“蔡吉明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果117个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管-CN202310858343.0在审
发明人：黄秀丽;王月娇;于艳玲;吴佳楠;张中英;蔡吉明;黄少华 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管，该发光二极管包括外延结构、反射结构、连接电极、中间电极以及焊盘电极。其中，连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，中间电极包括第一中间电极和第二中间电极，焊盘电极包括第一焊盘和第二焊盘。本申请通过在第一连接电极与第一焊盘之间设置第一中间电极，以及在第二连接电极与第二焊盘之间设置第二中间电极，利用中间电极提高焊盘电极与外部电极进行热压焊固晶过程中的稳定性，有效降低了现有技术中发光二极管在热压焊固晶过程中金锡合金与连接电极合金化导致发光二极管失效的风险。
发光二极管

[发明专利]发光二极管、LED芯粒及发光装置-CN202310879904.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;张中英;蔡吉明;黄少华;贺春兰;潘子燕 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管、LED芯粒及发光装置，发光二极管包括：衬底；形成于衬底正面上外延层，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；覆盖于外延层上方的保护层，其中，外延层被分割为若干芯粒，芯粒包括在横向和纵向上相交的横向侧壁和纵向侧壁，相邻芯粒之间形成切割道，切割道包括分别沿横向和纵向延伸的横向切割道和纵向切割道，保护层覆盖切割道和芯粒侧壁，横向切割道和纵向切割道的交叉区域的保护层设置有图形化结构，图形化结构包括向衬底延伸的凹槽。凹槽将裂片刀交点产生的裂纹限制在图形化结构内部，降低了裂片刀与保护层重复接触产生应力开裂的概率，并有效阻止裂纹延伸，避免切割的崩边崩角现象，确保了元件质量。
发光二极管 led 发光装置

[发明专利]发光元件及发光装置-CN202310952815.9在审
发明人：黄秀丽;于艳玲;王月娇;黄少华;蔡吉明;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别是提供一种发光元件及发光装置。发光元件包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面；连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面；第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。
发光元件装置

[发明专利]发光装置及发光元件-CN202310680595.9在审
发明人：朱秀山;陈吉;李燕;荆琪;张中英;蔡吉明;卢志龙 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括：发光元件和波长转换层，所述发光元件发出的第一波长的光经所述波长转换层转换成第二波长的光和第三波长的光；其中，所述发光元件包括第一接触层，所述第一接触层对第三波长的反射率大于85%，从而可以增加经过波长转换层转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。
发光装置元件

[发明专利]氮化物发光二极管及发光装置-CN202310752116.X在审
发明人：李家安;李君杰;戴志祥;黄文宾;朱振强;蔡吉明;李政鸿;林兓兓;黄少华 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及氮化物发光二极管及发光装置，所述氮化物发光二极管至少包括：外延结构，包括n个外延层（n≥2），各外延层均包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层至少包括InGaN阱层，各外延层中有源层的InGaN阱层具有不同In组分含量，使得各外延层激发后辐射不同的出光波长；隧穿层，位于相邻的两个外延层之间；电极结构，位于所述外延结构上，且与外延结构之间形成电连接。本发明的氮化物发光二极管具有较小的尺寸面积，且能实现控制单个发光二极管即可获得不同颜色的出光源。
氮化物发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管-CN202310776650.4在审
发明人：朱秀山;包志豪;李燕;荆琪;李俊贤;蔡吉明;凃如钦;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供了发光二极管，该发光二极管包括外延结构、第一绝缘层、第一连接电极和第二连接电极，外延结构又包括第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一连接电极通过贯穿第一绝缘层与第一半导体层电连接。其中，第一绝缘层内还设有金属缓冲层，金属缓冲层至少位于第一连接电极与第二半导体层之间。本申请通过利用设置在第一绝缘层内的金属缓冲层，有效阻断了第一绝缘层内裂纹或孔洞等缺陷在竖直方向的扩展，使第一连接电极与第二半导体层之间的保持电绝缘，避免了现有技术中第一绝缘层破损直接导致的第一连接电极与第二半导体层出现电连接的情况发生，降低发光二极管局部短路现象的发生率。
发光二极管

[实用新型]一种紫外发光元件及发光装置-CN202320146128.3有效
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;卓佳利;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光元件及发光装置。紫外发光元件包括半导体叠层、第一接触电极、第二接触电极；半导体叠层包括依次层叠的第一类半导体层、发光层和第二类半导体层以及暴露出第一类半导体层部分表面的台面；第一接触电极形成在台面上且电连接第一类半导体层；其中，第一接触电极至少包括环状电极和指状电极，环状电极围绕所述台面的外周区域设置，指状电极由环状电极向台面的内部区域延伸，指状电极包括第一凸起电极和第二凸起电极。通过上述对第一接触电极的形状结构进行改进，从而有效降低操作电压，优化电流扩展的均匀性，提升紫外发光元件的发光亮度。
一种紫外发光元件装置

