专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种可应用于磁电隧道结的新型字线脉冲写入方法-CN201780049564.6有效
  • 李豪哲 - 赢世通股份有限公司
  • 2017-06-28 - 2022-11-04 - G11C5/08
  • 本发明提出一种可用于磁电隧道结,利用字线脉冲写入技术的新型数据写入系统和方法。一种实施例是,一种可应用于磁电随机存储器(MeRAM)的电路设计方法,包括多个由电压控制的磁电隧道结(MEJ),其中每个磁电隧道结连接到晶体管的漏极组成一个MeRAM单元,每一个单元包括三个端口,分别连接到位线(BL),源极(SL)和至少一个字线(WL)。在一个MeRAM阵列中,其驱动电路包括位线驱动器,源极线驱动器和字线驱动器。驱动电路产生电压脉冲,施加于磁电隧道结上。驱动电路的输出和字线相连,字线又连接到每个MeRAM单元中存取晶体管的栅极,从而在磁电隧道结上产生方波电压脉冲。
  • 一种应用于磁电隧道新型脉冲写入方法
  • [发明专利]具有本地源极线的存储器阵列-CN201180061657.3有效
  • T·安德烈 - 艾沃思宾技术公司
  • 2011-12-20 - 2016-11-16 - G11C5/08
  • 提供一种存储器,其通过减小存储器阵列外部的电路可访问的位线和源极线的数量,简化了制造工艺和结构。存储器具有:包括多个存储器元件的第一和第二行组,其中每个存储器元件耦接到多个M根位线中的一根位线;第一和第二本地源极线以及第一和第二字线,其各自耦接到多个存储器元件中的每个;以及电路,该电路耦接到第一字线和第二字线并且被配置成选择第一和第二行组中的一个,并且该电路耦接到多个M根位线并且被配置成施加通过所选行组中的耦接到多个M根位线中的一根位线的存储器元件的大小为N的电流,其中所述施加是通过将大小小于N的电流施加到剩余M‑1根位线中的两根或更多根位线来实现的。
  • 具有本地源极线存储器阵列
  • [发明专利]磁性赛道存储器的阵列体系结构及操作-CN201080037630.6有效
  • J·K·德布罗斯 - 国际商业机器公司
  • 2010-08-04 - 2012-05-30 - G11C5/08
  • 一种包括磁性赛道存储器的高密度存储体系结构及操作方法。该体系结构包括多个磁性存储结构;与每个结构相关联的传感器;引发激活多个结构当中的单个结构以便进行位读取或位存储操作的轨道选择信号的第一解码器;施加第一信号以便在第一位置处形成与要存储在该结构中的值相关联的新存储磁畴的位驱动器;以及施加使每个形成的磁畴向该结构的第二位置前进的第二信号的第二解码器。传感器读取存储在该结构的第二位置处的磁畴处的位值。随后,形成与刚读取的值相关联的新磁畴,以便在读取操作结束时使该结构返回到它的原始状态。
  • 磁性赛道存储器阵列体系结构操作

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