[发明专利]具有可调温度灵敏度的低功率参考电流发生器无效
申请号: | 201280031226.7 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN103620683A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 斯克特·汉森;丹尼斯·西尔韦斯特;大卫·布洛乌 | 申请(专利权)人: | 密执安州立大学董事会 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种改进的参考电流发生器。电压差发生器生成相隔相对小的电势的两个电压。这两个接近地分隔开的电压被施加至具有相对大的阻抗值的电阻元件两端,以产生小且稳定的参考电流。这产生一种节能、温度补偿的参考电流发生器。 | ||
搜索关键词: | 具有 可调 温度 灵敏度 功率 参考 电流 发生器 | ||
【主权项】:
一种用于生成参考电流的电路,所述电路包括:电压差发生器,用于供应第一电压和第二电压,所述电压差发生器包括:参考电压发生器,用于供应第一供应电压;电压缓冲放大器,其电耦接至所述第一供应电压并且用于供应第二供应电压;以及电压梯,其电耦接至所述第二供应电压并且用于供应所述第一电压和所述第二电压;第一缓冲器,其电耦接至所述第一电压,所述第一缓冲器用于供应第三电压,所述第一缓冲器包括:第一放大器,所述第一放大器用于:接收所述第一电压;接收所述第三电压;以及将所述第一电压与所述第三电压进行比较,并且作为响应输出第一控制电压;以及第一晶体管器件,用于接收所述第一控制电压,并且作为响应供应所述第三电压;第二缓冲器,其电耦接至所述第二电压,所述第二缓冲器用于供应第四电压,所述第二缓冲器包括:第二放大器,所述第二放大器用于:接收所述第二电压;接收所述第四电压;以及将所述第二电压与所述第四电压进行比较,并且作为响应输出第二控制电压;以及第二晶体管器件,用于接收所述第二控制电压,并且作为响应供应所述第四电压;以及电阻元件,其电耦接在所述第三电压和所述第四电压之间,所述电阻元件用于生成作为所述第三电压和所述第四电压的函数的参考电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密执安州立大学董事会,未经密执安州立大学董事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280031226.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种鹿胎冲剂及其制备方法
- 下一篇:制冷循环装置
- 同类专利
- 用于BTI效应的存储器单元筛选-201780008220.0
- C·郑;F·阿迈德;S·S·尹;K·金 - 高通股份有限公司
- 2017-01-09 - 2019-11-05 - G11C5/14
- 提供了一种存储器以及用于操作该存储器的方法。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。控制电路被配置成将工作电压提供给诸存储器单元和该字线驱动器。电压调整电路被配置成在控制电路将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器期间调整提供给诸存储器单元的工作电压。该方法包括将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至该至少一个存储器单元的字线,以及在将工作电压提供给该至少一个存储器单元和字线期间调整提供给该至少一个存储器单元的工作电压。
- 运用于非易失性存储器的电源切换电路-201710036121.5
- 黄智扬;古惟铭 - 力旺电子股份有限公司
- 2017-01-17 - 2019-10-18 - G11C5/14
- 电源切换电路,包括:一第一晶体管、第二晶体管与一电流源。第一晶体管的一第一源漏端与一栅极端分别接收一第一供应电压与一第二供应电压,一第二源漏端与一体极端连接至一节点z,且该节点z产生一输出信号。一第二晶体管的一第一源漏端与一栅极端分别接收该第二供应电压与该第一供应电压,一第二源漏端与一体极端连接至该节点z。一电流源连接于一偏压电压与该节点z之间。该第一供应电压、该第二供应电压或者该偏压电压可被选择成为该输出信号。
- 半导体器件、半导体系统和操作半导体器件的方法-201410852251.2
