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[发明专利]半导体器件-CN202310063841.6在审
发明人： 徐在元 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据实施例的半导体器件可以包括：衬底；第一发光结构和第二发光结构，其被布置在衬底上；第一反射电极，其被布置在第一发光结构上；第二反射电极，其被布置在第二发光结构上；连接电极；第一电极焊盘；以及第二电极焊盘。根据实施例，第一发光结构可以包括：第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，其被布置在第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其被布置在第一有源层上；以及第一通孔，其通过第二半导体层和第一有源层延伸并且暴露第一半导体层。第二发光结构与第一发光结构间隔开，并且可以包括：第一导电类型的第三半导体层、布置在第三半导体层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型上的第四半导体层。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201780079603.7有效
发明人： 徐在元 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：根据实施例的半导体器件可以包括：衬底；第一发光结构和第二发光结构，其被布置在衬底上；第一反射电极，其被布置在第一发光结构上；第二反射电极，其被布置在第二发光结构上；连接电极；第一电极焊盘；以及第二电极焊盘。根据实施例，第一发光结构可以包括：第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，其被布置在第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其被布置在第一有源层上；以及第一通孔，其通过第二半导体层和第一有源层延伸并且暴露第一半导体层。第二发光结构与第一发光结构间隔开，并且可以包括：第一导电类型的第三半导体层、布置在第三半导体层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型上的第四半导体层。
半导体器件

[发明专利]发光器件和照明设备-CN201910191340.X有效
发明人：林祐湜;徐在元 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件和照明设备。根据实施例的发光元件包括：基板；发光结构，该发光结构被布置在基板上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上并且具有在水平方向上彼此邻近的第一部位和第二部位；第一电极，该第一电极被布置在反射层的第一部位的至少一部分中，同时穿过第二导电半导体层和有源层并且延伸到第一导电半导体层；在第一电极和发光结构的侧面之间以及在第一电极和反射层之间布置的第一绝缘层；在反射层的第二部位中布置的扩散防止层；在第一电极和扩散防止层上布置的第二绝缘层；以及穿过第二绝缘层并且分别被连接到第一电极和扩散防止层的第一结合层和第二结合层。
发光器件照明设备

[发明专利]发光元件-CN201680077003.2有效
发明人：洪俊喜;徐在元 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：实施例涉及一种发光元件，该发光元件能够通过增加在第一电极和第一半导体层之间的接触面积使电流容易地扩展并且改进驱动电压，并且包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；凹槽，其通过底表面暴露第二半导体层并且并且通过去除发光结构经由侧表面暴露第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一电极，其被连接到在凹槽的底表面处暴露的第一半导体层；第一绝缘图案，其覆盖通过凹槽的侧表面暴露的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一绝缘图案具有的一端延伸到第一电极的上表面的一部分，并且具有的另一端延伸到第二半导体层的上表面的一部分，使得第一电极的上表面和第二半导体层的上表面被部分地暴露；第一反射层，其被布置在暴露的第二半导体层上；第二反射层，其用于暴露第二半导体层和第一电极；以及第二电极，其被布置在由第二反射层暴露的第二半导体层上。
发光元件

[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装-CN201610183343.5有效
发明人： 徐在元;李尚烈;丁星好;崔珍炯 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：公开了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在第一绝缘层所暴露的第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在第一绝缘层和第一透光电极层下方；以及反射层，布置在第二透光电极层下方。
发光器件包括封装

[发明专利]半导体器件-CN201880022576.4在审
发明人：林祐湜;徐在元;崔珍熲;成演准;金钟贤;金会准 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一实施例提供了一种半导体器件，包括：发光结构，发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部；多个第一连接电极，配置为电连接多个第一发光部；多个第二连接电极，配置为电连接多个第二发光部；第一焊盘，设置于多个第一发光部上；第二焊盘，设置于多个第二发光部上。第一焊盘包括朝向第二焊盘延伸的多个1‑2焊盘。第二焊盘包括朝向第一焊盘延伸的多个2‑2焊盘。第一连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个1‑2焊盘之间的区域。第二连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个2‑2焊盘之间的区域。
焊盘发光部发光结构连接电极电连接半导体器件延伸配置

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及包括该封装的照明装置-CN201510680266.X有效
发明人：李尚烈;徐在元 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种发光器件、发光器件封装以及包括该封装的照明装置，该发光器件包括：衬底；发光结构，包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，布置在所述衬底之下；反射层，布置在所述第二导电半导体层之下，所述反射层具有形成在第一方向上的至少一个第一通孔，所述第一方向是所述发光结构的厚度方向；接触层，嵌入在贯穿所述反射层、所述第二导电半导体层以及所述有源层的至少一个第二通孔中，从而连接到所述第一导电半导体层；以及绝缘层，布置在所述接触层与所述反射层、所述第二导电半导体层以及所述有源层中的每个层之间，所述绝缘层嵌入在所述第一通孔中。本公开能够提高器件的可靠性。
发光器件封装以及包括照明装置

