[发明专利]半导体光发射装置和使用该装置的光盘设备无效
| 申请号： | 03800137.3 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1498447A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 阿部博明;我妻新一;星望;铃木洋一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;G11B7/125 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | AlGaInP激光装置(24)和AlGaAs激光装置(26)布置成使相应的带(28，30)相互平行。在当从激光主发射侧(011)(22c)观察时，AlGaInP激光装置(24)布置在相对于基板的中心线的(011)平面(22b)侧而AlGaAs激光装置26布置在相对于基板中心线的(011)平面(22a)侧。基板22是一倾斜基板并相对(100)面由(011)面(22a)侧以在2度到15度范围内的一确定角度，向(011)平面(22b)侧倾斜。AlGaInP激光装置(24)的光轴L1平行于AlGaAs激光装置(26)的光轴L2或以大约0.5度靠近。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发射 装置 使用 光盘 设备 | ||
【主权项】：
1.一半导体光发射装置包括至少一对光发射元件，它们在一共用基板主表面上具有相同方向的主发射平面且相邻布置，包括：一个基板，从主发射表面侧观察，其侧表面以一确定角度相对晶体轴方向顺时针倾斜；一第一光发射元件，从主发射表面侧观察，具有不等边四边形剖面，相对侧表面的左侧比右侧平缓，一个第二光发射元件，从主发射平面一侧看，它形成在所述第一光发射元件的左侧并与所述第一光发射元件配成一对。
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- 本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法。该方法包括：(1)提供一种太赫兹量子级联激光器材料；(2)在材料表面进行刻蚀，刻蚀出一深度和下接触层厚度相同的凹槽(7)；(3)采用配备激光干涉仪的干法刻蚀系统对材料再进行刻蚀，刻蚀出脊形结构(8)，凹槽(7)同步被刻蚀，激光干涉仪对凹槽底部进行在线检测；(4)当激光干涉仪振荡信号强度出现跳变时，凹槽(7)底部刚好被刻蚀至下接触层(4)与刻蚀停止层(3)界面，而此时脊形结构(8)两边刚好被刻蚀至多量子阱有源区(5)和下接触层(4)的界面。该方法仅通过增加一步简单的凹槽预刻蚀工艺，即可有效判断最佳刻蚀深度，提高了激光器脊波导刻蚀深度准确性。
- 半导体激光二极管-201810915857.4
- 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2018-08-13 - 2023-06-09 - H01S5/22
- 本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
- 准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器-202310375494.0
- 郑婉华;戴迎秋;王宇飞;傅廷;王学友;陈静瑄 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-04-10 - 2023-06-09 - H01S5/22
- 本发明提供一种准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，准连续域束缚态电注入激光器结构包括：N面金属电极层和依次叠设于N面金属电极层表面的N型包层、有源层、P型包层、脊波导层及P面金属电极层；其中，在靠近激光器输出前端面的脊波导层的表面刻蚀有窄狭槽光栅，窄狭槽光栅的刻蚀深度不超过脊波导层的厚度；窄狭槽光栅用于基于干涉相消构造沿横向的准连续域束缚态来抑制光的横向辐射损耗。该准连续域束缚态电注入激光器结构能够提高光的输出功率，实现低阈值单模大功率输出，并且简化了制备工艺。
- 一种半导体激光器-202223337699.X
- 张鹏斐;张意;宣扬;骆伟;祝涛 - 华中光电技术研究所（中国船舶集团有限公司第七一七研究所）
- 2022-12-12 - 2023-06-02 - H01S5/22
- 本实用新型提供一种半导体激光器，该半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本实用新型的半导体激光器在常规的大功率半导体激光器脊波导上制备光栅，实现模式选择和过滤，模式选择区的光栅与模式过滤区的光栅可以独立优化调整，最终实现大功率单模稳定工作，无须额外配备复杂的散热装置；另外该方案的大功率单模半导体激光器的制备工艺简单、可靠性高。
- 一种半导体激光器及其制备方法-202211617110.3
- 张鹏斐;张意;宣扬;骆伟;祝涛 - 华中光电技术研究所（中国船舶集团有限公司第七一七研究所）
- 2022-12-12 - 2023-05-30 - H01S5/22
- 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本发明的半导体激光器在常规的大功率半导体激光器脊波导上制备光栅，实现模式选择和过滤，模式选择区的光栅与模式过滤区的光栅可以独立优化调整，最终实现大功率单模稳定工作，无须额外配备复杂的散热装置；另外该方案的大功率单模半导体激光器的制备工艺简单、可靠性高。
- 一种小功率GaN激光二极管及其制作方法-202310130593.2
- 李水清;白怀铭;张江勇;张敏;马斯特;牧立一 - 安徽格恩半导体有限公司
- 2023-02-17 - 2023-05-16 - H01S5/22
- 本发明提供了一种小功率GaN激光二极管及其制作方法，属于激光二极管技术领域，用于解决现有激光二极管中脊的制作难度大且成本高的技术问题。本小功率GaN激光二极管在外延层上设置ITO欧姆接触层和Pd金属覆盖层的复合结构，使外延覆盖层厚度降低，降低了成本；采用ITO作为欧姆接触层，并搭配Pd金属覆盖层作为光刻掩模版，利用ITO侧蚀角度更大，结合Pd掩模，形成脊结构两侧的直角面，可以形成良好的欧姆接触以及接近垂直角的脊结构，达到较好的光学限制效果，提高产品性能；并在欧姆接触层处设置直角沟槽结构，可以提高刻蚀脊结构时刻蚀角度的直角度，进一步提高光学限制效果，并降低了直角脊结构的刻蚀难度。
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