- 郑志完 - 爱思开海力士有限公司
- 2014-12-31 - 2019-10-11 - G11C5/14
- 一种半导体器件,包括:码发生块,被配置成通过延迟从外部输入的参考时钟来产生输出时钟,基于比较参考时钟和反馈时钟的相位的结果来控制输出时钟的延迟值,以及产生对应于输出时钟的延迟值的第一控制码;电压发生块,被配置成产生具有对应于第一控制码的电压电平的内部电压;时钟发生块,被配置成产生具有对应于第一控制码的频率的内部时钟;以及反馈延迟块,被配置成通过将输出时钟延迟对应于第二控制码的延迟值来产生反馈时钟。
- 一种智能芯片-201910483435.9
- 景蔚亮;陈邦明 - 上海新储集成电路有限公司
- 2019-06-04 - 2019-10-08 - G11C5/14
- 本发明提供一种智能芯片,涉及集成电路技术领域,包括非易失性存储阵列和逻辑电路,逻辑电路部分或全部采用全耗尽绝缘体上硅工艺制作;非易失性存储阵列用于保存智能芯片的工作数据信息;逻辑电路用于根据智能芯片的应用需求对非易失性存储阵列进行访问操作;逻辑电路包括一自学习模块和多个功能模块;自学习模块分别连接各功能模块,用于对智能芯片的工作状态进行学习得到学习模型,并根据学习模型和智能芯片关联的应用需求生成相应的调控信号对对应的各功能模块中的晶体管的阈值电压进行调节。本发明根据智能芯片的应用需求动态调节智能芯片中各功能模块的晶体管的阈值电压,根据需要使得智能芯片运行在高性能工作模式或低功耗工作模式。
- 用于控制定制电路和存储器的动态裕量调谐-201580042128.7
- A·K·巴提亚 - 苹果公司
- 2015-07-22 - 2019-09-20 - G11C5/14
- 本发明提供了一种允许对定制电路或存储器内的各个逻辑路径的延迟选择性地进行调谐的方法的实施方案。电路可被配置为监视被耦接到该定制电路或存储器的电源的电压电平。响应于确定该电源的电压电平已改变而改变定制电路或存储器内的延迟单元的延迟量。
- 一种充电加速单元、充电电路及非易失存储器-201822085566.5
- 张现聚;陈洋;胡俊 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
- 2018-12-12 - 2019-09-17 - G11C5/14
- 本实用新型实施例提供了一种充电加速单元、充电电路及非易失存储器,该充电加速单元包括:第一充电模块,第二充电模块,关断模块、充电输出端,关断模块与第一充电模块和第二充电模块分别连接。本实用新型实施例的充电加速单元可以通过充电输出端为待充电加速设备提供加速充电,大大提升待充电加速设备的充电速度,当加速完成后,该充电加速单元还可以自行关断,不对待充电加速设备所在的电路造成其他影响。
- 一种电荷泵电路及非易失存储器-201822198793.9
- 魏胜涛;刘铭 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司;上海格易电子有限公司
- 2018-12-25 - 2019-09-17 - G11C5/14
- 本实用新型实施例提供了一种电荷泵电路及非易失存储器,该电荷泵电路包括:待机开关单元、电容采样单元、电阻采样单元、比较器单元、电荷泵单元。本实用新型实施例当选择电荷泵电路处于电容采样状态时,通过电容采样单元对电荷泵单元输出端的电压进行采样,并反馈到电荷泵单元的输入端,可以控制电荷泵的启动或停止,因为电容采样单元具有电容特性,在采样反馈中不产生采样电流,因此能够大大降低电荷泵电路的功耗。
- 双轨存储器、存储器宏以及相关的混合供电方法-201610824118.5
- 张琮永;郑基廷;李政宏;廖宏仁;迈克尔·克林顿 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2016-09-14 - 2019-08-30 - G11C5/14
- 本发明提供了一种双轨存储器,双轨存储器可在第一电压和第二电压下工作,并且双轨存储器包括:在第一电压下工作的存储器阵列;配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压的字线驱动器;配置为传输输入数据信号或输出数据信号的数据路径;以及配置为生成到达存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径的控制信号的控制电路;其中,数据路径和控制电路配置为在第一和第二电压这两种电压下工作。本发明还公开了相关的存储器宏和混合供电方法。
