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[发明专利]一种用于晶片允收测试的测试结构-CN201810326573.1在审
发明人：赵峰;许秋林 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于晶片允收测试的测试结构，所述测试结构包括多个过孔、顶端金属层以及底端金属层，其中，多个过孔通过交替的顶端金属层和底端金属层将多个过孔连接为过孔链，过孔链中过孔的间距范围为0.1um‑10um；多个过孔包括多个子区间，各子区间内的过孔之间具有不同的间距；多个过孔组成过孔阵列，过孔阵列包括多个子区域，各子区域内的过孔之间具有不同的间距。该测试结构由多种间距过孔的排布，使得对不同间距大小敏感的异常都能捕捉到，从而在晶片允收测试中，在体现过孔链的阻值上，能够更为准确、有效地实现过孔工艺的监控。
测试结构允收测试晶片孔链顶端金属层金属层孔阵列底端有效地实现交替的子区间子区域排布捕捉监控敏感

[发明专利]一种存储器读取速度测量电路-CN201810035251.1在审
发明人：唐明;马继荣 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器读出速度测量电路，所述测量电路包括读取操作电路、锁存器和二路选择器，其中，读取操作电路连接锁存器，二路选择器连接并控制锁存器，二路选择器内置内部定时信号、读取时钟和读取速度测试模式开关信号，读取操作电路读取存储器中的存储数据，并将所读取的存储数据传送给锁存器，锁存器锁存保持住所读取的存储数据。本发明在存储器内部增加一个二路选择器来控制存储器读出数据锁器，不仅实现保留原有的正常读取操作，还增加读取速度测试模式，仅通过调整存储器输入的读取时钟占空比就可以准确测量存储器的读取速度，而不受到芯片内部数据传输延时的干扰，能够精确、简单方便、低成本地实现存储器的读取速度的直接测量。
读取存储器二路选择器读取操作锁存器存储数据速度测量电路速度测试模式开关信号内部定时信号芯片内部数据存储器读取控制存储器控制锁存器时钟占空比测量电路传输延时电路读取电路连接读出数据直接测量准确测量低成本原有的内置锁存锁器读出电路传送保留

[发明专利]一种应用于flash结构存储器的共享电荷泵系统-CN201711495611.8在审
发明人：于海霞;马继荣 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于flash存储器的共享电荷泵系统，包括前驱动级电荷泵、共享级电荷泵、正高压电荷泵专用级、负高压电荷泵专用级、第一控制开关和第二控制开关，其中，共享电荷泵系统中的储能电容分为第一储能电容、第二储能电容和第三储能电容。本发明基于flash结构存储器的器件特性，不同状态的正高压或负高压电荷泵使用，选择性共享一级电荷泵，有效地减小了电荷泵系统的面积，同时，也节省版图面积，降低生产成本。
电荷泵系统储能电容共享电荷泵负高压电荷泵结构存储器正高压电荷泵器件特性前驱动有效地正高压减小应用

[发明专利]一种有软启动保护的稳压电路-CN201711481135.4在审
发明人：马继荣 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种有软启动保护的稳压电路包括误差放大器、输出级PMOS晶体管、电阻、电容、软启动保护电路和地线GND，软启动保护电路的开启和关闭只和上电检测复位信号有关，当上电检测复位信号时为复位状态时，软启动保护电路开启；当上电检测复位信号时为退出复位状态时，软启动保护电路关闭，因此本发明的有软启动保护的稳压电路能有效的避免外部电压VCC上电过程中VDD的充电过高的问题，并且，在芯片完成上电的稳定工作过程中，软启动保护电路不会对稳压电路的正常工作产生任何影响；而且在芯片完成上电的稳定工作过程中，软启动保护电路总功耗为0。
软启动保护电路稳压电路复位信号上电检测软启动稳定工作过程复位状态上电芯片误差放大器上电过程外部电压输出级总功耗电容地线电阻充电退出

