[发明专利]CVD用原料化合物以及钌或钌化合物薄膜的化学气相蒸镀方法无效

申请号：	03122906.9	申请日：	2003-04-18
公开（公告）号：	CN1451780A	公开（公告）日：	2003-10-29
发明（设计）人：	齐藤昌幸;寒江威元	申请（专利权）人：	田中贵金属工业株式会社
主分类号：	C23C16/18	分类号：	C23C16/18;H01L21/285;H01L21/8242;H01L27/108
代理公司：	上海专利商标事务所	代理人：	胡烨
地址：	暂无信息	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明涉及以有机钌化合物为主要成分的CVD用原料化合物。该有机钌化合物在钌上配位有2个β－二酮类，还配位有二烯类、二胺类或2个有机配位体。在本发明中，通过规定配位的β－二酮类的碳原子数和二烯类等的种类，使有机钌化合物的蒸气压较为理想。
搜索关键词：	cvd 原料化合物以及薄膜化学气相蒸镀方法
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【主权项】：

1.CVD用原料化合物，所述化合物以有机钌化合物为主要成分，其特征在于，前述有机钌化合物如下式1所示，它是在钌上配位有2个β-二酮类和1个二烯类的有机钌化合物，式1结构式中，β-二酮类的取代基R1、R2是烷基，R1、R2中所含的碳原子数合计为3～5个，构成二烯类的有机基团R3、R4、R5可相互连结成环。

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一种制造用于不粘炊具的复合材料的方法-202211211023.8
发明人：袁华庭 -专利权人：武汉苏泊尔炊具有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明提供了一种制造用于不粘炊具的复合材料的方法。该方法包括：利用还原性气体使钙钛矿材料流化，以形成流化状态的钙钛矿材料；以及使包含韧性金属的前驱体与还原性气体反应以将前驱体还原为韧性金属，从而在钙钛矿材料的表面上包覆有韧性金属层，其中，前驱体包括烷基韧性金属和羰基韧性金属中的至少一种，其中，钙钛矿材料由ABO3表示，A包括碱土金属中的至少一种，B包括过渡金属中的至少一种，其中，韧性金属包括断裂伸长率大于或等于12％的韧性金属。根据本发明的实施例，通过根据本发明的原子沉积方法能够解决现有技术中金属‑陶瓷复合材料均匀性差、不粘性不足的问题。

一种用于制备外延片的转盘式反应器、制备方法及用途-202211158987.0
发明人：王国斌;李增林 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明提供了一种用于制备外延片的转盘式反应器、制备方法及用途，包括壳体，壳体内设置有转盘和位于转盘上方的喷淋装置，转盘的底面设置有转筒，转筒的一端敞口边缘与转盘的底面边缘对接，转筒用于带动转盘旋转；转盘下方设置有加热盘，加热盘覆盖转盘的整个底面，加热盘包括呈同心圆设置的至少三个主体加热件，相邻两个主体加热件之间设置有过渡加热件。以转筒形成的边缘旋转代替转轴形成的中心旋转，在转盘中心位置处设置加热件，扩大了转盘的中心加热区域，通过设置过渡加热件，以调节相邻两个主体加热件之间的加热功率密度的差异，使得转盘上方的温度分布更均匀，满足了大尺寸外延片的生产需求。

金属薄膜沉积方法-201910846918.0
发明人：周烽;万先进;熊少游;左明光;李远;宋锐;李远博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明提供了一种金属薄膜沉积方法，包括如下步骤：1)提供需要沉积目标金属的薄膜的衬底；2)在所述衬底上通过目标金属的化合物的化学气相沉积过程形成由所述目标金属构成的薄膜，所述薄膜附着有在化学气相沉积过程中产生的副产物；3)采用等离子体处理所述薄膜以去除所述副产物；4)重复步骤2)至步骤3)，直至所述薄膜的厚度达到设定值。本发明通过采用目标金属的化合物的化学气相沉积过程在衬底表面形成目标金属薄膜，并采用等离子体处理副产物，从而减少了金属薄膜的氟含量，降低了金属层的电阻率，提高了半导体器件性能以及产品良率。

采用原子层沉积法的金属钌薄膜的制造方法-201980073135.1
发明人：西田章浩;远津正挥 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明的在基体上通过原子层沉积法制造金属钌薄膜的方法的特征在于，包括以下工序：(A)将包含特定钌化合物的原料气体导入处理气氛中，使该钌化合物沉积在所述基体上的工序；(B)将包含特定化合物的反应性气体导入处理气氛中，使其与沉积在所述基体上的特定钌化合物反应的工序。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]CVD用原料化合物以及钌或钌化合物薄膜的化学气相蒸镀方法无效

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