[发明专利]三维(3D)扇出封装机制有效
| 申请号： | 201210576132.X | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681606B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;张进传;洪瑞斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连结构 半导体器件封装件 封装结构 颗粒污染 翘曲 扇出 封装 三维 管芯安装 管芯接合 形状因数 再分配层 制造工艺 工艺流程 成品率 低成本 封装件 模塑料 多层 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
互连结构，其中所述互连结构包括再分配层(RDL)，所述互连结构包括一层或多层介电层，所述一层或多层介电层是易弯曲的以吸收在所述半导体封装中所涉及的接合工艺的应力；
半导体管芯，通过多个第一接合结构接合到所述互连结构，其中所述互连结构的再分配层使得所述半导体管芯能够扇出连接；
封装结构，通过多个第二接合结构接合到所述互连结构，其中所述半导体管芯放置在所述封装结构和所述互连结构之间的间隔中；以及
模塑层，覆盖所述封装结构，充当底部填充物并填充所述间隔；
其中，所述接合工艺包括所述多个第一接合结构和所述多个第二接合结构的接合工艺，
其中，所述互连结构包括用于与所述半导体管芯形成第一接合结构的第一连接件，以及用于与所述封装结构形成第二接合结构的第二连接件，其中所述第一连接件的第一宽度小于所述第二连接件的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构包括被所述一层或多层介电层围绕的导电结构。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述一层或多层介电层由感光聚合物形成。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构的厚度等于或小于30μm。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，被模塑层覆盖的所述互连结构和所述封装结构的总厚度介于350μm至1050μm的范围内。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述封装结构面向所述互连结构的第二表面的第一表面和所述第二表面之间的距离介于100μm至400μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，多个连接元件与位于与所述半导体管芯和所述封装结构相对的表面上的互连结构接合。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：
邻近所述半导体管芯的另一半导体管芯，其中另一半导体管芯与所述互连结构接合并且放置在所述封装结构和所述互连结构之间的间隔中。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述封装结构包括两个或更多个半导体管芯。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接件和所述第二连接件都包括阻挡层。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接件和所述第二连接件都包括导电层。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一宽度介于20μm至100μm的范围内。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二宽度介于100μm至400μm的范围内。
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