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[发明专利]光学滤波器及其对应的制造方法-CN202111062406.9在审
发明人： O·勒内尔;S·佐尔;S·蒙弗莱 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光学滤波器及其对应的制造方法。一种光学滤波器，包括由第一材料制成的载体层。柱的周期性光栅以由特征尺寸配置的周期性图案布置在载体层上。立柱由第二材料制成。由第三材料制成的层包围柱的周期性光栅并覆盖载体层。第三材料具有不同于第二材料的折射率的折射率。柱的周期性光栅的特征尺寸小于干涉波长，并且被配置为在柱的周期性光栅上选择性地反射干涉波长处的光。
光学滤波器及其对应制造方法

[发明专利]双极型晶体管-CN202110967967.7在审
发明人： A·高蒂尔;E·布雷扎;P·舍瓦利耶 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，包括发射极、基极和集电极的堆叠。基极被构造为具有梳状物形状，包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中的指状物。
双极型晶体管

[实用新型]像素电路以及传感器-CN202120912221.1有效
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;F·拉兰尼 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及像素电路以及传感器。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分，并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分，该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分物理分离。利用本公开的实施例，当电荷存储区不在被读取的过程中时，大量电荷可以在电荷存储区中存储。
像素电路以及传感器

[实用新型]像素电路以及半导体器件-CN202120643620.2有效
发明人： T·贝尔热;M·奈扬斯;A·旺代勒·贝尔图;M·吉耶尔梅;P·布龙 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及像素电路以及半导体器件。一种像素电路，其特征在于，包括：包括导电元件的互连结构；绝缘层，在互连结构的表面上并且与表面接触，导电元件与表面共面；开口，穿过绝缘层到达导电元件；侧壁，延伸远离导电元件；电极，在导电元件上并且与导电元件接触、在侧壁上以及在绝缘层的表面上；以及膜，在电极上、在开口中以及在绝缘层的表面上，膜被配置为当在像素电路的工作波长处的射线到达像素电路时，将光子转换成电子‑空穴对。利用本公开的实施例，膜分层或破裂的风险为零或几乎为零。
像素电路以及半导体器件

[实用新型]微电子器件-CN202120260881.6有效
发明人： J·日默内·马蒂内 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及微电子器件。微电子器件包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管，通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极。通过本实用新型的实施例，可以在微电子器件的同一半导体衬底中集成两种类型的晶体管，而不会降低任一个的性能。
微电子器件

[实用新型]图像传感器-CN202022280879.3有效
发明人： L·迪扬;J·瓦扬 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及图像传感器。本公开涉及一种图像传感器，该图像传感器包括多个像素，这些像素形成在半导体衬底中以及在半导体衬底上，并且以具有N行和M列的矩阵的形式布置，其中N是大于或等于1的整数，并且M是大于或等于2的整数。多个微透镜面向衬底，并且微透镜中的每个微透镜与相应的像素相关联。微透镜以矩阵形式被布置在N行和M列中，并且在像素矩阵的行的方向上，微透镜矩阵的间距大于像素矩阵的间距。本实用新型的实施例提供了对现有图像传感器的改进，例如补偿收集表面的与像素的填充因子有关的损失，并且提高像素的灵敏度。
图像传感器

[实用新型]像素电路和电子装置-CN202120640663.5有效
发明人： T·贝尔热;D·让让 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及像素电路和电子装置。该像素电路包括：集成电路，包括：互连结构，具有表面和与表面齐平的导电元件；绝缘层，在互连结构的表面上并且与互连结构的表面接触，绝缘层在第一方向上具有第一尺寸；开口，穿过绝缘层到导电元件；电极，与导电元件接触，电极在第一方向上具有第二尺寸，第二尺寸小于第一尺寸，电极位于导电元件和开口的侧壁上；以及感光膜，在开口中、在电极上以及在绝缘层上。通过该像素电路，能够将感光膜中分层或开裂的风险降低至零或几乎为零。
像素电路电子装置

[发明专利]具有钉扎光电二极管的集成光学传感器-CN202110570140.2在审
发明人： D·迪塔特 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有钉扎光电二极管的集成光学传感器。集成光学传感器由钉扎光电二极管形成。半导体衬底包括具有第一导电类型的第一半导体区域，该第一半导体区域位于第二半导体区域与第三半导体区域之间，第二半导体区域具有与第一导电类型相对的第二导电类型，第三半导体区域具有第二导电类型。第三半导体区域与第二区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于衬底中。第三半导体区域包括硅和锗。在一个实现方式中，第三半导体区域内的锗具有至少一个浓度梯度。在另一实现方式中，第三半导体区域内的锗浓度是基本恒定的。
具有光电二极管集成光学传感器