[发明专利]一种占空比可控的振荡器电路-CN201711422260.8在审
发明人：马继荣;武晓伟 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H03K5/156 文献下载
摘要：本发明提供了一种占空比可控的振荡器电路，所述振荡器电路包括振荡环路电路、电平检测电路、翻转阈值检测电路和误差比较电路，其中，振荡环路电路由奇数级反相器、充电电流源和放电电流源组成，电平检测电路和翻转阈值检测电路同时连接误差比较电路，振荡环路电路产生的振荡信号输入到电平检测电路，电平检测电路输出电平信号，翻转阈值检测电路输出电压信号，电压信号与电平信号一起输入到误差比较电路中，误差比较电路的输出端连接到振荡环路电路，调节振荡环路电路中充电电流的大小。本发明实现了振荡器电路最终输出的时钟信号占空比值保持在50%，且该占空比值不随工艺的波形而发生变化。
振荡环路电平检测电路误差比较电路振荡器电路阈值检测电路电路翻转可控的占空比输出电压信号充电电流源放电电流源输出端连接充电电流电路产生电平信号电压信号时钟信号输出电平振荡信号反相器奇数级输出

[发明专利]一种快速掉电接触式读卡器-CN201711356762.5在审
发明人：王飞;王强;王琨;高月 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-12-16 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种快速掉电接触式读卡器，所述读卡器包括微处理器、智能卡读卡芯片和掉电泄放电路，其中，掉电泄放电路由开关电路和泄放电路组成，掉电泄放电路与智能卡连接，微处理器通过微处理器GPIO接口连接并控制掉电泄放电路，智能卡读卡芯片与掉电泄放电路连接，智能卡读卡芯片与外部智能卡进行数据通信。本发明的掉电泄放电路利用开关电路切断智能卡读卡芯片与智能卡的供电与通信，泄放电路将智能卡接口连接到地短路泄放能量，在满足智能卡1.8V、3.0V和5.0V电压等级下，所有信号无损耗传输，且在10纳秒内使智能卡完全掉电，并精准测试智能卡在异常情况下掉电保护功能是否生效，智能卡是否损坏或者性能受到影响。
智能卡泄放电路掉电读卡芯片微处理器接触式读卡器掉电保护功能开关电路切断智能卡接口开关电路数据通信读卡器无损耗短路泄放测试传输供电外部通信

[发明专利]一种新的智能卡印刷对位识别图形方法-CN201711282944.2在审
发明人：陈志龙;孙晓红;肖金磊;王征;左永刚 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种新的智能卡印刷对位识别图形方法，所述智能卡包括卡体、透明膜体和卡片。首先，该智能卡印刷对位识别图形方法通过在卡体和透明膜体上制成标记图形，并用黑色油墨印刷卡体上的标记图形，在卡体的表面覆盖刻蚀过的透明膜体，最后，通过对位识别图形的位置定位横向位置和纵向位置，完成对位识别图形。这种方法能够显著降低覆膜时精度要求，并解决了智能卡制卡设备不能识别金属箔的技术难题。
智能卡卡体透明膜体印刷对位标记图形对位表面覆盖黑色油墨横向位置技术难题精度要求位置定位制卡设备纵向位置金属箔覆膜刻蚀卡片并用印刷

[发明专利]一种新的闪存存储单元-CN201711173900.6在审
发明人：邢庆凯;陈凝;肖金磊;岳超 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供了一种新的闪存存储单元，包括硅衬底、导体、绝缘层和导线，其中，硅衬底分为P掺杂区、第一N掺杂区和第二N掺杂区；导体分为第一导体和第二导体，第二导体位于第一导体之上，第一导体嵌入在第一N掺杂区和第二N掺杂区之间，并在P掺杂区的上面，并被绝缘层包围；导线分为第一、第二和第三导线，第一导线与第一N掺杂区相连接，第二导线与第二导体相连接，第三导线与第二N掺杂区相连接；由于闪存存储单元在编程的擦和写过程中，电子分别通过不同区域氧化层的方案，所获得的有益效果是，减少了氧化层陷阱电荷产生的概率，提高可靠性。
导体闪存存储单元绝缘层硅衬底氧化层陷阱电荷编程嵌入包围概率