- 升压设备、存储器系统和存储器设备-201510812067.X
- 麦希尔·巴库斯基;简·迈克尔·赫伯尔;拉维·文卡泰萨 - 三星电子株式会社
- 2015-11-20 - 2019-08-20 - G11C5/14
- 公开了一种升压设备、存储器系统和存储器设备。根据一个总的方面,一种设备可包括多个升压电路。每个升压电路可包括:功率门,被配置为在阵列电源电压和第二电压之间进行选择,其中,第二电源电压大于阵列电源电压。每个升压电路还可包括被配置为部分地产生第二电源电压的分布式升压电容器。每个分布式升压电容器可被物理地布置在升压网络中。每个升压电路还可包括被配置为基于通过功率门选择的阵列电源电压或第二电源电压而产生电信号的驱动器。
- 电源调节电路及存储器-201821778028.8
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-10-30 - 2019-08-20 - G11C5/14
- 本公开是关于一种电源调节电路及存储器,包括:频率控制模块、时钟模块和电荷泵;频率控制模块用于根据存储器的列地址选通延迟的配置值确定存储器的频率;时钟模块和所述频率控制模块连接,用于根据存储器的频率高低输出指定频率的时钟信号;电荷泵和所述时钟模块连接,所述时钟信号用于控制所述电荷泵对电源电压进行升压操作,输出触发电源。本公开实现了对电荷泵的工作频率的实时调节,提高了在存储器工作频率发生变化时触发电源的瞬态响应速度。并且根据存储器的工作频率实时调节电荷泵的工作频率减少了触发电源上的噪声。
- 一种多模式的ONFI接口发送电路-201821919548.6
- 孔亮;刘亚东;庄志青 - 灿芯半导体(上海)有限公司
- 2018-11-21 - 2019-07-05 - G11C5/14
- 本实用新型公开了一种多模式的ONFI接口发送电路,包括上拉单元和下拉单元,其中,所述上拉单元包括3.3V的PMOS管和3.3V的第一NMOS管,所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO;所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接,作为输出端;所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A,所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B;所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管,该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C,分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。从而解决了三种电压模式的兼容问题。
- 输出电路和芯片-201920020166.8
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2019-01-07 - 2019-06-28 - G11C5/14
- 本实用新型提供一种输出电路和芯片。输出电路包括第一级电路、第二级电路第三级电路和第四级电路。第一级电路用于将读取存储器内部的串行数据,并将串行数据分成设定速率等级的电压信号;第二级电路用于接收第一级电路输出的电压信号,并为电压信号分配传输路径;第三级电路用于接收第二级电路输出的电压信号,并根据ZQ校准信号为每一个接收到的电压信号分配传输路径;第四级电路包括上拉电路和下拉电路,上拉电路和下拉电路均包括薄栅低阈值NMOS管,第四级电路用于接收第三级电路输出的电压信号,生成输出电路的输出电压信号。本实用新型通过消除开启阈值电压对最低工作电源电压的限制,可以兼容多种不同的高速数据输出端口,提高效率。
- 用于动态地调整存储器轨电压的系统和方法-201680008112.9
- H·辛格;M·弗拉托尼奇;I·D·奥唐纳;K·盖尼 - 高通股份有限公司
- 2016-01-04 - 2019-06-18 - G11C5/14