[实用新型]包括双极晶体管的结构-CN202120426510.0有效
发明人： E·布雷扎;A·高蒂尔;F·德普拉;P·舍瓦利耶 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及包括双极晶体管的结构。一种包括双极晶体管的结构，双极晶体管包括集电极、基极和发射极，结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的堆叠，堆叠相继包括：第一电绝缘层；第二电绝缘层，在第一电绝缘层上并且与第一电绝缘层接触，其中第二电绝缘层由与第一电绝缘层的材料不同的材料制成；以及半导体层，堆叠包括延伸穿过堆叠以到达半导体衬底的窗口；其中集电极、基极的本征部分和发射极在窗口中在半导体衬底上相继堆叠；其中在集电极与基极的本征部分之间的结由第二电绝缘层包围；以及其中半导体层形成双极晶体管的基极的非本征部分。利用本公开的实施例，获得的双极晶体管更坚固，同时更容易在工业规模上制造。
包括双极晶体管结构

[发明专利]具有改进的电阻区域的集成电路-CN201710772702.5有效
发明人： B·弗罗门特;S·尼埃尔;A·雷尼耶;A·马扎基 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请涉及具有改进的电阻区域的集成电路。集成电路包括具有电隔离的半导体阱的半导体衬底。上部沟槽隔离件从半导体阱的正面延伸到距离阱的底部一定距离的深度。两个附加隔离区域与半导体阱电绝缘，并且沿第一方向在半导体阱的内部延伸，并且从半导体阱的正面垂直延伸到半导体阱的底部。至少一个经包围的电阻区域由两个附加隔离区、上部沟槽隔离件和半导体阱的底部来界定。电接触件被电耦合到经包围的电阻区域。
具有改进电阻区域集成电路

[发明专利]包括电荷存储区的像素电路-CN202110472524.0在审
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;F·拉兰尼 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及包括电荷存储区的像素电路。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分，并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分，该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分物理分离。
包括电荷存储像素电路

[发明专利]垂直量子晶体管-CN201810133350.3有效
发明人： A·高蒂尔;G·C·里贝斯 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及垂直量子晶体管。垂直晶体管包括在绝缘体层内延伸的栅极导体的两个部分。通过绝缘体层延伸的开口包括通过外延操作形成的源极区域、沟道区域和漏极区域。栅极导体的部分的厚度在沟道区域附近减小。
垂直量子晶体管

[实用新型]集成电路-CN202022929208.5有效
发明人： J-P·雷纳尔;S·德尔梅迪科;P·布龙 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路。例如，提供了一种集成电路，包括：第一绝缘层；第二绝缘层，位于第一绝缘层上；第三绝缘层，位于第二绝缘层上；电接触件，穿过第一绝缘层；部件，具有位于第二绝缘层中、第二绝缘层的上表面层级下方的电接触区域；第四绝缘层，位于第三绝缘层的上表面上；以及互连结构的第一金属层级，包括从第四绝缘层的上表面延伸到接触区域并且部分地设置在第二绝缘层上并与第二绝缘层接触的部分。
集成电路

[发明专利]光传感器的像素及其制造方法-CN202110338833.9在审
发明人： T·贝尔热;D·让让 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及光传感器的像素及其制造方法。用于制造像素的方法包括：在集成电路的互连结构的裸露面上沉积绝缘层，互连结构具有与裸露面齐平的导电元件；蚀刻出穿过绝缘层到导电元件的开口；沉积位于导电元件和绝缘层上并与导电元件和绝缘层接触的电极层；执行化学机械平坦化直到绝缘层，电极层留在开口中的一部分形成电极；以及沉积膜，该膜被配置为当处于像素的操作波长的射线到达像素时，将光子转换成电子‑空穴对。
传感器像素及其制造方法

[发明专利]具有两个相变存储器的电子芯片-CN202110343158.9在审
发明人： R·贝特隆;F·亚瑙德 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有两个相变存储器的电子芯片。电子芯片包括：第一基本单元的第一阵列和第二基本单元的第二阵列，第一基本单元和第二基本单元形成两种类型的相变存储器，相变存储器具有由相变材料的体积形成的存储元件，该相变材料的体积取决于所存储的位而具有晶态或非晶态。每个第一基本单元包括第一相变材料的体积，并且每个第二基本单元包括与第一材料不同的第二相变材料的体积。每个基本单元包括加热连接器，加热连接器被配置用于加热电流的通道，该加热电流适于引起基本单元的相变材料的体积的相变。
具有两个相变存储器电子芯片