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[发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN202180094851.5在审
发明人：尾上和之;山口勉;外间洋平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明的光半导体装置具备：第1导电型的半导体基板(1)，具有凸状部(1a)；第2导电型的中间层(2)，形成于所述半导体基板(1)的所述凸状部(1a)的两侧的部分上；条纹状的台面构造(6)，由以所述凸状部(1a)为中心层叠于包含所述凸状部(1a)的顶部的面上的第1导电型的第1包层(3)、活性层(4)以及第2导电型的第2包层(5)构成；埋入层(7)，形成于所述台面构造(6)的两侧，并阻止电流；以及第2导电型的接触层(8)，形成于所述台面构造(6)的表面以及所述埋入层(7)的表面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法-CN201880097717.9有效
发明人： 外间洋平;铃木洋介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备：DFB部，其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12)；DBR部，其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层(6)高的表面侧第二包覆层(7)；以及PD部，其层叠有背面侧第三包覆层(5)、对第一芯层(2a)所导波的激光的剩余部分进行吸收的由第二MQW结构构成的第二芯层(2b)、表面侧第三包覆层(8)以及第二接触层(14)。
半导体激光器阵列以及制造方法

[发明专利]光半导体元件及其制造方法-CN201880088214.5有效
发明人：堀口裕一郎;西川智志;秋山浩一;福永圭吾;外间洋平;铃木洋介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光波导以及光集成元件-CN201780062844.0有效
发明人： 外间洋平;秋山浩一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够对埋入型波导的芯层高效地注入电流的技术。在基板的一端侧，配设包括芯层、包层以及电流阻挡层的埋入型波导，并且，芯层的层叠方向上的两侧被包层夹住，芯层的与层叠方向垂直的宽度方向上的两侧被电流阻挡层夹住。在基板的另一端侧，配设包括芯层以及包层的脊型波导，并且，芯层的层叠方向上的两侧被包层夹住。
半导体波导以及集成元件

[发明专利]光调制器元件及其制造方法以及具备其的光调制模块-CN201710097803.7有效
发明人：堀口裕一郎;西川智志;秋山浩一;林周作;外间洋平;榎健太郎;田中俊行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供光调制器元件、具备该光调制器元件的光调制模块以及光调制器元件的制造方法，所述光调制器元件使芯片面积比以往缩小。光调制器元件具备第1、第2光调制器、光输入部以及分支耦合器，第1、第2光调制器分别具备：一组马赫－曾德尔型波导路；第1光耦合器，使来自分支耦合器的光分别分支到一组马赫－曾德尔型波导路；以及第2光耦合器，合成分别通过一组马赫－曾德尔型波导路的光，在第1、第2光调制器中，第1光调制器的一组马赫－曾德尔型波导路的光的行进方向与第2光调制器的一组马赫－曾德尔型波导路的光的行进方向被配置成相互带有角度。
调制器元件及其制造方法以及具备调制模块