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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有选通子阵列操作的模块化存储器架构-CN202210955667.1在审
发明人： H·拉瓦特;P·K·维玛;P·库玛;C·勒科克 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有选通子阵列操作的模块化存储器架构。一种存储器电路包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列布置有连接到存储数据的较低有效位的第一子阵列的第一字线和连接到存储数据的较高有效位的第二子阵列的第二字线。耦接到第一字线和第二字线的行解码器电路生成字线信号。字线选通电路被配置为响应于最大值信号的断言而选择性地选通字线信号向第二子阵列的第二字线的传递。数据修改电路对从存储器单元阵列读取的数据执行数学操作，并且如果对来自第一子阵列的数据的较低有效位所执行的数学操作而产生最大数据值，则断言最大值信号。
具有选通子阵列操作模块化存储器架构

[实用新型]集成电路-CN202222186695.X有效
发明人： S·德尔梅迪科;J-C·格雷尼尔;J-C·吉劳丁;P·科瓦尔奇克;F·皮亚扎 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路。集成电路，包括：半导体层；半导体层上的互连结构，互连结构包括绝缘层和互连元件，互连元件至少部分地延伸穿过绝缘层并与互连结构的第一表面齐平；在互连结构的第一表面上的保护层，保护层的第一表面是脊和槽的交替。本公开的方案能够克服树脂在与互连结构接触的水平上分层的的缺陷。
集成电路

[发明专利]光学传感器-CN202210888290.2在审
发明人： A·克罗彻瑞;O·勒布里兹 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光学传感器。光学传感器包括像素，每个像素由光电检测器和在光电检测器顶部的远心系统形成。每个远心系统包括：具有面向光电检测器的开口的不透明层和面向每个开口并布置在不透明层和光电检测器之间的微透镜。每个像素还包括微透镜和光电检测器之间的滤光器。滤光器例如可以是干涉滤光器，基于衍射光栅的滤光器或基于亚表面的滤光器。
光学传感器

[发明专利]电子管芯测试器件和方法-CN202210914411.6在审
发明人： P·G·卡佩莱蒂;F·皮亚扎;A·雷达埃利 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子管芯测试器件和方法。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触。延伸穿过第一绝缘层的第二导电通孔的第一端与相变材料层和导电轨两者接触，并且第二导电通孔的第二端仅与绝缘区接触。
电子管芯测试器件方法

[发明专利]图像传感器芯片-CN201710362700.9有效
发明人： L·盖伊;F·居亚代 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器芯片，该图像传感器芯片包括：半导体层(3)，该半导体层用于接收在其背面(F2)一侧上的照明，并且包括像素矩阵(1)；互连结构(7)，该互连结构被安排在该半导体层(3)的前面(F1)上；载体(21)，该载体被安排在该互连结构(7)上，该载体的第一面(F3)在前面(F1)一侧上；以及环形沟槽(49)，该环形沟槽被安排在该芯片(5)周边，该沟槽从该载体(21)的第二面(F4)延伸穿过该载体的整个厚度。
图像传感器芯片

[发明专利]锗光电二极管-CN201910169561.7有效
发明人： C·鲍多特;N·维利耶;S·克勒梅;D·佩利谢尔-塔农 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及锗光电二极管。光电二极管包括由本征锗形成的有源区域。有源区域位于在硅层中形成的腔内。腔由相对的侧壁限定，侧壁相对于与硅层的底表面垂直的方向成角度。成角度的侧壁支持具有最小晶格缺陷的本征锗的外延生长。
光电二极管

[发明专利]相变存储器-CN202210763370.5在审
发明人： L·法韦内克;F·皮亚扎 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：公开了一种相变存储器。一种用于制造相变存储器的方法，包括形成相变存储器单元阵列的步骤，每个单元与阵列的同一行中的相邻单元间隔相同的第一距离并与阵列的同一列中的相邻单元间隔相同的第一距离。该方法还包括在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一个存储器单元，其中N至少等于2。
相变存储器