[发明专利]一种新的双界面卡片结构及封装方案-CN201710845675.X在审
发明人：陈志龙;孙晓红;孟红霞;王征;左永刚 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提供一种新双界面卡片结构及封装方案。所述卡片包括条带、正面印刷层、中间层和背面印刷层，其中，正面印刷层的厚度比条带的厚度厚100微米以上；正面印刷层、中间层和背面印刷层依次用层压方式压合在一起，条带与正面印刷层之间通过热熔胶粘合，条带上的金属触点与中间层上的外焊盘之间通过导电胶实现电气导通。所提供的新双界面卡片的封装方案，不需要环氧玻璃布覆铜工艺条带，在进行制卡封装时，不再需要绕线以及挑线，直接铣槽封装，设备完全可以和现有电信制卡设备共用，这极大地简化制卡工艺，也降低制卡成本。
条带封装正面印刷双界面中间层制卡卡片结构印刷层背面卡片层压方式电气导通环氧玻璃金属触点制卡设备导电胶厚度比热熔胶外焊盘粘合绕线挑线铣槽压合电信

[发明专利]一种针对SM4密钥扩展算法的模板攻击方法-CN201710542235.7在审
发明人：孙磊;康博;柴森 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种针对SM4密钥扩展算法的模板攻击方法，以密钥扩展算法中加密密钥MK异或系统参数FK的计算过程为模板攻击目标，依次攻击16个SM4密钥字节的每一个字节，在密钥扩展算法迭代运算之前的异或运算，使用ID模型作为模板的分类标准，直接对SM4密钥本身进行建模，仅使用2⁸猜测空间，就能直接得到SM4密钥。
密钥扩展算法密钥攻击迭代运算分类标准攻击目标计算过程加密密钥系统参数异或运算建模异或

[发明专利]用于自动记录存储器冗余页错误地址的测试装置及方法-CN201710165743.8在审
发明人：董宇;季雨;张章;乔瑛 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动记录存储器冗余页错误地址的测试装置，包括地址加密单元、硬件校验单元、冗余页替换控制单元和存储器，其中，地址加密单元用于对测试操作地址进行加密处理；硬件校验单元对存储器的物理空间进行功能校验，生成校验错误信号；冗余页替换控制单元内含冗余页替换记录寄存器，将校验出错的存储器坏页物理地址标记为错误地址，存入冗余页替换记录寄存器；存储器访问到存储器的坏页时，冗余页替换控制单元自动识别已经保存的错误地址，并自动使用存储器的冗余页替换存储器的坏页，完成冗余页替换。本发明基于安全存储器，采用硬件自动记录冗余替换页地址的方法，硬件实现要比软件程序扫描省时，具有高效、适用范围广等特点。
冗余替换存储器错误地址自动记录地址加密单元存储器冗余测试装置校验单元校验寄存器安全存储器存储器访问替换存储器测试操作错误信号功能校验加密处理软件程序物理地址物理空间硬件实现自动识别页地址省时记录出错扫描保存

[发明专利]一种时钟分频电路及其分频方法-CN201710122850.2在审
发明人：张章;张召旭;乔瑛;侯书珺;丁义民 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H03K23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟分频电路及其分频方法。该时钟分频电路包括计数器、第一锁存器、第二锁存器、反相器、同步器和与门，其中，计数器的输出端连接第一锁存器的输入端，第一锁存器的输出端连接与门的输入端，计数器的输出端连接同步器的输入端，同步器输出端连接第二锁存器的输入端，第二锁存器的输出端连接与门的输入端，反相器的输出端连接第二锁存器的输入端，外部输入信号作为时钟源时钟输入计数器、第一锁存器和反相器；本发明由于采用了三分之二时钟分频电路和分频方法，能够更好地实现芯片功耗与性能相平衡，能够实现精确的三分之二分频定时，使得芯片系统能够实现更多频率选择。
锁存器输入端输出端连接计数器时钟分频电路反相器分频与门同步器外部输入信号同步器输出时钟输入芯片功耗芯片系统多频率二分频时钟源平衡

