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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于嵌入式闪存装置的改进的通电次序-CN201910151849.1有效
发明人： H.V.陈;T.武;A.李;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-05-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。
用于嵌入式闪存装置改进通电次序

[发明专利]物联网中基于规则的信息交换的方法和设备-CN201880032611.0有效
发明人： J.库尔玛拉;J.T.派尔托涅米;M.罗托嘉尔维;T.武;R.海蒂南;S.塞尼威尔塔 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：对于在例如IoTSP系统中的数据流业务，为网关提供数据流规则，所述数据流规则中的一个或多个是定义至少什么进入数据将被接受的接收规则，并且所述数据流规则中的一个或多个是定义至少什么数据要发送到在所述系统中充当网关的一个或多个其它计算装置的发布规则。一个或多个接收规则被应用到进入数据，并且一个或多个发布规则被应用到存储且处理的数据以便响应于在发布规则中的条件被满足而促使发送数据的一段或多段。
联网基于规则信息交换方法设备

[发明专利]全耗尽型绝缘体上硅闪存存储器设计-CN201680059275.X有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存存储器系统，其中一个或多个电路区块利用全耗尽型绝缘体上硅晶体管设计来使泄漏最小化。
耗尽绝缘体闪存存储器设计

[发明专利]具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路-CN201610844224.X有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种集成电路管芯具有用于接收第一电压的第一管芯焊盘和用于接收第二电压的第二管芯焊盘。第二电压小于第一电压。在第一电压下可操作的第一电路在集成电路管芯中。在第二电压下可操作的第二电路在集成电路管芯中并被连接到第二管芯焊盘。检测来自第二管芯焊盘的电流流动的电路在集成电路管芯中。在第一管芯焊盘与第一电路之间插入的开关响应于由用于检测电流流动的电路所检测的电流流动而将第一管芯焊盘从第一电路断开。
具有功率节省混合电压非易失性存储器集成电路

[发明专利]指甲灯-CN201580065817.X有效
发明人： D.瓦利亚;T.武;D.莫尔;Y-J.(E.)李;J.L.H.费雷尔;S.G.帕诺斯 -专利权人：露华浓消费品公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G21K5/08 文献下载
摘要：一种指甲灯，所述指甲灯被构造成将使用者指甲上的可光固化指甲产品固化。所述灯包括基部和具有分立光源的支撑部，分立光源各自可采用相同或不同的光波长分布发射，并且各自可连续地或者使用相同或不同的跳变函数而发射。所述灯还包括源反射器和环形反射器。不同的波长分布被构造成联合地使可光固化指甲产品固化。跳变函数被用于使指甲产品更高效地固化。源反射器和环形反射器是用于瞄准指甲的特定区域。空间被设置在基部与支撑部之间，并且其尺寸被设计成在其内容纳使用者的肢体的指甲从而使得使用者的指甲暴露于来自分立光源的光。
指甲

[发明专利]用于闪存存储器装置的非对称感测放大器及相关方法-CN201780032043.X有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2017-05-14 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明涉及用于闪存存储器装置中的读取操作的改进的感测放大器及相关方法。在一个实施方案中，所述感测放大器包括内置电压偏移。在另一个实施方案中，通过使用电容器在所述感测放大器中感生电压偏移。在另一个实施方案中，所述感测放大器为参考信号使用具有斜率的定时以增大相比参考单元从选择的单元汲取的电流检测“0”或“1”时的裕度。在另一个实施方案中，感测放大器在无任何电压偏移的情况下使用。
用于闪存存储器装置对称放大器相关方法

[发明专利]用于嵌入式闪存装置的改进的通电次序-CN201580028428.X有效
发明人： H.V.陈;T.武;A.李;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-05-03 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。
用于嵌入式闪存装置改进通电次序

[发明专利]经改进的闪存存储器单元和相关联的解码器-CN201780030389.6在审
发明人： H.V.陈;A.李;T.武 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2017-05-14 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及具有闪存存储器单元和解码器电路，该闪存存储器单元具有仅四个端子，该解码器电路用于操作此类闪存存储器单元的阵列。与现有技术相比，本发明允许每个闪存存储器单元的端子更少，这导致所述解码器电路和每个闪存存储器单元所需的总体管芯空间的简化。本发明还提供在所述四个端子中的一个或多个端子上使用高电压以允许读取、擦除和编程操作，尽管与现有技术的闪存存储器单元相比端子数量较少。
闪存存储器单元解码器电路读取解码器编程操作管芯空间高电压擦除关联改进

[发明专利]具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路-CN201510008451.4有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路。一种集成电路管芯具有用于接收第一电压的第一管芯焊盘和用于接收第二电压的第二管芯焊盘。第二电压小于第一电压。在第一电压下可操作的第一电路在集成电路管芯中。在第二电压下可操作的第二电路在集成电路管芯中并被连接到第二管芯焊盘。检测来自第二管芯焊盘的电流流动的电路在集成电路管芯中。在第一管芯焊盘与第一电路之间插入的开关响应于由用于检测电流流动的电路所检测的电流流动而将第一管芯焊盘从第一电路断开。
具有功率节省混合电压非易失性存储器集成电路

[发明专利]用在低功率纳米闪存装置中的改进的感测电路-CN201580011913.6有效
发明人： H.V.特兰;H.Q.阮;A.利;T.武 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：公开了用在低功率纳米闪存装置中的改进的感测电路。
功率纳米闪存装置中的改进电路

[发明专利]具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路-CN201280065657.5有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：一种集成电路管芯具有用于接收第一电压的第一管芯焊盘和用于接收第二电压的第二管芯焊盘。第二电压小于第一电压。在第一电压下可操作的第一电路在集成电路管芯中。在第二电压下可操作的第二电路在集成电路管芯中并被连接到第二管芯焊盘。检测来自第二管芯焊盘的电流流动的电路在集成电路管芯中。在第一管芯焊盘与第一电路之间插入的开关响应于由用于检测电流流动的电路所检测的电流流动而将第一管芯焊盘从第一电路断开。
具有功率节省混合电压非易失性存储器集成电路

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