[发明专利]发光器件和照明设备-CN201580030571.2有效
发明人：林祐湜;徐在元 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：根据实施例的发光元件包括：基板；发光结构，该发光结构包括被布置在基板上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上并且具有在水平方向上彼此相邻的第一区域和第二区域；第一电极，该第一电极以穿过第二导电半导体层和有源层并且延伸到第一导电半导体层的方式被布置在反射层的第一区域的至少一部分中；第一绝缘层，该第一绝缘层被布置在第一电极和发光结构的侧面之间以及在第一电极和反射层之间；扩散阻挡层，该扩散阻挡层被布置在反射层的第二区域中；第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一电极和扩散阻挡层上；以及第一结合层和第二结合层，该第一结合层和第二结合层穿过第二绝缘层并且分别被连接到第一电极和扩散阻挡层。
发光元件照明装置

[发明专利]发光二极管封装和照明设备-CN201680016088.3在审
发明人： 徐在元;金会准;任范镇;洪俊喜 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：根据实施例的发光二极管封装包括衬底；发光结构，该发光结构被布置在衬底下方并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一结合焊盘，该第一结合焊盘与第一导电类型半导体层连接同时被嵌入在穿过有源层和第二导电类型半导体层形成的通孔中，第一导电类型半导体层通过通孔被暴露；第二结合焊盘，该第二结合焊盘被布置在第二导电类型半导体层下方同时与第一结合焊盘被分隔开并且与第二导电类型半导体层连接；第一绝缘层，该第一绝缘层被布置在通孔中的发光结构的横向部上和发光结构的下内边缘上；以及第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一绝缘层和通孔中的第一结合焊盘之间。
发光二极管封装照明设备

[发明专利]发光器件及发光器件封装件-CN201210023098.3有效
发明人：金省均;秋圣镐;朱炫承;徐在元 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件和一种发光器件封装件。发光器件包括包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；在第二导电半导体层上的透明电极；以及在透明电极上的第二电极。第一电极包括在第一导电半导体层的从第二导电半导体层和有源层暴露出的第一区域上的第一电极垫；以及从第一电极垫朝其中暴露出第一导电半导体层的第二区域延伸的第一电极指状部。透明电极与第一电极指状部之间的间隙从第一区域向第二区域逐渐变窄。
发光器件封装

[发明专利]发光元件和包括发光元件的发光元件封装-CN201580032518.6在审
发明人： 徐在元;崔锡范 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：实施例提供一种发光元件，包括：衬底；多个发光单体，所述多个发光单体以一定间隔被布置在衬底上，发光单体包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，发光单体具有通孔，通过穿过有源层从第二导电半导体层的表面到第一导电半导体层的一部分来形成该通孔；第一电极层，该第一电极层被电连接到在通孔的底侧处的第一导电半导体层；第二电极层，该第二电极层被布置在第二导电半导体层的上部上；以及第一钝化层，该第一钝化层用于使第一电极层与第二电极层电气地分离，其中第一电极层被电连接到与该发光单体相邻的发光单体的第二电极层，并且由于在多个发光器件的上表面上和在成一定间隔的发光单体之间的衬底上形成的第一钝化层和第一电极层，在发光元件的整个表面上的光提取效率能够被提高，从而增加发光效率。
发光元件包括封装

[发明专利]发光器件封装和包括该封装的发光设备-CN201510706196.0在审
发明人：林祐湜;徐在元;任范镇 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件封装和包括该封装的发光设备。实施例提供一种发光器件，包括：衬底；布置在衬底下面的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层，和第二导电半导体层；配置为穿过第二导电半导体层和有源层以便与第一导电半导体层接触的第一电极；配置为与第二导电半导体层接触的接触层；布置在第二导电半导体层和第一电极之间以及在有源层和第一电极之间的第一绝缘层，第一绝缘层设置用于覆盖接触层的侧部和上部；和配置为穿过第一绝缘层以便与接触层接触的第二电极。
发光器件封装包括设备

[发明专利]发光器件-CN201210315681.1有效
发明人：李容京;林祐湜;徐在元 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层，该第一半导体层被掺杂有第一掺杂物同时包括第一区域和相对于第一区域成台阶的第二区域、第二半导体层，该第二半导体层被掺杂有不同于第一掺杂物的第二掺杂物同时设置在第二区域上、以及有源层，该有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，该第一电极设置在第一区域上；以及功能构件，该功能构件设置在与第一电极相邻的发光结构的一个侧表面和第一电极之间同时设置在第一区域处，其中，相对于第一区域的表面，该功能构件具有大于第一电极的高度并且小于发光结构的厚度的高度。
发光器件

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