- 公开了用于优化存储器轨电压的系统和方法。该系统可包括多个传感器单元,每个传感器单元包括具有比类似存储器位单元的数据保持电压更高的预定义数据保持电压的至少一个位单元副本。这些传感器单元可被配置成基于比该预定义数据保持电压更高的传感器轨电压来提供输出。该系统可进一步包括控制器,其可操作地耦合至功率管理电路并且被配置成调整存储器轨和传感器轨电压。该控制器可被进一步配置成将期望值与传感器指示作比较。该控制器可基于该指示来减小传感器轨电压和存储器轨电压直至传感器指示位单元副本发生故障(这表明已达到最优存储器轨电压)。
- 存储器装置训练方法、执行该方法的计算系统和系统芯片-201811382923.2
- 金用涉;李正一 - 三星电子株式会社
- 2018-11-20 - 2019-06-11 - G11C5/14
- 本申请提供了用于存储器装置的训练方法、执行该方法的计算系统和执行该方法的系统芯片。在用于存储器装置的训练方法中,当存储器装置通电时对存储器装置执行初始化操作。对存储器装置的多个操作频率执行训练操作,以获得存储器装置的多个操作参数中的至少一个,作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数。存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数,作为训练数据。基于训练数据、存储器装置的当前操作模式和存储器装置的当前操作频率使用用于存储器装置的优化操作参数。
- 电压产生电路、快闪存储器及半导体装置-201510488786.0
- 竹下利章 - 华邦电子股份有限公司
- 2015-08-11 - 2019-05-21 - G11C5/14
- 本发明提供能够抑制电路面积且达到稳定输出电压目的的电压产生电路。本实施例的电压产生电路(100A),具有电荷泵浦电路(20)、电阻分压电路(120)、对电阻分压电路(120)输出的电压(Vm)和基准电压(VREF)进行比较的比较器(34)、基于比较器(34)的比较结果以控制电荷泵浦电路(20)动作的控制电路(36)。电阻分压电路(120)包括串联连接于输出节点(NOUT)和接地之间的电阻(R1、R2、R3、R4),反应输出电压(VOUT)而在节点(NR)产生电压(Vm)。电阻分压电路(120)更具有用以使电阻(R1、R2、R3、R4)电容性耦接至输出节点(NOUT)的寄生电容(Cp)。
- 一种存储装置、处理器和电子设备-201811639237.9
- 宋建华 - 联想(北京)有限公司
- 2018-12-29 - 2019-05-10 - G11C5/14
- 本申请提供了一种存储装置,包括:第一源极,用于为所述存储装置提供电源;栅极,用于与所述第一源极形成电场;以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门,用于存储表征存储装置存储信息的电子;其中,所述第一源极和所述栅极具有第一电压。该存储装置中,由于该第一源极与栅极具有相同的电压,则二者之间无电势差,因此,基于该第一源极与栅极间形成的电场,使得处于该电场中的悬浮门内的电子静止,进而使得该存储装置被读取时的逻辑极性不变,保证了电子设备中的存储结构逻辑极性维持不变。
- 一种降低静态随机存取存储器功耗的系统及方法-201910274520.4
- 黄金新;刘石;陈作添;杨振宇 - 上海移芯通信科技有限公司
- 2019-04-08 - 2019-05-10 - G11C5/14
- 本发明公开了降低静态随机存取存储器功耗的系统,包括控制模块、系统电源模块、低压电源模块、第一供电网络模块、第二供电网络模块、及SRAM;其中:当静态随机存取存储器(SRAM)处于工作状态时,控制模块控制低压电源模块断开;系统电源模块,通过第一供电网络模块给SRAM的外围供电管脚供电,通过第二供电网络模块给SRAM的核心供电管脚供电,提供SRAM的工作电压;当SRAM处于休眠状态时,控制模块控制低压电源模块导通、并控制系统电源模块断开;低压电源模块通过第二供电网络模块给静态随机存取存取器的核心供电管脚供电,提供SRAM的休眠电压。通过本发明,减少了系统漏电,大大降低了SRAM的供电功耗。
- 一种仿真MOS管放大电路失调的方法及装置-201811522919.1
- 马亮;安友伟;余作欢;李建球;杨小龙;刘大海;张登军;张亦锋;李迪;逯钊琦 - 珠海博雅科技有限公司
- 2018-12-12 - 2019-05-07 - G11C5/14
- 本发明公开了一种仿真MOS管放大电路失调的方法及装置,采用其中一种失调电压仿真平台来随机生成参数队列,并将这些参数队列按照一定的数学分布进行分布排列,生成网表文件,然后再用该仿真平台遍历全部网表文件,因此实际上使用了网表文件进行仿真,避免了模型不匹配的情况,具有一定的通用性。
