[发明专利]半导体封装及其制造方法无效
申请号: | 201010169233.6 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101877338A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 孙晧荣;崔俊基;梁胜宅 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种能够有效堆叠的半导体封装及其制造方法。半导体封装包括:半导体芯片、绝缘层和贯通电极。半导体芯片具有:第一表面和第二表面、在半导体芯片中的电路部、与电路部电连接的内部电路图案、穿过内部电路图案并穿过第一和第二表面的通孔。绝缘层在半导体芯片的通孔上并具有暴露出内部电路图案的开口,所述内部电路图案通过通孔暴露出。贯通电极在通孔中并与通过绝缘层的开口暴露出的内部电路图案电耦合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装,包括:半导体芯片,包括:第一表面和背离所述第一表面的第二表面,设置于所述半导体芯片中的电路部,与所述电路部电耦合的内部电路图案,和穿过所述内部电路图案以及所述第一和第二表面的通孔;在所述半导体芯片的所述通孔上的绝缘层,其中所述绝缘层具有沿着所述通孔暴露出所述内部电路图案的开口;以及在所述通孔内的贯通电极,所述贯通电极通过沿着所述通孔暴露出所述内部电路图案的所述开口与所述内部电路图案电耦合。
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