯掺杂方法，包括支架、设置在支架上的提纯管和用于持续通入氩气的进气管，所述提纯管顶部设置有开口，所述开口处盖设有上盖，所述上盖中心位置处上下贯穿设置有通孔，所述提纯管内底部填充有若干锑源，该若干锑源中心位置处插设有籽晶，所述籽晶远离锑源的一端穿过通孔并延伸至上盖上方，所述进气管的出气端贯穿上盖后延伸至提纯管内部，所述上盖上且位于开口的一侧设置有用于排出提纯管内部空气的出气管，所述提纯管下方设置有用于加热提纯管的加热组件。本发明提供了一种掺杂源纯度高、掺准率高且成晶率高的直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及其提纯掺杂方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 锑源 重掺锑硅单晶 提纯装置 上盖 直拉 掺杂 管内部 进气管 通孔 支架 籽晶 开口 中心位置处 氩气 底部填充 顶部设置 加热组件 上盖中心 上下贯穿 掺杂源 出气端 出气管 开口处 位置处 延伸 管内 加热 排出 穿过 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置，其特征在于：包括支架(1)、设置在支架(1)上的提纯管(2)和用于持续通入氩气的进气管(6)，所述提纯管(2)顶部设置有开口(3)，所述开口(3)处盖设有上盖(4)，所述上盖(4)中心位置处上下贯穿设置有通孔(5)，所述提纯管(2)内底部填充有若干锑源(11)，该若干锑源(11)中心位置处插设有籽晶(12)，所述籽晶(12)远离锑源(11)的一端穿过通孔(5)并延伸至上盖(4)上方，所述进气管(6)的出气端贯穿上盖(4)后延伸至提纯管(2)内部，所述上盖(4)上且位于开口(3)的一侧设置有用于排出提纯管(2)内部空气的出气管(7)，所述提纯管(2)下方设置有用于加热提纯管(2)的加热组件。
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