- 电源调节电路及存储器-201821778046.6
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-10-30 - 2019-05-07 - G11C5/14
- 本公开是关于一种电源调节电路及存储器,包括:频率控制模块、时钟模块和电荷泵;频率控制模块用于根据存储器的列地址选通延迟的配置值确定存储器的频率;时钟模块和所述频率控制模块连接,用于根据存储器的频率高低输出指定频率的时钟信号;电荷泵和所述时钟模块连接,所述时钟信号用于控制所述电荷泵对电源电压进行降压操作,输出负压电源。本公开实现了对电荷泵的工作频率的实时调节,提高了在存储器工作频率发生变化时负压电源的瞬态响应速度。并且根据存储器的工作频率实时调节电荷泵的工作频率,减少了负压电源上的噪声。
- 电源调节电路及存储器-201821778491.2
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-10-30 - 2019-05-07 - G11C5/14
- 本公开是关于一种电源调节电路及存储器,包括:频率控制模块、时钟模块和电荷泵;频率控制模块用于根据存储器的列地址命令时间间隔的配置值确定存储器的频率;时钟模块和所述频率控制模块连接,用于根据存储器的频率高低输出指定频率的时钟信号;电荷泵和所述时钟模块连接,所述时钟信号用于控制所述电荷泵对电源电压进行升压操作,输出触发电源。本公开实现了对电荷泵的工作频率的实时调节,提高了在存储器工作频率发生变化时触发电源的瞬态响应速度。并且根据存储器的工作频率实时调节电荷泵的工作频率减少了触发电源上的噪声。
- 电源调节电路及存储器-201821778493.1
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-10-30 - 2019-05-07 - G11C5/14
- 本公开是关于一种电源调节电路及存储器,包括:频率控制模块、时钟模块和电荷泵;频率控制模块用于根据存储器的列地址命令时间间隔的配置值确定存储器的频率;时钟模块和所述频率控制模块连接,用于根据存储器的频率高低输出指定频率的时钟信号;电荷泵和所述时钟模块连接,所述时钟信号用于控制所述电荷泵对电源电压进行降压操作,输出负压电源。本公开实现了对电荷泵的工作频率的实时调节,提高了在存储器工作频率发生变化时负压电源的瞬态响应速度。并且根据存储器的工作频率实时调节电荷泵的工作频率减少了负压电源上的噪声。
- 电源系统及半导体封装集合体-201821581736.2
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-27 - 2019-04-19 - G11C5/14
- 本公开的实施例提出一种电源系统及半导体封装集合体。该电源系统包括:内部电压产生电路,用于产生至少一个内部电压;芯片使能电路,用于根据所述至少一个内部电压生成芯片使能信号;其中,所述至少一个内部电压用于通过电源芯片互连结构提供给至少一个半导体芯片,所述芯片使能信号用于将所述至少一个内部电压同步输入至所述至少一个半导体芯片。
- 电源系统及半导体封装集合体-201821612292.4
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-27 - 2019-04-19 - G11C5/14
- 本公开的实施例提出一种电源系统及半导体封装集合体。该电源系统包括:内部电压产生电路,用于产生至少一个内部电压;其中,所述至少一个内部电压用于通过电源芯片互连结构提供给至少一个半导体芯片。
- 存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统-201821555195.6
- 陈阳权;汪永明 - 杭州青泓科技有限公司
- 2018-09-21 - 2019-04-16 - G11C5/14
- 本实用新型公开了一种存储芯片的欠压保护电路和嵌入式系统,其中,欠压保护电路的稳压模块的输入端与外部电源连接,其第一输出端与比较模块的第一输入端连接,其第二输出端接地,稳压模块的第一输出端输出的电压为基准电压;基准电压由比较模块的内部压降值和目标电压确定;比较模块的第二输入端与外部电源连接,其输出端与开关模块的控制端连接;开关模块的输入端与外部电源连接,其输出端与外部存储芯片的供电端连接;在比较模块的第二输入端输入的电源电压低于目标电压的时,比较模块的输出端输出关断信号,使开关模块关闭。本实用新型通过电路结构保护外部存储芯片中的正常的数据不被改写,避免后续单元发生数据读取错误导致的损失。
