“陈亭玉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种高压发光二极管-CN202320590616.3有效
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n发光单元，其中，第n发光单元的面积最大。本实用新型可以提升高压发光二极管的抗负向静电冲击的能力，有效改善爆点问题，明显提高高压发光二极管的ESD能力和可靠性。
一种高压发光二极管

[发明专利]一种高压发光二极管芯片-CN202211653257.8在审
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，所述LED发光单元包括发光叠层和透明导电层，所述透明导电层覆盖所述发光叠层的部分外表面；所述桥接结构包括连接部和延伸部，所述连接部下设有第一阻挡层，以实现绝缘，位于第n个LED发光单元上的延伸部与透明导电层至少部分接触。本发明能明显提升高压发光二极管芯片的ESD能力，有效改善爆点问题，提高芯片的可靠性。
一种高压发光二极管芯片

[实用新型]一种发光二极管芯片-CN202021861364.6有效
发明人： 陈亭玉;戴志祥;孙旭;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管芯片，包括：依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层，还包括N电极和P电极，所述N电极和所述P电极分别与所述N型半导体层和所述P型半导体层电性连接，所述P型半导体层与所述P电极之间设置有电流阻挡层和包覆所述电流阻挡层的透明导电层，所述电流阻挡层的侧壁具有多个凸起结构。本实用新型可以限制电流扩展的方向，从而有利于更大的电流密度扩展至芯片边缘，以增加电流扩展的均匀性，提高发光效率。
一种发光二极管芯片

[实用新型]一种发光二极管-CN202020100793.5有效
发明人： 陈亭玉;晋沙沙;沈媛媛;孙旭;戴志祥;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和电流扩展层，以及分别位于第一导电型半导体层表面的第一电极和位于电流扩展层表面的第二电极，其特征在于：所述电流扩展层包括依次层叠的第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层表面由复数个相互独立且不连接的凸起周期性排列而成。本实用新型将传统的单一层的电流扩展层改进为由第一电流扩展层和第二电流扩展层组合的两层设计，并且图案化第一电流扩展层，促进电流扩展层的同时，还可以进一步提高发光二极管的抗静电能力。
一种发光二极管

[实用新型]一种发光二极管-CN201921896164.1有效
发明人：韩权威;戴志祥;李烨;沈媛媛;晋沙沙;陈亭玉;隗彪;孙旭;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和透明导电层；第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；第二电极，位于透明导电层表面，通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接；其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有高电流密度区和低电流密度区，由低电流密度区向高电流密度区，透明导电层的覆盖面积逐渐增大。本实用新型减小第二导电型半导体层表面低电流密度区的透明导电层的覆盖面积，从而促使电流集中，以提高电流密度区的电流密度，从而提高发光二极管的亮度。
一种发光二极管

[实用新型]一种发光二极管-CN201921177905.0有效
发明人：韩权威;汪学鹏;隗彪;陈亭玉;李烨;郭师宇;晋沙沙;戴志祥;孙旭;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底100、层叠于衬底100之上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，以及分别与P型半导体层和N型半导体层电性连接的P电极和N电极，所述P电极和N电极位于衬底100的同一侧，所述P电极包括焊接区和指状结构，其特征在于：所述衬底和发光层之间有与N电极连接的N扩展条。本实用新型通过在衬底和发光层之间设置与N电极连接的N扩展条，增大外延层发光面积，促进电流扩展，改善电流拥挤效益。
一种发光二极管

[实用新型]一种半导体发光元件-CN201921071693.8有效
发明人：汪学鹏;韩权威;陈亭玉;孙旭;戴志祥;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种半导体发光元件，一种半导体发光元件，包括衬底、层叠于衬底之上的外延层以及与外延层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述发光元件具有复数个贯穿外延层的孔洞，所述孔洞由外延层的顶部延伸至衬底表面。本实用新型提供了一种半导体发光元件，通过在外延层内部设置复数个底部延伸至衬底的孔洞，且设置孔洞的侧壁与衬底的夹角大于0°，小于90°，从而提升对光的反射效率，进而提升发光元件的出光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种半导体元件-CN201711112481.5有效
发明人：陈功;刘传桂;陈亭玉;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。
颗粒状污染物半导体叠层半导体元件气态污染物电极表面吸附能力电极污染物吸附吸附材料层电极形成

