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[发明专利]高速字线解码器和电平移位器-CN201680015459.6有效
发明人： C·郑;P-H·陈;D·李;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了包括将地址解码成多个经解码信号以用于从多个字线中选择要被断言的字线的行解码器的存储器。每一字线通过处理经解码信号的解码器电平移位器来驱动。每一解码器电平移位器对应于经解码信号的唯一性组合。行解码器处于逻辑功率域中，使得经解码信号被断言到逻辑供电电压。在解码器电平移位器的唯一性的经解码信号组合由行解码器断言时，解码器电平移位器用存储器功率域的存储器供电电压来驱动对应的字线。
高速解码器电平移位

[发明专利]用于BTI效应的存储器单元筛选-CN201780008220.0有效
发明人： C·郑;F·阿迈德;S·S·尹;K·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种存储器以及用于操作该存储器的方法。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。控制电路被配置成将工作电压提供给诸存储器单元和该字线驱动器。电压调整电路被配置成在控制电路将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器期间调整提供给诸存储器单元的工作电压。该方法包括将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至该至少一个存储器单元的字线，以及在将工作电压提供给该至少一个存储器单元和字线期间调整提供给该至少一个存储器单元的工作电压。
存储器单元工作电压提供字线驱动器存储器字线工作电压控制电路耦合配置电压调整电路输出字筛选

[发明专利]伪双端口存储器和用于操作该存储器的方法-CN201580043960.9有效
发明人： S·S·尹;T·C·Y·夸克;C·郑;N·德塞 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了存储器以及用于操作该存储器的方法。在一个方面，该存储器可以是PDP存储器。该存储器包括配置成响应于用于存取循环的时钟的边沿而生成第一时钟和第二时钟的控制电路。第一输入电路被配置成基于第一时钟来接收用于第一存储器访问的输入。第一输入电路包括锁存器。第二输入电路被配置成基于第二时钟来接收用于第二存储器访问的输入。第二输入电路包括触发器。
端口存储器

[发明专利]用于三态内容可寻址存储器(TCAM)的静态NAND单元-CN201380068595.8有效
发明人： E·特泽格鲁;N·德塞;R·瓦蒂孔达;C·郑;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：静态三态内容可寻址存储器(TCAM)包括耦合到中间匹配线的键单元和掩码单元。键单元耦合到第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。掩码单元耦合到第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联连接，而第一上拉晶体管和第二上拉晶体管串联连接。匹配线输出也耦合到第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并且进一步耦合到第一上拉晶体管和第二上拉晶体管。
用于三态内容寻址存储器 tcam 静态 nand 单元

[发明专利]存储器的读/写辅助-CN201480053221.3有效
发明人： C·古拉蒂;R·K·辛哈;R·查巴;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种集成电路包括一个或多个位单元、耦合到该一个或多个位单元的字线以及同该字线一起布置以在其间具有电容的哑字线。该电容提供了字线的电压推升或者降低以辅助读和写操作。
存储器辅助

[发明专利]具有增强安全性的掩模编程式只读存储器-CN201480042490.X有效
发明人： S·S·尹;C·郑;E·特泽格鲁;S·M·米轮多夫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：一种掩模编程式只读存储器(MROM)具有多个列线对，每一列线对具有位线和补位线。MROM包括多个存储器单元，该多个存储器单元对应于在列线对与多个字线之间的多个交叉。每一存储器单元包括高Vt晶体管和低Vt晶体管。
具有增强安全性掩模编程式只读存储器

[发明专利]使用稳健时钟控制方法以防止无意的读或写的可扫描存储器-CN201580049236.7有效
发明人： V·伯纳帕里;K·R·贝鲁尔;P·巴鲁;B·扎法;A·D·朴;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G11C29/32 文献下载
摘要：一种示例可扫描寄存器文件包括多个存储器单元，并且扫描测试的移位阶段将来自扫描输入的数据位移位通过该多个存储器单元到达扫描输出。移位可以通过在每一时钟循环上读取该多个存储器单元中的一个存储器单元以提供扫描输出并使用扫描输入上的数据位写入该多个存储器单元中的一个存储器单元来执行。为了在每一时钟循环上执行顺序读和写，可扫描寄存器可以生成写时钟，该写时钟在移位阶段期间从用于功能操作的时钟反相。写时钟被生成而不带毛刺，使得非预期写入不会发生。可扫描寄存器文件可以与集成电路中的其他模块的基于扫描的测试(例如，使用自动测试模式生成)集成在一起。
使用稳健时钟控制方法防止无意扫描存储器

[发明专利]N阱切换电路-CN201480004776.9有效
发明人： E·特泽格鲁;G·A·尤维戈哈拉;S·S·尹;B·加内桑;A·C·科塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：公开了一种双模PMOS晶体管，其具有第一操作模式，在该第一操作模式中，双模PMOS晶体管的开关n阱被偏置到高电压。双模PMOS晶体管具有第二操作模式，在该第二操作模式中，开关n阱被偏置到低于高电压的低电压。双模PMOS晶体管具有一大小和栅极氧化物厚度，该大小和栅极氧化物厚度各自具有不能容适至高电压的持久绑定的数值。n阱电压切换电路使开关n阱偏置以防止对双模PMOS晶体管的电压损坏，而不管其相对较小的大小和薄栅极氧化物厚度。
切换电路

[发明专利]具有多字线设计的存储器-CN201480046220.6有效
发明人： C·古拉蒂;R·K·辛哈;R·查巴;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：公开了用于具有多读字线设计的存储器的各种装置和方法。存储器可包括被安排在行中的多个位单元、连接到该多个位单元的第一子集的第一读字线、以及连接到该多个位单元的第二子集的第二读字线，其中该第一和第二子集位于相同的位单元行中。该方法可包括在第一读操作期间断言连接到安排在位单元行中的多个位单元的第一子集的第一读字线，以及在第二读操作期间断言连接到该多个位单元的第二子集的第二读字线，其中该第一和第二子集位于相同的位单元行中。
具有多字设计存储器

[发明专利]配置成在掉电事件期间保持在非编程状态的电路-CN201380023756.1有效
发明人： E·特泽格鲁;G·A·尤恩戈哈拉;M·H·萨尼;A·科塔;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：在一特定实施例中，一种装置包括配置为响应编程电压(308)的一次性可编程(OTP)存储器电路(324)。该OTP存储器电路包括含有OTP存储器单元的OTP存储器阵列(220)；第一电源开关(326)，配置为将该OTP存储器阵列(220)从编程电压(308)解耦；以及第二电源开关(328)，配置为将这些OTP存储器单元的一子集从编程电压(308)解耦。控制逻辑(216)控制电源开关(326，328)并被配置成使该OTP存储器阵列(220)在掉电事件期间保持在非编程状态。
配置掉电事件期间保持编程状态电路

[发明专利]混合三元内容可寻址存储器-CN201380062541.0在审
发明人： R·瓦蒂孔达;N·德塞;C·郑;S·S·尹;E·特泽格鲁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：混合三元内容可寻址存储器(TCAM)内的方法包括在第一TCAM级中将搜索字的第一部分与所存储的字的第一部分进行比较。该方法进一步包括将第一TCAM级的输出对接到第二TCAM级的输入。该方法还包括当搜索字的第一部分与所存储的字的第一部分相匹配时，在第二TCAM级中将搜索字的第二部分与所存储的字的第二部分进行比较。第一TCAM级不同于第二TCAM级。
混合三元内容寻址存储器

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