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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种扇出型封装结构及其制备方法-CN202080104737.1在审
发明人：靖向萌;郭茂;耿玉洁;姜青青;洪瑞斌;赵南 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种扇出型封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，用于解决填充在第一芯片周围的封装层断裂的问题以及重新布线层脱层、断裂的问题。该扇出型封装结构包括重新布线层、第一芯片、第一连接件、第一支撑层以及封装层。所述第一芯片通过所述第一连接件与所述重新布线层电连接。第一支撑层设置在所述第一芯片与所述重新布线层之间，且与所述重新布线层接触。封装层填充于所述第一芯片周围，所述封装层包裹所述第一芯片、所述第一连接件以及所述第一支撑层。
一种扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201710450368.1有效
发明人： 洪瑞斌;许峰诚;陈硕懋;郑心圃;廖德堆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体封装结构及其制造方法。一种半导体封装结构包含重布层RDL、芯片、多个互连凸块及囊封物。所述重布层具有彼此相对的第一表面及第二表面。所述芯片在多个接点垫面对所述第一表面的情况下放置在所述重布层上方且电连接到所述重布层。所述互连凸块放置在所述第一表面上方且电连接到所述重布层。所述囊封物放置在所述重布层的所述第一表面上方，且所述囊封物封围所述芯片并环绕所述互连凸块的侧向壁。本揭露提供的半导体封装结构及其制造方法能够使半导体封装结构的总体厚度减小。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]制造半导体封装的方法-CN201710384201.X有效
发明人：郑心圃;洪瑞斌;许峰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本揭露提供一种制造半导体封装的方法。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成互连层；在所述互连层上方形成多个导电垫；在所述互连层上方形成导电柱；将第一半导体裸片放置于所述导电垫上方，所述半导体裸片与所述导电柱间隔开；及将第二半导体裸片与所述导电柱接合。
制造半导体封装方法

[发明专利]三层叠层封装结构及其形成方法-CN201710286638.X有效
发明人： 洪瑞斌;许峰诚;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种方法，其包含：形成多个第一重布线，在多个第一重布线的上方形成与其电连接的第一金属柱，并将第一器件管芯接合到多个第一重布线上。将第一金属柱和第一器件管芯密封在第一密封材料中。然后平坦化第一密封材料。方法还包含：在第一金属柱上方形成与其电连接的第二金属柱，通过粘合膜将第二器件管芯附接到第一密封材料，将第二金属柱和第二器件管芯密封在第二密封材料中，平坦化第二密封材料，并在第二金属柱和第二器件管芯的上方形成与其电连接的多个第二重布线。本发明实施例涉及三层叠层封装结构及其形成方法。
层叠封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN202110191914.0在审
发明人：许峰诚;洪瑞斌;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了半导体封装件，包括具有有源表面的第一半导体管芯层、电连接至有源表面的导电接触件，导电接触件的侧壁由绝缘层围绕，以及连接至导电接触件的焊料凸块。晶种层位于导电接触件的侧壁和绝缘层之间。本发明提供了用于制造半导体封装件的方法，该方法包括提供载体，在载体上方形成绝缘层，将载体从绝缘层脱粘并且通过蚀刻操作从绝缘层暴露导电接触件。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]用于防止薄晶圆破裂的结构和方法-CN202010897477.X在审
发明人：林士庭;林俊成;卢思维;洪瑞斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。将诸如集成电路管芯的器件安装在诸如另一管芯、封装衬底、内插器等的衬底上，并且沿着划线在衬底中形成凹槽。在凹槽中以及在邻近的管芯之间形成一个或多个模塑料层。可以实施背侧减薄工艺以暴露凹槽中的模塑料。在凹槽中的模塑料层中实施分割工艺。在实施例中，在凹槽中形成第一模塑料层，并且在第一模塑料层上方以及在邻近的管芯之间形成第二模塑料。可以在形成凹槽之前或之后，将器件放置在衬底上。本发明涉及用于防止薄晶圆破裂的结构和方法。
用于防止薄晶圆破裂结构方法

[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法-CN201610080185.0有效
发明人： 洪瑞斌;黄震麟;刘献文;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：提供了芯片封装件的结构和形成方法。芯片封装件包括半导体管芯和部分或全部地包封半导体管芯的封装层。芯片封装件也包括穿透封装层的导电部件。芯片封装件还包括界面层，该界面层连续地围绕导电部件。界面层位于导电部件和封装层之间，并且界面层由金属氧化物材料制成。
用于芯片封装结构形成方法

