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[发明专利]光传感器的像素电路及其制造方法-CN202110343273.6在审
发明人： T·贝尔热;M·奈扬斯;A·旺代勒·贝尔图;M·吉耶尔梅;P·布龙 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种光传感器的像素电路及其制造方法。用于制造像素电路的方法包括：在集成电路的互连结构的暴露面上沉积绝缘层，该互连结构具有与所述暴露面齐平的导电元件；以及蚀刻穿过绝缘层到达导电元件的开口；将电极层沉积在导电元件和绝缘层上并且与导电元件和绝缘层接触；通过去除(通过蚀刻)位于绝缘层上的电极层的一部分来限定电极；以及沉积膜，该膜被配置为当在像素电路的工作波长处的射线到达像素电路时，将光子转换成电子‑空穴对。
传感器像素电路及其制造方法

[实用新型]图像传感器和成像像素-CN202021414996.8有效
发明人： F·罗伊;A·苏勒 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器和成像像素。图像传感器包括多个像素，每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域，电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光敏区域上方；以及竖直堆叠，其包括竖直传输栅极和竖直电绝缘壁，该堆叠穿过衬底并与电荷收集区域接触，该栅极被布置在衬底的上表面侧上并且比电荷收集区域更深地穿透到衬底中。
图像传感器成像像素

[发明专利]用于集成电路本体偏置的方法和电路-CN201710337951.1有效
发明人： F·卡绍;V·于阿尔 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H03K17/284 文献下载
摘要：本发明涉及用于集成电路本体偏置的方法和电路，例如，一种集成电路，包括：多个电路域(102，104，106，108)，每个电路域包括：多个晶体管器件，这些晶体管器件定位在p型阱和n型阱(P，N)之上，这些晶体管器件限定该电路域的一个或多个数据路径；监测电路(116)，该监测电路被适配成用于检测该电路域的这些数据路径中的至少一个数据路径的松弛时间何时降至阈值水平以下并且用于基于该检测在输出线上生成输出信号；以及偏置电路(110)，该偏置电路被适配成用于修改该电路域的该n型和/或p型阱的偏置电压。
用于集成电路本体偏置方法电路

[发明专利]波导-CN201910818569.1有效
发明人： C·鲍多特;S·盖尔贝;P·勒迈特瑞 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(ALPS)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及波导。在一个实施例中，波导包括上游部分、下游部分和上游部分和下游部分之间的中间部分。第一波带设置在绝缘层上，该第一波带沿第一方向定向。第一侧向条带和第二侧向条带，设置在第一波带的任一侧，该第一侧向条带和第二侧向条带沿中间部分变薄或者中断。
波导

[发明专利]制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管-CN202110218774.1在审
发明人： E·布雷扎;A·高蒂尔;F·德普拉;P·舍瓦利耶 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管。一种制造双极晶体管的方法，包括在衬底上形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的堆叠。在堆叠中形成开口以到达衬底。外延工艺在衬底上形成晶体管的集电极，并且在第三层中选择性地蚀刻环形开口。然后通过集电极上的外延形成基极的本征部分，本征部分通过环形开口与第三层分离。在集电极与基极的本征部分之间的结由第二层包围。在本征部分上形成发射极并且移除第三层。在第二层上选择性沉积半导体层并与本征部分直接接触形成基极的非本征部分。
制造双极晶体管方法通过这种方法获得

[实用新型]光传感器-CN202022968391.X有效
发明人： O·勒内尔;S·蒙弗莱 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光传感器。光传感器包括多个像素；其中每个像素包括光转换区域；其中多个像素包括第一像素和第二像素；第一带阻法诺谐振滤波器，设置在第一像素之上；以及其中第二像素不包括法诺谐振滤波器。利用本公开的实施例，可以实现包括数十或甚至数百个具有不同中心频率的法诺谐振滤波器，这使得能够在数十个或甚至数百个的波长范围内分析光。
传感器

[发明专利]一种PNP型双极晶体管制造方法-CN202110551865.7在审
发明人： P·舍瓦利耶;G·阿弗尼耶 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：一种与制造NPN、NMOS、和PMOS晶体管并行地制造PNP晶体管的方法，该PNP双极晶体管制造方法包括以下连续步骤：在P型掺杂半导体衬底上沉积第一半导体层，该第一半导体层被划分为第一、第二和第三区域；向该衬底中深注入绝缘阱；在所述第二和第三区域与所述绝缘阱之间注入分别为第一N型、第二P型和第三P型掺杂阱；在该第三区域上沉积第一绝缘层以及在该第一绝缘层上方可选择性蚀刻的第二绝缘层，并且创建掩膜；在该掩膜中选择性外延第二P型掺杂半导体层。
一种 pnp 双极晶体管制造方法