- 数据接收芯片-201510837617.3
- 孙宏全 - 上海兆芯集成电路有限公司
- 2015-11-26 - 2019-04-09 - G11C5/14
- 一种数据接收芯片,与外部存储器相耦接。该外部存储器具有第一输入输出管脚,用以输出第一数据。该数据接收芯片包括:比较模块,与该第一输入输出管脚以及第一操作电压相耦接,该比较模块用以接收该第一数据,并将该第一数据与第一参考电压作比较,用以识别该第一数据的值;以及电压产生模块,用以产生该第一参考电压,并包括:第一电阻;第二电阻,与该第一电阻串联,其中该第一电阻及该第二电阻对该第一操作电压进行分压,产生该第一参考电压的直流分量;第一电容;以及第二电容,与该第一电容相耦合,其中该第一电容及该第二电容对该第一操作电压进行分压,产生该第一参考电压的交流分量。
- 使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据-201580045594.0
- A.雷;S.纳尔逊;Z.S.关;R.H.莫特瓦尼 - 英特尔公司
- 2015-08-25 - 2019-04-09 - G11C5/14
- 提供了使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据的方法、系统和装置。在包括除了目标数据存储单元之外的数据存储单元和奇偶校验存储单元的存储单元中的每个中执行码字的解码操作以产生可靠性信息。响应于解码操作因为包括未能解码的除了目标数据存储单元之外的数据和/或奇偶校验存储单元的至少一个另外的失效存储单元而失败,获得所述至少一个另外的失效存储单元的数据部分的可靠性信息。从除了目标数据存储单元之外的存储单元获得的可靠性信息用于产生针对目标数据存储单元中的数据单元的经纠正的数据。
- 具有高可靠度的电源切换装置-201710035101.6
- 蔡侑霖;黄正达;林俊宏;黄玉萍 - 力旺电子股份有限公司
- 2017-01-17 - 2019-04-05 - G11C5/14
- 本发明公开了一种电源切换装置,包括第一位准移位电路、第一晶体管、第二晶体管、第二位准移位电路、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第六晶体管。第一晶体管耦接于第一位准移位电路。第二晶体管耦接于第二位准移位电路。第一晶体管用以产生输出电压。第五晶体管及第六晶体管组成电压选择器。第三晶体管及第四晶体管耦接于第二晶体管,用以控制电压选择器输出至第一位准移位电路及第二位准移位电路的驱动电压。电源切换装置中,输入至第一位准移位电路及第二位准移位电路的驱动电压在写入模式或是在读取模式下都能保持稳定。
- 动态存储器离线和电压定标-201810863491.0
- A.莫齐波 - 英特尔公司
- 2018-08-01 - 2019-03-05 - G11C5/14
- 本申请涉及动态存储器离线和电压定标。半导体封装装置的实施例可包括技术以基于运行时间存储器控制信号独立地将第一存储器功率节点引入在线和离线之一,并且基于运行时间存储器控制信号独立地将第二存储器功率节点引入在线和离线之一。公开并要求保护其它实施例。
- 用于嵌入式闪存装置的改进的通电次序-201580028428.X
- H.V.陈;T.武;A.李;H.Q.阮 - 硅存储技术公司
- 2015-05-03 - 2019-03-05 - G11C5/14
- 本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。
- 用于过电压事件保护的设备及方法-201480014787.5
- 詹姆斯·戴维斯;迈克尔·谢纳 - 美光科技公司
- 2014-02-27 - 2019-03-01 - G11C5/14
- 本发明揭示例如那些用于保护电路免受静电放电事件影响的电路、集成电路、设备及方法。一种实例设备包括晶闸管,其耦合到节点且经配置以限制电压且使与在所述节点处的过电压事件相关联的电流放电。所述过电压事件包含具有超过所述晶闸管的触发电压的量值的负电压。所述实例设备进一步包括晶体管,其耦合到所述晶闸管且经配置以调整所述触发电压的所述量值。
- 专利分类