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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]集成电路-CN201620586172.6有效
发明人： J·希门尼斯 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路。集成电路包括位于半导体衬底的有源区域之中和之上的MOS晶体管。有源区域由例如浅槽隔离型的绝缘区域界定。晶体管的漏极区域与绝缘区域分离地设置在半导体衬底中。晶体管的绝缘栅极包括与漏极区域对准的中心开口。晶体管的沟道区域环状围绕漏极区域。根据本申请的方案，可以通过使用对制造工艺变化不太敏感的晶体管结构来降低1/f噪声。
集成电路

[发明专利]用于形成SOI类型衬底的方法、对应衬底和集成电路-CN201510844328.6在审
发明人： D·佩蒂特;F·蒙塞尤尔;X·费德斯佩尔;G·比达尔 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供了一种用于形成SOI类型衬底的方法、对应衬底和集成电路。该方法包括从在本身位于载体衬底顶部的掩埋绝缘层顶部上具有半导体膜的绝缘体上硅类型的初始衬底形成绝缘体上硅类型的衬底。进行对半导体膜的厚度的局部修改，以形成在不同区域中具有不同厚度的半导体膜。
用于形成 soi 类型衬底方法对应集成电路

[实用新型]电光器件-CN201620199552.4有效
发明人： P·勒迈特里;J-F·卡彭蒂尔;C·鲍多特;J-R·马诺弗利尔 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型的实施方式涉及电光器件。该电光(E/O)器件包括：具有输入以及第一和第二输出的第一非对称光耦合器；耦合到第一非对称光耦合器的第一输出的第一光波导臂；以及耦合到第一非对称光耦合器的第二输出的第二光波导臂。至少一个E/O调幅器耦合到第一和第二光波导臂中的至少一个光波导臂。光组合器在至少一个E/O调幅器的下游耦合到第一和第二光波导臂。
电光器件

[实用新型]集成电路-CN201520976019.X有效
发明人： E·珀林 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及一种集成电路，包括SOI类型的衬底，包括位于埋设绝缘层之上的半导体膜，所述埋设绝缘层自身位于支撑衬底之上，所述半导体膜包括第一区域，位于所述半导体膜的第一区域之上的形成第一MOS晶体管的栅极区域和第一虚设栅极区域的第一图案，所述半导体膜的所述第一区域包括相互间隔开的两个畴域，所述间隔由至少一种绝缘材料填充并且位于在所述支撑衬底的区域之上的两个虚设栅极区域之间而不具有绝缘沟槽。
集成电路

[实用新型]针扎光电二极管以及电子器件-CN201520748643.4有效
发明人： L·法韦内克;D·迪塔特;F·鲁瓦 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开涉及针扎光电二极管以及电子器件，该针扎光电二极管包括：第一导电类型的转换区域，形成在第二导电类型的衬底上，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；所述第二导电类型的扩散层，形成在所述转换区域上；和重掺杂绝缘体层，所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层，所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。
光电二极管以及电子器件

[实用新型]集成电路-CN201520975979.4有效
发明人： E·佩蒂特普瑞兹 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型的各个实施例涉及集成电路。集成电路包括有源区，该有源区位于半导体衬底之上。空腔与有源区接界，并且在绝缘区中尽可能远地延伸到半导体区域的附近。提供绝缘多层，并且导电接触在该绝缘多层内延伸以存在于有源区上并且进入到空腔内。绝缘多层包括第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖了在接触外部的有源区并且衬覆空腔的壁。附加绝缘层覆盖了第一绝缘层的衬覆空腔的壁的部分。接触到达在空腔中的附加绝缘层。绝缘区域位于由围绕接触的绝缘材料制成的附加绝缘层和第一绝缘层之上。
集成电路

[实用新型]集成电路-CN201520967415.6有效
发明人： D·格兰斯基;G·比达尔;S·让诺 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种集成电路，包括第一区，包括绝缘体上硅型的衬底，所述绝缘体上硅型的衬底包括在掩埋绝缘层上的半导体膜，所述掩埋绝缘层在载体衬底上；第二区，包括所述载体衬底和所述掩埋绝缘层但是不存在所述半导体膜；第一晶体管，在所述第二区中，包括置于所述载体衬底上并且由所述掩埋绝缘层的一部分形成的第一栅极电介质区域。
集成电路

[实用新型]电子器件-CN201520964578.9有效
发明人： N·奥特利耶;R·富尔内尔;F·加内塞罗;F·居亚代;V·菲奥里 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子器件，具有后板，该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。
电子器件

[实用新型]具有简化的互连布线的背照射集成成像设备-CN201520749011.X有效
发明人： F·居亚代;J-P·奥杜;S·阿莱格雷特-马雷;M·格罗-让 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种背照射集成成像设备，由包括由电容性深沟槽隔离界定的像素区的半导体衬底形成。外围区位于所述像素区外侧。连续导电层在所述像素区中形成在针对每个电容性深沟槽隔离的沟槽中的电极并且在所述外围区中形成用于将所述电极电耦合到偏置接触焊盘的重新分布层。所述电极位于所述沟槽中的沟槽电介质与用于填充所述沟槽的至少一种材料之间。
具有简化互连布线照射集成成像设备

[实用新型]热电发生器和集成电路-CN201520742953.5有效
发明人： E·杜伯伊斯;J-F·罗比拉;S·蒙弗莱;T·斯科特尼基 -专利权人： 意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种热电发生器和集成电路，热电发生器包括半导体隔膜，所述半导体隔膜包含至少一个PN结，所述至少一个PN结悬置在被设计用于耦合至冷的热源的第一支座与被设计用于耦合至热的热源的第二支座之间。
热电发生器集成电路

[实用新型]图像传感器-CN201520727662.9有效
发明人： N·阿米德;M·马蒂 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及图像传感器。一种图像传感器包括：半导体层；安置在半导体层的背侧上的绝缘层的堆叠；沿着堆叠的高度的一部分延伸并且与堆叠的暴露的表面齐平的导电层部分、从半导体层的前侧穿过其延伸并且穿透到所述层部分中的侧面绝缘的导电指、将像素区域分离的侧面绝缘的导电壁，这些壁从半导体层的前侧穿过其延伸并且具有比指低的高度以及安置在半导体层的前侧上并且包括与指接触的过孔的互连结构。
图像传感器

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