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[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202311100538.5在审
发明人： 河原崎光 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该温度数据依次存储，获取温度曲线。分析部(31)从该温度曲线中确定闪光照射后的半导体晶片的最高测量温度，并基于该最高测量温度计算半导体晶片从基座跳跃的跳跃量。在计算出的跳跃量超过规定的阈值的情况下，半导体晶片的位置发生较大偏移的可能性较高，因此停止搬出该半导体晶片。
热处理方法装置

[发明专利]温度测定方法及热处理装置-CN202310046271.X在审
发明人：北泽贵宏;河原崎光 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明能正确地测定衬底的温度。本发明涉及一种温度测定方法及热处理装置。本发明是一种测定通过光照射被加热的半导体晶圆(W)的温度的温度测定方法。本发明的温度测定方法具备以下步骤：辐射温度测定步骤，从半导体晶圆(W)的斜下方检测半导体晶圆(W)的亮度温度；输入参数算出步骤，根据在辐射温度测定步骤检测出的亮度温度，算出与半导体晶圆(W)的辐射率比对应的第1输入参数、及与半导体晶圆(W)的温度对应的第2输入参数这至少2个输入参数；输出参数推定步骤，根据第1输入参数与第2输入参数，推定输出参数；及温度算出步骤，根据在输出参数推定步骤推定出的输出参数、与在辐射温度测定步骤检测出的亮度温度，算出半导体晶圆(W)的温度。
温度测定方法热处理装置

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201811383725.8有效
发明人： 河原崎光 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该温度数据依次存储，获取温度曲线。分析部(31)从该温度曲线中确定闪光照射后的半导体晶片的最高测量温度，并基于该最高测量温度计算半导体晶片从基座跳跃的跳跃量。在计算出的跳跃量超过规定的阈值的情况下，半导体晶片的位置发生较大偏移的可能性较高，因此停止搬出该半导体晶片。
热处理方法装置

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN202011536845.4在审
发明人：青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理方法-CN202010639291.4在审
发明人： 河原崎光;野崎仁秀 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种能够准确地测定衬底的正面温度的热处理方法。对半导体晶圆，通过卤素灯进行预加热后，通过来自闪光灯的闪光照射进行加热。即将进行闪光照射之前的半导体晶圆的温度由下部放射温度计测定。因为下部放射温度计对半导体晶圆的接收角为60°以上89°以下，所以无论成膜在半导体晶圆背面的膜的种类如何，下部放射温度计都能够准确地测定半导体晶圆的背面的温度。在闪光照射时，半导体晶圆的正面的上升温度由上部放射温度计测定。将通过下部放射温度计测定的半导体晶圆的背面温度与通过上部放射温度计测定的闪光照射时的半导体晶圆的正面的上升温度相加，而计算出半导体晶圆的正面温度。
热处理方法

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN201610730607.4有效
发明人：青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN202010945865.0在审
发明人：青山敬幸;河原崎光;古川雅志;布施和彦;谷村英昭;加藤慎一 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201710477838.3有效
发明人：青山敬幸;近藤泰章;宫胁真治;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭;上田晃颂;河原崎光;古川雅志 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
热处理方法装置

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN201610736763.1有效
发明人：青山敬幸;河原崎光;古川雅志;布施和彦;谷村英昭;加藤慎一 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理装置-CN201610124432.2有效
发明人：阿部诚;河原崎光;谷村英昭;古川雅志 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使基板的面内温度分布均匀的热处理装置。从多个卤素灯(HL)对在腔室内由保持部保持的半导体晶片(W)照射卤素光而进行加热。在卤素灯(HL)与半导体晶片(W)之间，设置着由不透明石英形成的圆筒形状的遮光体(21)及圆环形状的遮光部件(25)。遮光部件(25)的外径小于遮光体(21)的内径。从卤素灯(HL)出射并透过产生在遮光体(21)的内壁面与遮光部件(25)的外周之间的间隙的光照射在容易产生温度下降的半导体晶片(W)的周缘部。另一方面，朝向过热区域的光被遮光部件(25)遮蔽，所述过热区域在仅设置遮光体(21)时产生在半导体晶片(W)的面内且温度比其他区域高。
热处理装置

[发明专利]热处理方法-CN201811598895.8在审
发明人：布施和彦;河原崎光;谷村英昭;加藤慎一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。
半导体晶圆自然氧化膜退火氢气掺杂剂掺杂剂原子热处理预加热加热薄膜扩散加热处理低电阻界面处衬底成膜活化半导体集聚闪光

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201610006808.X在审
发明人： 河原崎光 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够一边抑制界面层膜的氮化，一边促进高介电常数膜的氮化的热处理方法及热处理装置。将在硅基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数栅极绝缘膜的基板(W)收容在腔室(6)内。对腔室(6)供给氨气与氮气的混合气体而形成氨气氛围，在氨气氛围中从闪光灯(FL)以0.2毫秒以上且1秒以下的照射时间对基板(W)的表面照射闪光。由此，在氨气氛围中将高介电常数栅极绝缘膜加热而进行高介电常数栅极绝缘膜的氮化处理。另外，由于闪光照射时间极短，所以氮气不会到达形成在高介电常数栅极绝缘膜的底层的界面层膜而使其氮化。
热处理方法装置

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