[发明专利]一种闪存存储单元-CN201611248997.8在审
发明人：邢庆凯;陈凝;肖金磊 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存存储单元。该闪存存储单元包括硅衬底、导体、绝缘层和源漏，导体位于硅衬底的上方，导体分为第一导体和第二导体，第一导体位于第二导体之上，绝缘层将第一导体和第二导体分隔开并包围在内，其中，硅衬底分为第一N掺杂区、第二N掺杂区、第三N掺杂区、第一P掺杂区和第二P掺杂区，第一N掺杂区将第一P掺杂区和第二P掺杂区分隔开，第二N掺杂区与第三N掺杂区作为源漏，源漏的第二N掺杂区作为源极，源漏的第三N掺杂区作为漏极，源极和漏极均为N掺杂区，第一P掺杂区、第一导体、源极和漏极分别接线引出。本发明闪存存储单元在编程的擦和写过程中，电子分别通过不同区域氧化层，减少了氧化层陷阱电荷产生的概率，提高可靠性。
导体闪存存储单元源漏硅衬底漏极源极绝缘层氧化层分隔陷阱电荷接线编程包围概率

[发明专利]一种提高瞬态响应速度的低压差线性稳压器-CN201611205738.7在审
发明人：胡晓辉;霍俊杰;豆玉娇;安建宏 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高瞬态响应速度的低压差线性稳压器，包括跨导放大器，跨阻放大器，电流采样电路，反馈电阻，开关和频率补偿网络。本发明采用双环路反馈控制和单环路电压反馈两种工作模式，当对瞬态响应速度的要求较高时，低压差线性稳压器通过开关控制来选择电流采样电路、跨导放大器和跨阻放大器接入反馈环路，并且选择双环路反馈控制模式的频率补偿网络进行环路补偿，提高低压差线性稳压器的瞬态响应速度；当对功耗要求较为严格的时候，低压差线性稳压器将会关闭电流采样电路，关闭跨阻放大器，由跨导放大器直接接入环路，构成单环路电压反馈模式，并且选择单环路的频率补偿网络进行频率补偿，进一步降低了低压差线性稳压器的功耗。
低压差线性稳压器瞬态响应频率补偿网络跨导放大器跨阻放大器单环路电流采样电路电压反馈双环路功耗反馈控制模式采样电路反馈电阻反馈环路反馈控制工作模式关闭电流环路补偿开关控制频率补偿直接接入

[发明专利]一种高电源抑制比的低压差线性稳压器-CN201611133325.2在审
发明人：胡晓辉;霍俊杰;豆玉娇;安建宏 -专利权人： 北京同方微电子有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电源抑制比的低压差线性稳压器。该低压差线性稳压器包括滤波电容、滤波电阻、前馈放大器、误差放大器、导通管、反馈电阻和负载电容，其特征在于，滤波电容和滤波电阻构成高通滤波器，并与前馈放大器相连接，前馈放大器与误差放大器通过补偿电容连接起来，在频率为1KHZ以下时，前馈放大器断开低压差线性稳压器环路，在频率超过1KHZ时，前馈放大器连接低压差线性稳压器环路；本发明利用高通滤波器与前馈放大器构成的前馈噪声抵消通路来构建一条新的噪声通路，引入的新噪声通路能够有效的与低压差线性稳压器环路带来的噪声通路以及MOS导通管源漏之间电阻引入的噪声通路相抵消，使得PSRR的性能在100KHZ范围内提高约10dB分贝。
低压差线性稳压器前馈放大器噪声通路高通滤波器误差放大器滤波电容滤波电阻导通管高电源抑制比噪声抵消通路补偿电容反馈电阻负载电容引入电阻断开构建前馈源漏抵消

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