[发明专利]一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201210563894.6 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103050600A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张威;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法，属于半导体领域。芯片：衬底层、N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在N型层和P型层上引出的N电极和P电极，芯片还包括覆盖在衬底层的底面和/或透明导电层的上表面的透明介质层；覆盖在衬底层的底面的透明介质层的折射率高于衬底层的折射率；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层的折射率高于透明导电层的折射率；覆盖在衬底层的底面的透明介质层包括若干从衬底层的底面延伸出的凸起；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从透明导电层的上表面延伸出的凸起。本发明提高了LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在所述N型层和所述P型层上引出的N电极和P电极，其特征在于，所述芯片还包括覆盖在所述衬底层的底面和/或所述透明导电层的上表面的透明介质层，覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层的折射率高于所述衬底层的折射率，覆盖在所述透明导电层的上表面的所述透明介质层的折射率高于所述透明导电层的折射率；所述覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层包括若干从所述衬底层的底面延伸出的凸起，所述覆盖在所述透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从所述透明导电层的上表面延伸出的凸起。
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- 王晓靁;刘家桓;宋高梅 - 王晓靁
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- 本发明公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10‑6℃‑1。本发明还公开了制备方法以及其制作组件。本发明可获得高质量GaN单晶基板，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本大大降低，有利于市场推广应用。
- LED芯片及其制备方法-201711385756.2
- 刘珊珊;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣 - 大连德豪光电科技有限公司
- 2017-12-20 - 2019-06-28 - H01L33/44
- 本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。包括如下步骤：提供LED芯片主体；采用物理气相沉积方式在芯片主体表面形成金属层；对沉积金属层后的芯片主体进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。所制备得到的LED芯片包括芯片主体以及形成在芯片主体表面上的结晶态金属氧化物薄膜保护层。结晶态金属氧化物薄膜保护层能够为LED芯片提供更好的隔绝水汽的能力。而且，在退火过程中，金属原子会部分的扩散至氧化铟锡层中，增加氧化铟锡层的自由电子数目，从而可以提高电流扩展层的电流扩展能力，降低LED芯片的工作电压，提高LED芯片的光电转化效率。
- 一种半导体元件-201711112481.5
- 陈功;刘传桂;陈亭玉;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 - 厦门市三安光电科技有限公司
- 2017-11-13 - 2019-06-25 - H01L33/44
- 本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。
- LED高压芯片-201822059886.3
- 宋林青;廖汉忠;刘珊珊;李士涛;赵洋;丁逸圣;陈顺利;孙日敏 - 大连德豪光电科技有限公司
- 2018-12-07 - 2019-06-25 - H01L33/44
- 本实用新型涉及一种LED高压芯片，包括衬底、多个设置于衬底上的发光半导体单元、以及导电连接层，多个发光半导体单元通过隔离槽隔离，隔离槽包括第一槽体和第二槽体，其中，第一槽体包括相对设置的第一侧壁a和第一侧壁b，第一侧壁a与衬底之间的倾斜角设为α1，第一侧壁b与衬底之间的倾斜角设为α2，α1和α2均为20°～50°；第二槽体包括相对设置的第二侧壁a和第二侧壁b，第二侧壁a与衬底之间的倾斜角设为β1，第二侧壁b与衬底之间的倾斜角设为β2，β1和β2均为60°～90°，导电连接层沿第一槽体的侧壁延伸并串联相邻的发光半导体单元。该LED高压芯片的发光面积增大10％～30％，亮度提升5％左右，而且导电连接层批覆性能好，可靠性高。
- 一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器-201710124799.9
- 冯翔;刘莎;杨瑞智;孙晓;邱云 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
- 2017-03-03 - 2019-06-21 - H01L33/44
- 一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层，且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧；自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶，而且石墨烯是导电材料，硬度和柔韧性都比较好，既可以做基底，又可以做电极，还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺；另一方面采用自组装单分子层与石墨烯层以化学键形式连接，从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。
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