[发明专利]指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入有效
| 申请号： | 201180015641.9 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102844840A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 阿塔尔·古普塔;尼可拉斯·P·T·贝特曼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;张洋 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 指叉型 背面 接触 太阳能电池 自我 对准 离子 植入 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成具有导电性的区域的方法，包括：将含有第一物种的掺质的糊剂涂敷在所述基板的表面的一个部位上；当所述糊剂在所述表面的所述部位上时，将第二物种的掺质的离子植入到所述表面中，所述第二物种的导电性与所述第一物种的导电性相反，其中所述第二物种的所述掺质的所述离子中的大部分离子不会穿透所述糊剂；执行热制程；以及所述第二物种的离子被植入后，移除所述糊剂。
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- 本发明提供一种扩散剂组合物，即使在以纳米级的膜厚将所述扩散剂组合物涂布在半导体衬底上时，也能够使杂质扩散成分良好地扩散至半导体衬底中。本发明的解决手段为：使扩散剂组合物中含有杂质扩散成分(A)、和下式(1)表示的可通过水解而生成硅烷醇基的Si化合物(B)，并使扩散剂组合物的水分含量为0.05质量％以下。式(1)中，R为烃基，n为整数3或4。R4－nSi(NCO)n ···(1)。
- 半导体衬底的制造方法-201610191515.3
- 泽田佳宏 - 东京应化工业株式会社
- 2016-03-30 - 2016-10-26 - H01L21/225
- 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，其是将包含杂质扩散成分的扩散剂组合物涂布在半导体衬底上，然后对形成的涂布膜进行加热从而使杂质扩散成分扩散至半导体衬底中，所述半导体衬底的制造方法通过扩散剂组合物的纳米级膜厚的涂布和短时间的热处理，能够使杂质扩散成分良好地扩散至半导体衬底中。本发明的解决手段为：在使用包含杂质扩散成分(A)、和具有异氰酸酯基的规定结构的Si化合物(B)的组合物作为扩散剂组合物的情况下，将扩散剂组合物以30nm以下的膜厚涂布在半导体衬底上，并且利用规定方法对扩散剂组合物的涂布膜进行短时间加热。
- 半导体基板的制造方法-201510644848.2
- 泽田佳宏 - 东京应化工业株式会社
- 2015-10-08 - 2016-04-13 - H01L21/225
- 本发明提供一种半导体基板的制造方法，所述方法即使在使用在其表面具有存在纳米级的微小空隙的三维结构的半导体基板时，也能够抑制半导体基板中的缺陷的发生、同时良好且均匀地使杂质扩散成分扩散至包括微小空隙的整个内表面在内的、半导体基板的涂布扩散剂组合物的全部位置。使用含有杂质扩散成分(A)和可通过水解生成硅醇基的Si化合物(B)的扩散剂组合物，在半导体基板表面形成膜厚为30nm以下的涂布膜，从而使杂质扩散成分良好且均匀地从涂布膜扩散至半导体基板。
- 半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件、以及太阳能电池-201510959055.X
- 佐藤铁也;吉田诚人;野尻刚;町井洋一;岩室光则;织田明博 - 日立化成株式会社
- 2012-07-24 - 2016-03-30 - H01L21/225
- 本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
