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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜的制造方法-CN202180077611.4在审
发明人： 西田章浩;畑濑雅子;吉野智晴;大江佳毅;满井千瑛 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有铪原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的铪化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在所述基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在300℃以上且小于450℃的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铪原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基。)
薄膜制造方法

[发明专利]薄膜的制造方法-CN202180077618.6在审
发明人： 西田章浩;畑濑雅子;吉野智晴;大江佳毅;满井千瑛 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有锆原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的锆化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在240℃以上450℃以下的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有锆原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基，但不包括R1和R2两者均为氢原子的锆化合物。)
薄膜制造方法

[发明专利]采用原子层沉积法的金属钌薄膜的制造方法-CN201980073135.1有效
发明人： 西田章浩;远津正挥 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明的在基体上通过原子层沉积法制造金属钌薄膜的方法的特征在于，包括以下工序：(A)将包含特定钌化合物的原料气体导入处理气氛中，使该钌化合物沉积在所述基体上的工序；(B)将包含特定化合物的反应性气体导入处理气氛中，使其与沉积在所述基体上的特定钌化合物反应的工序。
采用原子沉积金属薄膜制造方法

[发明专利]含氧化钇膜的制造方法-CN202080069857.2在审
发明人： 西田章浩;山下敦史 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及利用原子层沉积法的含氧化钇膜的制造方法，其包括以下工序：将含有三(仲丁基环戊二烯基)钇的薄膜形成原料气化而得到的原料气体导入处理气氛中，在基体上沉积三(仲丁基环戊二烯基)钇的工序；以及，使在所述基体上沉积的三(仲丁基环戊二烯基)钇与含有选自氧等离子体、臭氧、臭氧等离子体以及它们的混合物中的气体的反应性气体在处理气氛中反应，将钇氧化的工序。
氧化钇制造方法

[发明专利]二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和二氮杂二烯化合物-CN201680013777.9有效
发明人：吉野智晴;远津正挥;西田章浩;杉浦奈奈;樱井淳;冈部诚 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C07C251/08 文献下载
摘要：由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)
二氮杂二烯基化合物薄膜形成原料制造方法二氮杂二烯

[发明专利]化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和脒化合物-CN201780068589.0有效
发明人：吉野智晴;冈田奈奈;西田章浩;山下敦史 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2017-10-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C07F15/06 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R2表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)
化合物薄膜形成原料制造方法

[发明专利]二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、以及薄膜的制造方法-CN201780053070.5有效
发明人：吉野智晴;远津正挥;西田章浩;山下敦史 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C07C251/08 文献下载
摘要：本发明涉及下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。在通式(I)中，R1表示碳数1～6的直链或支链烷基，M表示镍原子或锰原子。特别地，在通式(I)中，R1为甲基的化合物由于蒸气压高，热分解开始温度高，因而适合用作利用CVD法或ALD法的薄膜形成用原料。
二氮杂二烯基化合物薄膜形成原料以及制造方法

[发明专利]原子层沉积法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇盐化合物-CN201980082940.0在审
发明人：樱井淳;畑濑雅子;吉野智晴;西田章浩;山下敦史 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：一种原子层沉积法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇盐化合物。(式中，R1表示氢原子或碳原子数1～5的烷基。R2和R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。z1表示1～3的整数。)
原子沉积薄膜形成原料制造方法以及盐化

[发明专利]原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法-CN201980027076.4在审
发明人：远津正挥;武田圭介;西田章浩 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明使用含有下述通式(1)所示的镁化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料，在基体的表面生产率良好地制造含有镁原子的薄膜。(式中，R1表示异丙基、仲丁基或叔丁基。)
原子沉积薄膜形成原料以及制造方法

[发明专利]金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法-CN201880052124.0在审
发明人：冈田奈奈;畑濑雅子;西田章浩;樱井淳 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明在于提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用该原料来形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法：[化1](式中，R1表示氢原子或者碳原子数1～4的烷基，R2表示异丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1‑乙基丙基或者叔戊基，R3表示氢或者碳原子数1～4的烷基，R4表示碳原子数1～4的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或者镥原子，n表示由M表示的原子的价数。但是，在M为镧原子的情况下，R2为仲丁基、叔丁基、仲戊基、1‑乙基丙基或者叔戊基)。
金属盐化薄膜形成料及制造方法

[发明专利]薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物-CN201880043465.1在审
发明人： 西田章浩;冈田奈奈;大江佳毅 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的，本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中，X表示卤素原子，R表示碳原子数1～5的伯烷基或仲丁基。]
薄膜形成式( 1 )新型化合物薄膜烷基卤素原子碳原子数生产性仲丁基搬运制造

[发明专利]金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法-CN201880037348.4在审
发明人：樱井淳;畑濑雅子;冈田奈奈;西田章浩 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C07C251/08 文献下载
摘要：本发明提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物:(式中，R
烷基碳数金属醇盐化合物钆原子钇原子钕原子铈原子镧原子式中

[发明专利]通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法-CN201880022667.8在审
发明人： 西田章浩;山下敦史 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本申请是一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法，其包括：将包含三(仲丁基环戊二烯基)钇的原料气体导入至处理气氛中，使三(仲丁基环戊二烯基)钇沉积于基体上的工序；以及，将包含水蒸气的反应性气体导入至处理气氛中，通过使其与沉积于所述基体上的三(仲丁基环戊二烯基)钇反应而对钇进行氧化的工序。
环戊二烯基仲丁基处理气氛沉积原子层沉积法水蒸气反应性气体氧化钇薄膜原料气体制造申请

[发明专利]铜化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法-CN201580024971.2有效
发明人：吉野智晴;远津正挥;樱井淳;西田章浩;冈部诚 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C07C215/08 文献下载
摘要：本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。
化合物薄膜形成料及制造方法

[发明专利]新型的化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法-CN201680025896.6在审
发明人：吉野智晴;远津正挥;西田章浩;杉浦奈奈 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C07F13/00 文献下载
摘要：本发明的新型化合物的特征在于，由下述通式(I)或(II)表示[式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～12的烃基，该烃基的氢原子也有时被Si(R3)3取代。其中，R1与R2为不同的基团。R3表示甲基或乙基，M表示金属原子或硅原子，n表示1～4的整数。]
新型化合物薄膜形成原料制造方法

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