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[实用新型]一种发光二极管-CN201922016301.4有效
发明人：桂亮亮;刘传桂;黄照明;蔡家豪;汪琴;汪玉;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种发光二极管，至少包括依次层叠的衬底、第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、保护层以及分别与第一类型半导体层和第二类型半导体层电性连接的第一电极和第二电极，其特征在于：所述保护层表面设置疏水层。本实用新型在保护层表面设置疏水层，减少水汽在LED表面的粘附，从而改善因水汽而导致的死灯及金属迁移异常。
一种发光二极管

[发明专利]一种半导体元件-CN201711112481.5有效
发明人：陈功;刘传桂;陈亭玉;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。
颗粒状污染物半导体叠层半导体元件气态污染物电极表面吸附能力电极污染物吸附吸附材料层电极形成

[发明专利]复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法-CN201610698678.0有效
发明人：陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏;刘传桂 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整。其形成的复合图形化蓝宝石衬底，有效地增加了图案表面积，使得反光区域增大，出光效率增高。同时底部C面区域平整，减小了外延生长的难度，外延生长表面外观较好，减少了外延层的内部缺陷，从而降低蓝宝石衬底上外延材料的穿透位错密度，提升外延层质量，有利于半导体元件的光提取。
复合图形蓝宝石衬底及其外延制作方法

[发明专利]一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法-CN201510488363.9有效
发明人：彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，通过先去除倒装发光二极管的蓝宝石衬底，再黏附于保护膜上，藉由溅镀技术在倒装发光二极管的微结构之上形成一Al₂O₃薄层，制得超薄LED芯片，从而大大降低热阻，并可降低整体LED封装体大小及封装成本；此外，薄膜发光二极管可实现无金线互联，提高封装可靠性，降低封装成本；再者，由于去除了较厚的蓝宝石衬底，减少了光线在蓝宝石衬底内的损失，更加有利于光提取率。
一种薄膜氮化发光二极管制备方法

[实用新型]一种用于LED光源的芯片及用其制备的LED光源-CN201820379726.4有效
发明人：陈亭玉;陈大钟;刘传桂;王锋;洪灵愿;曾合加;林素慧;林科闯;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于LED光源的芯片及用其制备的LED光源，包括：至少一串的LED芯片单元，所述LED芯片单元包括：基板和发光外延层，所述LED芯片单元分为若干个LED子芯片单元，其特征在于：所述基板厚度≥200μm。
基板制备芯片本实用新型发光外延层子芯片

[发明专利]一种低pH孵育病毒灭活的验证方法-CN201810083302.8在审
发明人：袁冰;李姣;丛娜;刘传桂 -专利权人：武汉珈创生物技术股份有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C12N7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低pH孵育灭活病毒的验证方法，选择指示病毒及其对应的宿主细胞；指示病毒扩增和纯化；病毒工作原液和样品的滴度测定；灭活病毒验证实验pH值的优化；低pH值孵育灭活病毒效果评估。本发明所提供的方法，能实现实验室摸拟基因工程药物生产工艺病毒灭活的全过程，优化了指示病毒的扩增、纯化工艺，使指示病毒工作原液滴度提高，pH值统一到7.0，质量稳定而益于后续操作，同时优化了低pH孵育的具体技术细节(如最优孵育pH值的确定，pH调节方式的优化等)，提高对常见的DNA病毒、RNA病毒、有包膜病毒和无包膜病毒灭活的有效性和实效性。
孵育灭活病毒指示病毒病毒灭活验证优化滴度扩增原液病毒基因工程药物无包膜病毒包膜病毒后续操作技术细节宿主细胞效果评估选择指示质量稳定灭活生产工艺统一

[发明专利]氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法-CN201510335626.2有效
发明人：陈功;林素慧;张家宏;彭康伟;许圣贤;刘传桂;林潇雄 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，通过在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，增加激光能量，调整激光频率，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，有效地排出激光隐形切割后留下的烧痕、碎屑等副产物，减少副产物的光吸收，增加发光二极管的侧壁出光，提升出光效率；此外，由于衬底与孔洞折射率不同，同时激光划痕类似将LED芯片侧面粗化，增大了光取出的角度，从而达到增加轴向光的目的，如此提高了LED芯片的整体发光效率。
衬底氮化镓基发光二极管芯片隐形切割副产物制备激光发光二极管孔洞折射率侧壁出光衬底背面出光效率发光效率激光划痕激光能量激光频率孔洞贯穿光取出光吸收位置处有效地粗化排出烧痕烧蚀碎屑轴向聚焦侧面

[实用新型]一种发光二极管结构-CN201420755635.8有效
发明人：彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种发光二极管结构，通过N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构，从而增加发光面积，改变全反射临界角，减少了发生全反射现象，以达到提升发光二极管的光萃取效率；通过在表面粗糙的凹槽结构上形成N电极，可以增加电极与凹槽结构的接触面积，从而增加电极粘附性，提高发光二极管的可靠性。
一种发光二极管结构

