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[发明专利]电平位移器-CN201710997126.4有效
发明人：吴尚锜;郑基廷;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
电平位移

[发明专利]集成电路以及调节电源电压的方法-CN202110126509.0有效
发明人：森阳纪;藤原英弘;张智皓;林洋绪;许育豪;陈炎辉;廖宏仁;郑基廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于调节电源电压的集成电路。在一个方面，集成电路包括金属轨，金属轨，包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点。在一个方面，集成电路包括耦合在金属轨的第一点和金属轨的第二点之间的电压调节器。在一个方面，电压调节器感测金属轨的第二点处的电压，根据在金属轨的第二点处感测的电压，调节金属轨的第一点处的电源电压。本发明的实施例还涉及一种调节电源电压的方法。
集成电路以及调节电源电压方法

[发明专利]时钟电路及其操作方法-CN201810843894.9有效
发明人：杨皓义;李政宏;杨振麟;郑基廷;吴福安;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：时钟电路包括第一锁存器，第二锁存器、第一触发器电路和时钟触发器电路。第一锁存器被配置为基于第一控制信号、使能信号和输出时钟信号生成第一锁存输出信号。第二锁存器连接至第一锁存器并且被配置为响应于第二控制信号生成输出时钟信号。第一触发器电路连接至第一锁存器和第二锁存器，并且被配置为响应于至少第一锁存输出信号或复位信号调整输出时钟信号。时钟触发器电路通过第一节点连接至第一锁存器和第一触发器电路，被配置为响应于输入时钟信号生成第一控制信号，并且被配置为基于至少第一控制信号控制第一锁存器和第一触发器电路。本发明的实施例还提供了一种操作时钟电路的方法。
时钟电路及其操作方法

[发明专利]写入辅助电路和将位线电压负升压的方法-CN201911062996.8有效
发明人：谢维哲;郑基廷;林洋绪;吴尚锜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
写入辅助电路将位线电压升压方法

[发明专利]静态随机存取存储器外围电路的布局-CN201910639634.4有效
发明人：林洋绪;田倩绮;郑基廷;李奇隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种静态随机存取存储器(SRAM)外围电路，包含设置在第一导电类型的第一阱区中的第一n型晶体管及第二n型晶体管，所述第一阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第一距离。所述静态随机存取存储器外围电路包含设置在第二导电类型的第二阱区中的第一p型晶体管及第二p型晶体管。所述第二阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第二距离。所述第二阱区设置成在行方向上邻近于第一阱区。
静态随机存取存储器外围电路布局

[发明专利]位线逻辑电路、存储器电路及其位线偏置方法-CN201811007574.6有效
发明人：吴尚锜;郑基廷;张琮永;林洋绪;马合木提·斯楠吉尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种存储器电路包括：电压节点；多个存储器单元；位线，与多个存储器单元耦合；以及开关电路，耦合在电压节点与位线之间。开关电路配置为响应于位线上的电压电平将电压节点与位线耦合。本发明的实施例还提供了位线逻辑电路和存储器电路的位线偏置方法。
逻辑电路存储器电路及其偏置方法

[发明专利]功率检测电路、系统以及方法-CN202110227719.9在审
发明人：郭家辰;郑基廷;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：提供了一种功率检测电路、系统以及方法。该功率检测电路包括比较电路，该比较电路用于响应于输入信号而产生输出信号。该输出信号配置为响应于输入信号达到第一阈值而从第一值改变为第二值。该输出信号配置为响应于输入信号随后达到第二阈值而从第二值变为第一值。限流电路连接至比较电路，并且可操作以限制比较电路的泄漏电流。
功率检测电路系统以及方法

[发明专利]存储装置及其写入驱动器和操作方法-CN201910293180.X有效
发明人：吴尚锜;李政宏;苏建国;郑基廷;许育豪;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。
存储装置及其写入驱动器操作方法

[发明专利]选择电路、可配置的存储器存储系统及其操作方法-CN201810689927.9有效
发明人：许育豪;李政宏;杨振麟;郑基廷;吴福安;廖宏仁;杨荣平;张琮永;詹伟闵;陈炎辉;林洋绪;林建呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路，及可配置的存储器存储系统的操作方法。
选择电路配置存储器存储系统及其操作方法