[发明专利]一种半导体激光器-CN202310627562.8在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;张中英;蔡吉明 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底、外延结构和第一阻挡层，外延结构包括自下而上层叠设置的第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二限制层。其中，第二限制层和部分第二波导层被设置为沿远离衬底的方向竖直延伸的凸起，以形成脊形部，并在脊形部两侧的第二波导层上形成台阶区。通过将脊形部的底端设置在第二波导层上，以在半导体激光器正向导通时减小载流子向有源区内的注入时的注入面积，提高载流子的注入效率。同时，将第二阻挡层设置在台阶区及脊形部的侧壁上，可以有效阻止部分载流子向脊形部的两侧扩散而导致的漏电，或自脊形部的两侧注入有源区，进一步提高载流子的注入效率，达到提高半导体激光器输出功率的目的。
一种半导体激光器

[发明专利]一种发光二极管芯片及发光装置-CN202310717083.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;贺春兰;张中英;蔡吉明;黄少华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管芯片及发光装置，电流阻挡层包括第一部分和第二部分，电流扩展层具有第一开口，第一部分位于所述电流扩展层的所述第一开口内。第一部分与所述电流扩展层之间具有第一间隙；第一部分与第二部分之间具有第二间隙；电极结构覆盖第一部分，并且通过第一间隙接触半导体发光序列堆叠层的上表面；至少部分扩展条形成在电流阻挡层的第二部分之上和电流扩展层之上；电流扩展层的第一开口的部分边缘位于电流阻挡层的第二部分之上。上述设置增加了电极焊盘的附着力，提高打线能力。还可以通过调控第一间隙与第二间隙的大小关系，避免电流直接注入到半导体叠层，提升发光二极管芯片的电流扩展能力和可靠性。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202211694028.0在审
发明人：朱秀山;刘小亮;李燕;荆琪;李俊贤;蔡吉明;凃如钦;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管，包括：半导体叠层；第一绝缘层，所述第一绝缘层具有一系列第一开口部；连接电极，形成于所述金属层之上，包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极环绕于所述第二连接电极，所述第一连接电极与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极与所述金属层电连接，所述第一连接电极具有靠近发光二极管边缘的外边缘与靠近第二连接电极的内边缘；焊盘电极，形成于所述连接电极之上，包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一连接电极电连接，所述第二焊盘与所述第二连接电极电连接；其中，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第一连接电极的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006115.4在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾炜竣;黄少华;蔡吉明;张中英;林素慧;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔是自第二半导体层向下延伸至第一半导体层，各通孔裸露出第一半导体层的部分表面；其中，发光二极管具有额定电流，通孔具有第一半径，第一半径与额定电流的比值范围为0.1～0.4。借此，增强载子传导能力，使得局域电流密度的均等化，避免集中区电流带来的热效应，发光层烧出熔洞或烧穿，避免直下的电损伤，直接击穿PN结，进而提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202310307788.X在审
发明人：蓝永凌;卓佳利;蔡吉明;张中英;李志明 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、超晶格结构层、有源层以及第二半导体层结构，有源层为多重量子阱结构，第二半导体层结构为P型掺杂层，P型掺杂物扩散至所述有源层及所述超晶格结构层，P型掺杂物在有源层中形成一骤降区及一缓降，并且P型掺杂物在有源层及超晶格结构层中的扩散深度不大于500nm。Mg原子扩散浓度的最大值出现在距离有源层表面20nm～35nm的范围内。通过控制Mg原子的扩散深度以及扩散浓度的变化，可以有效降低Mg原子对MQW的影响，提高MQW的质量，进而提高有源层中电子空穴的复合效率，提高外延层的内部量子效率，实现发光二极管的高发光效率。
半导体发光元件装置

[发明专利]发光装置及发光元件-CN202211108404.3有效
发明人：朱秀山;陈吉;李燕;荆琪;张中英;蔡吉明;卢志龙 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括：发光元件和波长转换层，所述发光元件发出的第一波长的光经所述波长转换层转换成第二波长的光和第三波长的光；其中，所述发光元件包括第一接触层，所述第一接触层对第三波长的反射率大于85%，从而可以增加经过波长转换层转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。
发光装置元件

[发明专利]发光装置-CN202310352322.1在审
发明人：何安和;刘鹏;曾明俊;黄少华;蔡吉明;张中英;林科闯 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光装置，其包括基板、至少二个发光结构、绝缘层、第二电极、反射结构和垂直电互连结构，至少二个发光结构间隔设置在基板的上表面上，各发光结构包括外延结构和第一电极，外延结构包括在基板上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极连接第一半导体层，绝缘层覆盖基板和发光结构，并于各发光结构的上表面形成开口，第二电极覆盖绝缘层，并通过绝缘层的开口电连接第二半导体层，反射结构设置在相邻二个发光结构之间，垂直电互连结构连接第一电极和基板。借此，可以有效避免光串扰现象的发生，提升发光装置的发光性能。
发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211574380.0在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾明俊;蔡吉明;张中英;黄少华;江宾 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔自第二半导体层向下延伸至第一半导体层；从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，以半导体叠层的中心为原点建立xy坐标系，向x轴两侧偏移第一距离和向y轴两侧偏移第二距离围成第一图形，向x轴两侧偏移第三距离和向y轴两侧偏移第四距离围成第二图形，位于第一图形内的通孔间的第一间距大于位于第一图形和第二图形间的通孔间的第二间距。借此增强载子传导能力，使得局域电流密度均等化，避免集中区电流带来的热效应，避免直下的电损伤击穿PN结，提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 117 条