[发明专利]半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法-CN201710073870.5有效
发明人：许峰诚;陈硕懋;洪瑞斌;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法。其中，该半导体装置封装包含第一裸片、第二裸片以及沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸的模塑料。所述封装进一步包含横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘的重布层RDL。所述RDL包含电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，且所述I/O接点暴露于大体上垂直于与所述RDL相对的所述模塑料的表面的所述装置封装的侧壁处。
半导体装置封装以及及其制造方法

[发明专利]三维集成电路的制造方法-CN201510438514.X有效
发明人：林俊成;吴文进;施应庆;洪瑞斌;卢思维;郑心圃;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种制造三维集成电路的方法，包括：提供晶圆叠层，其中，将多个半导体管芯安装在第一半导体管芯上方；将模塑料层形成在第一半导体管芯的第一面上方，其中，将多个半导体管芯内嵌在模塑料层中。方法进一步包括：研磨第一半导体管芯的第二面直到暴露多个通孔；将晶圆附接至带框并切割晶圆叠层，从而将晶圆叠层分成多个独立封装件。
三维集成电路制造方法

[发明专利]三维集成电路的制造方法-CN201510438633.5有效
发明人：林俊成;吴文进;施应庆;洪瑞斌;卢思维;郑心圃;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种制造三维集成电路的方法，包括：提供晶圆叠层，其中，将多个半导体管芯安装在第一半导体管芯上方；将模塑料层形成在第一半导体管芯的第一面上方，其中，将多个半导体管芯内嵌在模塑料层中。方法进一步包括：研磨第一半导体管芯的第二面直到暴露多个通孔；将晶圆附接至带框并切割晶圆叠层，从而将晶圆叠层分成多个独立封装件。
三维集成电路制造方法

[发明专利]封装件上芯片结构和方法-CN201410106015.6有效
发明人：余振华;叶德强;余国宠;洪瑞斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至少一个第三管芯连接至第一管芯或第二管芯。第二封装件在至少一个第三管芯上方连接到第一封装件。本发明还提供了封装件上芯片结构和方法。
封装芯片结构方法

[发明专利]三维(3D)扇出封装机制-CN201210576132.X有效
发明人：林俊成;张进传;洪瑞斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了三维(3D)扇出封装机制。形成半导体器件封装件的机制由于其相对简单的工艺流程而提供了低成本的制造工艺。通过形成具有能够将一个或多个管芯接合到封装结构下方的(一层或多层)再分配层的互连结构，大幅减少了整个封装件的翘曲。此外，在不使用模塑料的情况下形成互连结构，减少了颗粒污染。翘曲和颗粒污染的减少提高了成品率。而且，由于一个或多个管芯安装在封装结构和互连结构之间的间隔下方，所形成的半导体器件封装件具有低形状因数。
互连结构半导体器件封装件封装结构颗粒污染翘曲扇出封装三维管芯安装管芯接合形状因数再分配层制造工艺工艺流程成品率低成本封装件模塑料多层

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410385267.7有效
发明人：郑礼辉;蔡柏豪;洪瑞斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括管芯、设置为邻近管芯的导电柱以及包围导电柱和管芯的模塑件，模塑件包括从导电柱的侧壁凸出并且设置在导电柱的顶面上的凸部。另外，一种制造半导体器件的方法包括设置管芯，邻近管芯设置导电柱，在导电柱和管芯上方设置模塑件，从模塑件的顶部去除部分模塑件以及在导电柱的顶面之上形成模塑件的凹部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201710416694.0在审
发明人：许峰诚;洪瑞斌;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了半导体封装件，包括具有有源表面的第一半导体管芯层、电连接至有源表面的导电接触件，导电接触件的侧壁由绝缘层围绕，以及连接至导电接触件的焊料凸块。晶种层位于导电接触件的侧壁和绝缘层之间。本发明提供了用于制造半导体封装件的方法，该方法包括提供载体，在载体上方形成绝缘层，将载体从绝缘层脱粘并且通过蚀刻操作从绝缘层暴露导电接触件。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装和其制造方法-CN201710435760.9在审
发明人： 洪瑞斌;许峰诚;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本揭露涉及半导体封装和其制造方法。本揭露提供一种半导体封装，其包含第一层、第二层和导电阵列。所述第一层包含具有载体表面和模制表面的封装裸片，和接近于所述载体表面的第一裸片结构。所述第一裸片结构的有源区经由焊料电耦合到所述封装裸片。所述第二层包含第二裸片结构，所述第二裸片结构通过第一重布层RDL连接到所述第一裸片结构的所述有源区。所述导电阵列通过第二RDL连接到所述第二裸片结构的有源区。本揭露也提供一种用于制造所述前述半导体封装的方法。
半导体封装制造方法

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