[发明专利]制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法-CN202110127097.2在审
发明人： J·日默内·马蒂内 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8228 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件，包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极，并且该P掺杂区与P+掺杂区电接触；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极，并且该N掺杂区与N+掺杂阱电接触。
制造包括 pnp 双极晶体管 npn 器件方法

[发明专利]光传感器-CN202011456193.3在审
发明人： O·勒内尔;S·蒙弗莱 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及光传感器。光传感器包括第一像素和第二像素。每个像素具有光转换区域。带阻法诺谐振滤波器被布置在第一像素之上。第二像素不包括法诺谐振滤波器。从第一像素和第二像素输出的信号被处理以确定表示在带阻法诺谐振滤波器的阻带中的照射阶段期间由光传感器接收的光量的信息。
传感器

[发明专利]用于在集成电路内制造JFET晶体管的方法及对应的集成电路-CN201610324289.1有效
发明人： J·希门尼斯 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及用于在集成电路内制造JFET晶体管的方法及对应的集成电路。根据本发明的用于制造BiCMOS类型的集成电路(CI)的方法包括制造至少一个垂直结场效应晶体管(T1)，其包括形成具有通过光刻控制的有源表面(D)的临界尺寸的沟道区域(ZC)。
用于集成电路制造 jfet 晶体管方法对应

[实用新型]光传感器-CN202022118251.3有效
发明人： S·蒙弗莱;O·勒内尔;F·伯夫 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光传感器。实施例提供了一种光传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；以及多个像素，其中每个像素包括：光转换区，在半导体衬底的正面与背面之间的半导体衬底中延伸；以及光学衍射光栅，位于半导体衬底的背面上方、并且面向像素的光转换区；其中多个像素中的一个像素的光学衍射光栅和多个像素中的另一像素的光学衍射光栅的节距不同。利用本公开的实施例，允许在大量的窄波长范围内对接收光进行分析。
传感器

[发明专利]集成电路的互连结构-CN202011430343.3在审
发明人： J-P·雷纳尔;S·德尔梅迪科;P·布龙 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路的互连结构。例如，提供了一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法。该集成电路包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。电接触件穿过第一绝缘层，并且具有电接触区域的部件位于第二绝缘层中。该方法包括与接触区域垂直对齐地在第三层中蚀刻第一开口。沉积第四绝缘层以填充开口，并且通过穿过第三绝缘层中的开口来蚀刻第二开口直到接触区域。通过用金属填充第二开口来形成金属层级。
集成电路互连结构

[发明专利]被保护免受后面攻击的芯片-CN201710488773.2有效
发明人： S·珀蒂迪迪埃;N·奥特利耶;R·A·比安基;A·法希;B·弗罗门特 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开涉及被保护免受后面攻击的芯片，例如，本公开涉及一种半导体芯片，该半导体芯片包括从前面到背面穿过该芯片的至少两个绝缘通孔(8)，其中，在该后面侧上，这些通孔连接至同一导电带(12)并且在该前面侧上，每个通孔通过电介质层(6)与导电焊盘(3，4)分离开。
保护免受后面攻击芯片

[实用新型]相位调制器和光子集成电路-CN202021724412.7有效
发明人： S·克勒梅;F·伯夫;S·蒙弗莱 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及相位调制器和光子集成电路，相位调制器包括：波导，其中波导被配置为传播光学信号；以及光学透明导电层，光学透明导电层对光学信号的波长透明，其中光学透明导电层与波导的至少一个面接触，或者与至少一个面分隔开一距离，距离小于光学信号的波长的一半。
相位调制器光子集成电路

[实用新型]图像传感器-CN202020983161.8有效
发明人： P·马林格;F·拉兰尼;L·希莫尼 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及图像传感器。图像传感器包括像素，每个像素包括：第一晶体管和第一开关，其串联连接在像素的第一节点与内部节点之间，第一节点被配置为接收第一电势，第一晶体管的栅极与像素的浮动扩散节点耦合；电容性元件，其第一端子连接到像素的浮动扩散节点；以及若干个组件，每个组件包括电容，该电容与第二开关串联连接，该第二开关将电容耦合到内部节点。该传感器还包括控制电路，该控制电路被配置为当每一次电压被存储在像素的组件中的一个组件中时，控制像素的浮动扩散节点与内部节点之间的电势差增加确定值。本公开的实施例能够减轻甚至消除像素中电压偏移。
图像传感器