[发明专利]半导体封装及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010169233.6 申请日: 2010-04-28
公开(公告)号: CN101877338A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 孙晧荣;崔俊基;梁胜宅 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;王春伟
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

半导体芯片,包括:

第一表面和背离所述第一表面的第二表面,

设置于所述半导体芯片中的电路部,

与所述电路部电耦合的内部电路图案,和

穿过所述内部电路图案以及所述第一和第二表面的通孔;

在所述半导体芯片的所述通孔上的绝缘层,其中所述绝缘层具有沿着所述通孔暴露出所述内部电路图案的开口;以及

在所述通孔内的贯通电极,所述贯通电极通过沿着所述通孔暴露出所述内部电路图案的所述开口与所述内部电路图案电耦合。

2.根据权利要求1的半导体封装,还包括:在所述绝缘层和所述贯通电极之间的扩散阻挡层,其中所述扩散阻挡层与所述内部电路图案电耦合。

3.根据权利要求2的半导体封装,还包括:在所述扩散阻挡层和所述贯通电极之间的籽金属层。

4.根据权利要求1的半导体封装,还包括:

在所述绝缘层上的扩散阻挡层,其中所述扩散阻挡层具有暴露出所述内部电路图案的开口;和

在所述扩散阻挡层上的籽金属层,所述籽金属层通过所述扩散阻挡层的开口与所述内部电路图案电耦合。

5.根据权利要求1的半导体封装,还包括:

在所述半导体芯片的所述第一表面上并与所述电路部电耦合的焊垫;

与所述焊垫电耦合并在穿过所述第一和第二表面的附加通孔内的附加贯通电极,和

在所述附加贯通电极和所述附加通孔之间的附加绝缘层。

6.根据权利要求1的半导体封装,其中所述内部电路图案施加有电源信号、接地信号、数据信号和芯片选择信号中的任意一种。

7.根据权利要求1的半导体封装,还包括堆叠在一起的至少两个半导体芯片,使得所述至少两个半导体芯片的贯通电极彼此电耦合。

8.一种半导体封装,包括:

半导体芯片,包括:

第一表面和背离所述第一表面的第二表面,

设置于所述半导体芯片中的电路部,

与所述电路部电耦合并且在相对于所述第一表面的不同深度处的第一和第二内部电路图案,和

均穿过所述第一和第二表面并分别穿过所述第一和第二内部电路图案的第一和第二通孔;

分别在所述第一和第二通孔上的第一和第二绝缘层,所述第一和第二绝缘层分别具有分别沿着所述第一和第二通孔暴露出所述第一和第二内部电路图案的第一开口和第二开口;以及

分别在所述第一和第二通孔内的第一和第二贯通电极,所述第一和第二贯通电极分别与通过所述第一和第二开口分别暴露出的所述第一和第二内部电路图案电耦合。

9.根据权利要求8的半导体封装,还包括:

在所述第一绝缘层上并与所述第一内部电路图电连接的第一扩散阻挡层;

在所述第一扩散阻挡层和所述第一贯通电极之间的籽金属层;

在所述第二绝缘层上并具有暴露出所述第二内部电路图案的开口的第二扩散阻挡层;以及

在所述第二扩散阻挡层上并与所述第二内部电路图案电耦合的第二籽金属层。

10.根据权利要求8的半导体封装,其中所述第一内部电路图案和所述第二内部电路图案由不同的金属形成。

11.根据权利要求8的半导体封装,还包括:

在所述半导体芯片的所述第一表面上并与所述电路部电耦合的焊垫;

与所述焊垫电耦合并在附加通孔内的附加贯通电极,使得所述附加通孔穿过所述第一和第二表面;以及;

在所述附加贯通电极和所述附加通孔之间的附加绝缘层。

12.一种制造半导体封装的方法,包括以下步骤:

制造半导体芯片,所述半导体芯片具有:第一表面和背离所述第一表面的第二表面、设置于所述半导体芯片中的电路部、和与所述电路部电耦合并形成于其中的内部电路图案;

限定从所述第一表面穿过所述内部电路图案朝向所述第二表面延伸的盲孔,所述盲孔暴露出所述内部电路图案;

在所述盲孔上形成绝缘层,使得所述绝缘层具有暴露出所述内部电路图案的开口;

在所述盲孔内形成贯通电极,使得所述贯通电极通过暴露出所述内部电路图案的所述绝缘层的开口与所述内部电路图案电耦合;和

减小所述半导体芯片的厚度以暴露出所述贯通电极的对应于所述第二表面的端部。

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