[实用新型]空间柔性铰链的装配结构-CN201320838495.6有效
发明人：潘效龙;吴从焰;张晓峰;刘传桂;邓淇尹;沈健 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： F16C11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了空间柔性铰链的装配结构，所述空间柔性铰链为由2个环形凹槽分隔为3段等直径的实心圆柱体，实心圆柱体的两端为安装段，安装段端头为半球体；还包括安装座、压块、压板和螺栓；安装座设有底部为半圆柱面的条形安装槽，空间柔性铰链两端的安装段置于安装槽内且侧面与安装槽半圆柱面贴合，压块为与条形安装槽相适配的条形块，压块内端为与安装段圆柱体半径相适配的半圆形凹槽；压块嵌入安装槽压住空间柔性铰链的安装段侧面，压块的外端高出安装座平面；压板在安装座外侧压住压块的外端，螺栓穿过压板和安装座后通过螺母将空间柔性铰链的安装段、压块、压板和安装座连接在一起。本实用新型结构简单、紧凑，安装精度高，拆装方便。
空间柔性铰链装配结构

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201210558990.1有效
发明人：尹灵峰;林素慧;郑建森;洪灵愿;刘传桂;欧毅德;陈功 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明导电层的发光二极管及其制作方法，其发光二极管，包括：衬底；发光外延层，由从下至上依次为第一限制层、发光层和第二限制层的半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；电流阻挡层，形成于所述发光外延层的局部区域之上；透明导电结构，形成于所述电流阻挡层之上并延伸至所述发光外延层的表面，划分为出光区和非出光区，其中非出光区与电流阻挡层对应，其厚度大于出光区的厚度，使得该结构与发光外延层形成良好的欧姆接触且减少对光的吸收；P电极，形成于透明导电结构的非出光区之上。该结构可以保证电流扩展性，降低工作电压且减少对光的吸收。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201210443395.3有效
发明人：尹灵峰;林素慧;郑建森;刘传桂;欧毅德;王庆 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种具有交替附着层电极的发光二极管及其制作方法。其发光二极管，包括：衬底；发光外延层，由半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；第一电流扩展层，形成于所述发光外延层之上；第二电流扩展层与第一金属隔离层交替的附着层，形成于第一电流扩展层之上，由三大结构层组成；第二金属隔离层，形成于第二电流扩展层与金属隔离层交替沉积的附着层之上；金属电极层，形成于第二金属隔离层之上。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管-CN201210395722.2有效
发明人：尹灵峰;林素慧;郑建森;刘传桂;欧毅德;陈功 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管。所述LED结构包含衬底、位于衬底之上的发光外延层、位于发光外延层之上的电流扩展结构，且所述电流扩展结构包含透明电极扩展条及附在透明电极扩展条侧壁的金属电极扩展条。本发明采用该电流扩展结构，不仅可以改善电流扩展效果，减少电极遮光，增加出光效率，还可以起到避免电压（Vf）高的作用。
具有电流扩展结构氮化发光二极管

[发明专利]一种抗电极沾污的发光二极管及其制作方法-CN201210172867.6无效
发明人：尹灵峰;郑建森;刘传桂;欧毅德;何安和;林素慧 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出了一种抗电极沾污的发光二极管芯片及其制作方法。该抗电极沾污的发光二极管包括：衬底，发光外延层，位于所述衬底之上，其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；电极，位于所述发光外延层之上；透光性介质层，位于所述发光外延层之上，其具有至少一开口，所述电极位于所述开口内；所述电极的顶面低于所述透光性介质层的顶面，其高低差为2微米以上。
一种电极沾污发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201210183838.X无效
发明人：何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;刘传桂 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有金属反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作方法，其特征在于包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层上；电流阻挡层，完全包覆在金属反射层上；电流扩展层，完全包覆在电流阻挡层上；P电极，形成于电流扩展层上；N电极，形成于N型层上。本发明通过在金属反射层外包覆电流阻挡层，形成新型反射电极结构，有效保护了金属反射层，避免金属反射层与空气接触，防止被氧化，提高抗高温高湿能力；同时这种结构又兼具电流阻挡的作用，进一步提高了芯片的发光效率。
一种氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201110343101.5无效
发明人：欧毅德;尹灵峰;刘传桂;林素慧 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制作方法。本发明设计了双层透明导电层结构，第一层透明扩展层形成于p型半导体层上，P电极设置在外延结构层的中心区域，在p电极的四周设计了孔洞结构，孔洞结构里形成第二透明扩展层，并与n电极连接，形成一个等势面。电流从p电极注入后，通过第一透明扩展层向整个发光面扩散并由p型半导体层流向n型层，由于第二透明扩展层与n电极处于同一电势，电流向第二透明扩展层扩散，最后到达n电极。本发明保证了电流从p电极流向n电极的过程中都是均匀分布在外延发光层的，且P层的电流经过路径更短，同时改变了部分出光面的结构，从而有效地提高了发光效率。
氮化发光二极管及其制作方法

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