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[发明专利]一种半导体激光器-CN202310711690.0在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;邱若生;杜明伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底，外延结构和欧姆接触层，而外延层又包括N型半导体层、有源层和P型半导体层，P型半导体层远离有源层的一端具有向上凸起的脊形部。其中，脊形部靠近欧姆接触层一侧的上表面含有Sn原子。本申请通过将Sn原子引入至脊形部，并利用Sn原子与脊形部内的其他金属原子之间可以共价结合多出空穴，使脊形部内靠近上表面一侧的空穴载流子浓度得到进一步提高，进而在半导体激光器正向导通时，使脊形部内能够拥有更多的空穴载流子参与导电，有利于降低欧姆接触层与脊形部之间的接触电阻，改善半导体激光器的电流传输效率的作用，提高半导体激光器的光电转换效率。
一种半导体激光器

[发明专利]激光器芯片及激光器-CN202310677303.6在审
发明人： 颜同伟;毕萌凡;曾越;黄少华;张中英 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种激光器芯片，其包括基底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、绝缘层、N型电极和P型电极，N型半导体层位于基底的上表面，有源层位于N型半导体层上，有源层包括在N型半导体层上依次层叠的第一波导层、量子阱层和第二波导层，P型半导体层位于有源层上，绝缘层覆盖N型半导体层、有源层和P型半导体层，绝缘层具有开口，开口露出P型半导体层，N型电极位于基底的下表面，P型电极通过开口连接P型半导体层，其中，基底包括第一N型掺杂层和第二N型掺杂层，第二N型掺杂层位于第一N型掺杂层和N型电极之间，第二N型掺杂层的掺杂浓度高于第一N型掺杂层的掺杂浓度。借此实现高光效的激光器件。
激光器芯片

[发明专利]一种半导体激光器-CN202310627562.8在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;张中英;蔡吉明 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底、外延结构和第一阻挡层，外延结构包括自下而上层叠设置的第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二限制层。其中，第二限制层和部分第二波导层被设置为沿远离衬底的方向竖直延伸的凸起，以形成脊形部，并在脊形部两侧的第二波导层上形成台阶区。通过将脊形部的底端设置在第二波导层上，以在半导体激光器正向导通时减小载流子向有源区内的注入时的注入面积，提高载流子的注入效率。同时，将第二阻挡层设置在台阶区及脊形部的侧壁上，可以有效阻止部分载流子向脊形部的两侧扩散而导致的漏电，或自脊形部的两侧注入有源区，进一步提高载流子的注入效率，达到提高半导体激光器输出功率的目的。
一种半导体激光器

[发明专利]激光器芯片及激光器-CN202310627411.2在审
发明人： 颜同伟;黄少华;曾越;张中英 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种激光器芯片，其包括绝缘层、N型电极、P型电极和依次层叠的基底、N型高掺杂层、N型半导体层、有源层、P型半导体层。有源层包括在N型半导体层上依次层叠的第一波导层、量子阱层和第二波导层，绝缘层覆盖N型高掺杂层和P型半导体层，绝缘层具有第一开口和第二开口，N型电极通过第一开口连接N型高掺杂层，P型电极通过第二开口连接P型半导体层，N型高掺杂层的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度。借此实现激光电流扩展路径，可以避免电流流经基底的高阻抗位置，从而实现高光效的激光器件。
激光器芯片

[发明专利]一种半导体激光元件-CN202310516004.4有效
发明人：曾越;黄少华;李明逵;颜同伟;曹少威;黄瀚之;叶涛 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光元件，包括：基板；半导体叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部；所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；其中，所述半导体叠层还包括暴露出所述第一半导体部分表面的连接面、第一段侧壁及第二段侧壁，所述第一台面与所述连接面之间具有所述第一段侧壁，所述第二台面和所述连接面之间具有所述第二段侧壁，所述第一段侧壁的长度大于或者等于所述第二段侧壁的长度。
一种半导体激光元件

[发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202310601631.8在审
发明人： 颜同伟;黄少华;张中英;周启伦;曾建尧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供半导体发光元件及发光装置，半导体发光元件包括半导体叠层，半导体叠层包括未掺杂铝镓氮层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，未掺杂铝镓氮层和N型半导体层中具有多层AlGaN层，且各层AlGaN中的Al含量及Al含量的变化趋势不同，各层的厚度也不同。通过上述结构搭配能够得到低位错密度的半导体叠层，从而提高半导体发光元件的出光效率；另外，半导体发光元件还包括AlNO缓冲层，AlNO缓冲层与半导体叠层的搭配，以及多层AlGaN层的搭配，能够减小半导体发光元件间的晶格失配，以及因热形变差产生的应力，改善外延片的翘曲问题，从而改善外延片的裂纹，从而保证芯粒的使用效果。
半导体发光元件装置

[发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202211663404.X在审
发明人： 颜同伟;陈燕春;黄少华;曾建尧;周启伦;蔡吉明;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，其中所述半导体发光元件至少包括由下至上叠置的N型半导体层、发光层和p型空穴注入层。其中，所述发光层含有Al组分，该Al组分具有一浓度曲线，该曲线包含多组依次交替的平台、波峰及波谷，所述波谷位于所述波峰与所述平台之间并呈非对称结构，其中靠近所述波峰一侧的曲线至少包含第一段曲线和第二段曲线，其中第一段曲线连接所述第二波峰，所述第二段曲线与第一段曲线连接，所述第二段曲线的斜率小于所述第一段曲线的斜率。本发明所述半导体发光元件可以有效提升光电性能。
半导体发光元件装置

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