[实用新型]一种用于LED光源的芯片及用其制备的LED光源-CN201820379726.4有效
发明人： 陈亭玉;陈大钟;刘传桂;王锋;洪灵愿;曾合加;林素慧;林科闯;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于LED光源的芯片及用其制备的LED光源，包括：至少一串的LED芯片单元，所述LED芯片单元包括：基板和发光外延层，所述LED芯片单元分为若干个LED子芯片单元，其特征在于：所述基板厚度≥200μm。
基板制备芯片本实用新型发光外延层子芯片

[实用新型]一种高压发光二极管-CN201721906430.5有效
发明人：王锋;陈亭玉;郑高林;洪灵愿;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压发光二极管，包括：一衬底；以及设置于所述衬底上的若干个LED芯片单元，所述LED芯片单元包括若干个通过隔离槽区域分隔的子芯片，子芯片通过导电连线电性连接，所述子芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述N型半导体层为台阶状设置，N型半导体层包括第一台面及第二台面，第一台面的高度低于第二台面的高度，所述发光层、P型半导体层位于第二台面上，所述N型半导体层的第一台面上设有与N型半导体层电性连接的N电极，P型半导体层上设有与P型半导体层电性连接的P电极，其特征在于：于所述隔离槽区域设有反射柱，所述反射柱顶部的水平高度低于或等于所述发光层底部的水平高度。
衬底电性连接发光层子芯片高压发光二极管反射柱隔离槽台面本实用新型台阶状设置导电连线区域分隔

[实用新型]发光二极管-CN201820090736.6有效
发明人：王锋;詹宇;陈亭玉;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。
半导体层绝缘层发光二极管第一电极电性连接块状结构焊盘部发光外延层彼此分离第二电极中心区域发光层焊盘区扩展部

[实用新型]一种短波业务终端数据卡-CN201220361769.2有效
发明人：李斌;陈亭玉;王勇;徐晓敏 -专利权人：常州国光数据通信有限公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H04W88/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种短波业务终端数据卡，包括短波调制解调器和自动收报控制系统，所述短波调制解调器和自动收报控制系统集成在一块数据插卡中。本实用新型通过将短波调制解调器和自动收报控制系统功能集成为短波业务终端数据卡，配置在短波综合业务终端中，作为终端的一种传输体制，便于短波综合业务终端的功能扩展，且方便用户维修、维护。
一种短波业务终端数据

[实用新型]啤酒生产中麦汁回旋沉淀及麦汁冷却自动化控制设备-CN201020592103.9无效
发明人：乔自强;李解放;李中周;王海明;陈亭玉;王树芳 -专利权人：乔自强
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C12C7/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及啤酒生产过程中麦汁回旋沉淀及麦汁冷却的自动化控制设备。所述自动化控制设备包括麦汁回旋沉淀槽、麦汁冷却换热器以及程序控制器，麦汁进料泵启动开关接入程序控制器的一个开关量输入端，程序控制器设有相应的开关量输出端控制连接麦汁进料泵和进料控制阀；安装在回旋沉淀槽的高、中位及其底部出料口处的液位检测传感器输出开关信号分别接入程序控制器，所述程序控制器设有对应的开关信号输出分别控制连接麦汁回旋沉淀槽高、中位及底部麦汁出口管道上的出料控制阀、麦汁出料泵以及冰水泵。本实用新型通过对传统回旋沉淀槽进行改进，显著的提高了麦汁回旋沉淀槽及麦汁冷却自动化控制水平，提高了麦汁回旋沉淀效果和麦汁质量。
啤酒生产中麦汁回旋沉淀冷却自动化控制设备

[发明专利]啤酒生产中冷却热水再利用系统-CN201010148078.X无效
发明人：李解放;张峰;乔志强;陈亭玉;王淑芳;乔降华;张红荣 -专利权人：河南蓝马啤酒有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： F22D11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种啤酒生产余热回收利用控制系统，包括糖化车间热水暂储罐、锅炉车间热水储罐、锅炉车间蒸汽罐、投料水池，水管及阀门，糖化车间热水暂储罐其下部与投料池连通，其上部通过第一溢流管与锅炉车间热水储罐连通、通过第二溢流管与灌装车间热水储罐连通，锅炉车间热水储罐与蒸汽罐连通，其中第一溢流管低于第二溢流管高度H。将糖化车间热水暂储罐直接用于向投料池内提供投料用水，不仅有利于防止原有糖化车间内多余热水被排放造成资源浪费，还避免了用蒸汽再次将冷水加热后用于投料水的麻烦和资源浪费，糖化车间内的多余热水还可以被再次利用于其他领域，采用PLC自动控制实现多余热水的自动合理利用，非常利于推广实施。
啤酒生产冷却热水再利用系统

1
共 14 条