[发明专利]双轨存储器、存储器宏以及相关的混合供电方法-CN201710761821.0有效
发明人： 郑基廷;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种可在第一电压和第二电压下工作的双轨存储器。双轨存储器包括：存储器阵列，在第一电压下工作；字线驱动器电路，被配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压；数据路径，被配置为传输输入数据信号或输出数据信号，其中，数据路径包括用于将输入数据信号从第二电压转换至第一电压的第一电平转换器；以及控制电路，被配置为向存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径提供控制信号，其中，控制电路包括用于将输入控制信号从第二电压转换至第一电压的第二电平转换器；其中，数据路径和控制电路被配置为在第一电压和第二电压两者下工作。本发明的实施例还提供了一种存储器宏以及一种用于将双轨存储器配置为在第一电压和第二电压下工作的混合供电方法。
双轨存储器以及相关混合供电方法

[发明专利]静态随机存取存储器SRAM装置-CN201710674795.8有效
发明人：马姆特·辛纳格;郑基廷;廖宏仁;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。
静态随机存取存储器 sram 装置

[发明专利]低单元电压电荷共享电路-CN201911353772.2在审
发明人：林洋绪;郑基廷;谢维哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：电荷共享型低单元电压(LCV)写入辅助利用存储阵列的顶部上的未使用金属层来实施电容，而不产生面积成本。在每一写入操作的电荷共享阶段期间，对于给定的低单元电压电平，只需要一次性固定量的电荷支出。平行于位单元电源线的金属线在所有存储器密度配置当中对电荷共享具有良好的电容匹配，从而有利于存储器编译器设计。
单元电压电荷共享电路

[发明专利]存储器宏及其操作方法-CN201710182966.5有效
发明人：苏建国;李政宏;郑基廷;廖宏仁;张琮永;陈炎辉;潘卡伊·阿加沃尔;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储器宏及其操作方法。其中，存储器宏包含第一存储器单元阵列、第一跟踪电路及第一预充电电路。所述第一跟踪电路包含：第一组存储器单元，其响应于第一组控制信号而配置为第一组负载单元；第二组存储器单元，其响应于第二组控制信号而配置为第一组下拉单元；及第一跟踪位线，其耦合到所述第一组存储器单元及所述第二组存储器单元。所述第一组下拉单元及所述第一组负载单元经配置以跟踪所述第一存储器单元阵列的存储器单元。所述第一预充电电路耦合到所述第一跟踪位线，且经配置以响应于第三组控制信号而将所述第一跟踪位线充电到预充电电压电平。
存储器及其操作方法

[发明专利]写入辅助电路-CN201810345782.0有效
发明人：林洋绪;郑基廷;张琮永;吴尚锜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了写入辅助电路，包括：存储器适配锁存器以及存储器适配第三和第四NMOS晶体管。锁存器包括：存储器适配第一PMOS晶体管和存储器适配第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，第一节点选择性地连接至地电压；以及存储器适配第二PMOS晶体管和存储器适配第二NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第二节点之间，第二节点选择性地连接至地电压。第三NMOS晶体管，串联连接在第一节点与地电压之间；以及第四NMOS晶体管，串联连接在第二节点与地电压之间。第三和第四晶体管中的每一个的栅极均连接至锁存使能信号线，由此用于控制存储器适配锁存器。
写入辅助电路

[发明专利]具有电源检测器的双轨器件及其操作方法-CN201711056997.2有效
发明人：林洋绪;郑基廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种双轨器件，包括通过第一头控制开关耦合至第一电源的第一电源域电路和耦合至第二电源的第二电源域电路。第一电源和第二电源具有不同的稳态电压电平。第一电源域电路接口连接至第二电源域电路。该器件还包括电源检测器电路，用于响应于第二电源的电压电平，为第一头控制开关提供控制信号。本发明还提供了操作双轨器件的方法。
具有电源检测器双轨器件及其操作方法

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