[发明专利]全局快门成像器装置-CN201910984345.8有效
发明人： P·马林格 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H04N25/60 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及全局快门成像器装置。成像器装置的像素包括被配置为对光信号进行积分的光敏区域。第一电容性存储节点被配置为接收表示由光敏区域生成的电荷的数目的信号。第二电容性存储节点被配置为接收参考信号。第一转移晶体管被耦合在第一电容性存储节点与光敏区域之间。第二转移晶体管被耦合在第二电容性存储节点与提供参考信号的端子之间。第一和第二两个转移晶体管具有公共传导电极和公共衬底，其中该公共衬底被耦合到第一电容性存储节点。
全局快门成像装置

[发明专利]光子器件及其制造方法-CN201910128616.X有效
发明人： S·蒙弗莱;F·伯夫 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光子器件及其制造方法。一种光子器件，包括具有第一掺杂类型的第一区域和具有第二掺杂类型的第二区域，其中第一区域和第二区域接触以形成垂直PN结。第一区域包括具有渐变锗浓度的硅锗(SiGe)区域。
光子器件及其制造方法

[发明专利]光子IC芯片-CN202010232161.9有效
发明人： F·伯夫;L·马吉 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及光子IC芯片。一种光子集成电路芯片包括限定在第一层中的垂直光栅耦合器。第二绝缘层覆盖垂直光栅耦合器，并且具有金属层级的互连结构嵌入第二绝缘层中。腔体在深度上延伸穿过第二绝缘层直到在耦合器与最接近耦合器的金属层级之间的中间层级。腔体具有横向尺寸，使得腔体能够容纳用于保持光纤阵列的块，光纤阵列旨在光学耦合到耦合器。
光子 ic 芯片

[发明专利]光传感器-CN202210690867.9在审
发明人： A·克罗彻瑞;S·维伦纳夫;F·巴多内 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光传感器。本公开涉及一种图像传感器，其包括光电材料的第一层和位于所述第一层与所述传感器的被配置为接收光线的面之间的衍射光栅。
传感器

[发明专利]背面照射图像传感器和制造方法-CN202210691110.1在审
发明人： M·杜瓦 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及背面照射图像传感器和制造方法。集成传感器包括由具有第一光学折射率的第一半导体材料制成的衬底。该衬底包括像素阵列，其中每个像素具有由折射对比区形成的光敏有源区，该折射对比区包括第一半导体材料的基质和嵌入该基质中的周期性结构。周期性结构从衬底的背面延伸并且在与背面平行的平面中具有二维周期性。周期性的值与光信号的波长和第一折射率相关联。周期性结构的元件由具有小于第一折射率的第二折射率的第二光学透明材料形成。这些元件位于由周期性限定的位置处，除了在限定区域的一个位置处，优选地在中心，该区域没有元件中的对应的元件。
背面照射图像传感器制造方法

[发明专利]光敏传感器以及对应的制造方法-CN202210681758.0在审
发明人： F·罗伊 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体材料中，读取区在第二半导体材料中，传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体材料和第二半导体材料具有不同带隙，并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。
光敏传感器以及对应制造方法

[实用新型]集成电路及标准单元-CN202123172842.X有效
发明人： O·韦伯;C·勒科克 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路及标准单元，集成电路包括：绝缘体上硅衬底；至少一个第一标准单元，由两个第二标准单元框定，该三个单元被彼此相邻设置，每个单元包括：位于绝缘体上硅衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管，第一标准单元的至少一个PMOS晶体管具有包括硅和锗的沟道，每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管具有硅沟道，每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压与第一标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压在绝对值上不同。本公开可以解决集成电路中的表面拥挤问题。
集成电路标准单元

[实用新型]电子器件和半导体结构-CN202122608962.3有效
发明人： P·波伊文;R·西莫拉;Y·穆斯塔法-拉保尔特 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及电子器件和半导体结构。本说明书涉及包括相变存储器单元的器件，每个存储器单元包括与由相变材料制成的第二元件横向接触的第一电阻元件。本实用新型的实施例提供了对电子器件的改进，例如可以降低功率损失。
电子器件半导体结构

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