[发明专利]三维(3D)扇出封装机制有效
申请号: | 201210576132.X | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103681606B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 林俊成;张进传;洪瑞斌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了三维(3D)扇出封装机制。形成半导体器件封装件的机制由于其相对简单的工艺流程而提供了低成本的制造工艺。通过形成具有能够将一个或多个管芯接合到封装结构下方的(一层或多层)再分配层的互连结构,大幅减少了整个封装件的翘曲。此外,在不使用模塑料的情况下形成互连结构,减少了颗粒污染。翘曲和颗粒污染的减少提高了成品率。而且,由于一个或多个管芯安装在封装结构和互连结构之间的间隔下方,所形成的半导体器件封装件具有低形状因数。 | ||
搜索关键词: | 互连结构 半导体器件封装件 封装结构 颗粒污染 翘曲 扇出 封装 三维 管芯安装 管芯接合 形状因数 再分配层 制造工艺 工艺流程 成品率 低成本 封装件 模塑料 多层 | ||
【主权项】:
一种半导体封装件,包括:互连结构,其中所述互连结构包括再分配层(RDL),所述互连结构包括一层或多层介电层,所述一层或多层介电层是易弯曲的以吸收在所述半导体封装中所涉及的接合工艺的应力;半导体管芯,通过多个第一接合结构接合到所述互连结构,其中所述互连结构的再分配层使得所述半导体管芯能够扇出连接;封装结构,通过多个第二接合结构接合到所述互连结构,其中所述半导体管芯放置在所述封装结构和所述互连结构之间的间隔中;以及模塑层,覆盖所述封装结构,充当底部填充物并填充所述间隔;其中,所述接合工艺包括所述多个第一接合结构和所述多个第二接合结构的接合工艺,其中,所述互连结构包括用于与所述半导体管芯形成第一接合结构的第一连接件,以及用于与所述封装结构形成第二接合结构的第二连接件,其中所述第一连接件的第一宽度小于所述第二连接件的第二宽度。
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