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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]测试结构-CN202111149718.3在审
  • 陈宏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-09-29 - 2022-01-07 - H01L23/544
  • 本发明提供一种测试结构，所述测试结构包括间隔排布的多个测试焊盘组，所述多个测试焊盘组位于衬底的切割道上，每个所述测试焊盘组包括间隔设置的两个测试焊盘，每个所述测试焊盘中具有一间隔开口，所述间隔开口在厚度方向上贯穿所述测试焊盘，由于所述测试焊盘中具有一间隔开口，当与所述测试焊盘接触的测试探针在所述测试焊盘表面发生滑动时，所述间隔开口可以阻挡所述测试探针的滑动，由此避免测试探针滑动至邻近的金属线，从而避免邻近的测试焊盘之间的短接，进而解决因邻近的测试焊盘之间的短接而造成的测试数据不真实的问题。
  • 测试结构
  • [发明专利]测试结构-CN202210438570.3在审
  • 周凤;张堃;吴奇伟;陈雷刚 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-04-20 - 2022-08-23 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种测试结构，包括：N层金属层，从下至上的依次设置，金属层之间使用介质层隔开，每层金属层包括若干个条状的金属条和若干个呈块状的金属块，若干个金属条之间平行设置，每相邻两个金属条之间设置若干个金属块，金属条之间、金属块之间以及金属条和金属块之间均通过介质层隔开；每层金属层的金属条与相邻层的金属块通过通孔结构连通，若干个通孔结构之间均通过介质层隔开；第一测试pad，与所有奇数层金属层中的金属条连通；第二测试pad，与所有偶数层金属层中的金属条连通；通过两个测试pad之间的电流，以判断同层的金属条和金属块之间、相邻金属层之间和/或通孔结构和金属条之间是否具有漏电流。
  • 测试结构
  • [发明专利]测试结构-CN202210597526.7在审
  • 李阳 - 华虹半导体（无锡）有限公司
  • 2022-05-30 - 2022-09-20 - H01L23/544
  • 本申请公开了一种测试结构，该测试结构形成于晶圆上，该晶圆用于集成半导体器件，该测试结构用于对本层图形的工艺制程进行监控，本层图形包括至少两种关键尺寸不同的本层图形，测试结构位于工程图形区，工程图形区用于形成工程图形，工程图形是不具备功能的图形，测试结构包括至少两种关键尺寸不同的测试图形，不同关键尺寸的测试图形中每种测试图形的关键尺寸与本层图形的关键尺寸相对应。本申请通过在工程图形区形成测试结构，该测试结构的测试图形的关键尺寸与本层图形的关键尺寸相对应，从而能够通过测试结构对本层图形的工艺制程进行监控，而不需要芯片制造完成后通过WAT才能发现工艺的问题，在一定程度上提高了产品的良率
  • 测试结构
  • [发明专利]测试结构-CN202210581453.2有效
  • 蒲源;胡圆圆;姚福民;蔡信裕 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-05-26 - 2022-09-13 - H01L23/544
  • 本申请提供一种测试结构。测试结构包括：多行第一存储单元，平行间隔排布；多行第二存储单元，平行间隔排布；各行第二存储单元与各行第一存储单元交替间隔排布，以形成呈多行多列排布的存储单元阵列；其中，位于同一列的存储单元用于接收相同的电压本申请的测试结构不需要专门的线上缺陷检测设备就可以实现线上监测，测试结构中存在导电材料残留时，能够被及时准确全面地监控到，及早预警线上的工艺问题，防止有缺陷的产品流出，并且测试结构的获取不需要加入额外的光罩
  • 测试结构
  • [发明专利]测试结构-CN201310264755.8无效
  • 王炯;尹彬锋;周柯 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-06-27 - 2013-10-02 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种测试结构，通过在测试结构的栅氧结构与栅极测试焊垫或者衬底测试焊垫之间增加一金属连线结构，该金属连线结构的电阻值由构成该金属连线结构的金属层的长短控制，且工艺简单，容易实行，从而克服现有技术中由于氧化层被击穿时电流较大，导致探针针尖容易被烧坏的问题，也克服现有技术中即使能够一定程度的保护探针，但是工艺繁琐，较难实行的问题，进而避免了探针针尖的烧坏，提高了测试效率，降低了工艺难度，进一步的降低了半导体器件的工艺成本。
  • 测试结构
  • [实用新型]测试结构-CN201420148833.8有效
  • 冯军宏 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2014-03-28 - 2014-08-13 - H01L23/544
  • 本实用新型提出一种测试结构，虚拟电阻与待测电阻结构平行并保持预定间距，虚拟通孔连线形成于虚拟电阻上，虚拟通孔连线之间保持预定间距，待测电阻结构的两端分别通过连接线连接至少一个二极管和虚拟电阻。在待测电阻结构两端连接与其平行并保持预定间距的虚拟电阻，在虚拟电阻上形成有多个虚拟通孔，并且所述虚拟电阻和待测电阻结构两端分别连接有二极管；使二极管导通时能够测量待测电阻结构的电子迁移，使二极管不导通时
  • 测试结构
  • [实用新型]测试结构-CN201320806969.9有效
  • 王贵明 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2013-12-09 - 2014-06-11 - H01L23/544
  • 本实用新型提出了一种测试结构，包括多个测试单元以及多个金属连线，测试单元内设有多个第一栅极和第一通孔连线，第一栅极和第一通孔连线由介质层隔离开，金属连线包括第一金属连线和第二金属连线，第一金属连线与第一栅极连接添加测试单元，所述测试单元设有多个第一栅极和第一通孔连线，两者通过介质层隔离开，再使用第一金属连线和第二金属连线分别连接第一栅极和第一通孔，通过监测两者之间的电流，从而实现对第一栅极和第一通孔连线之间是否存在短路现象进行监测
  • 测试结构
  • [实用新型]测试结构-CN201320878955.8有效
  • 王喆 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2013-12-27 - 2014-06-11 - H01L23/544
  • 本实用新型提出了一种测试结构，包括多个环形多晶硅，形成于环形多晶硅环内的多个独立通孔连线和多个公用通孔连线，不同的独立通孔连线以及公用通孔连线均具有不同尺寸。测试结构中包括不同尺寸的独立通孔连线和公用通孔，由于独立通孔连线和公用通孔的尺寸均不相同，致使独立通孔连线和公用通孔到环形多晶硅的间距也不同，从而能够监测不同尺寸的独立通孔连线和公用通孔到环形多晶硅之间是否存在漏电现象
  • 测试结构
  • [实用新型]测试结构-CN201320878928.0有效
  • 杨梅;李日鑫 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2013-12-27 - 2014-06-11 - H01L23/544
  • 本实用新型提出了一种用于检测通孔连线和栅极之间的重叠偏差的测试结构，包括栅极、有源区和多个通孔连线，通孔连线包括至少一个形成在栅极上的栅极通孔连线和多个形成在有源区上的有源区通孔连线，有源区通孔连线位于栅极的两侧与栅极保持预定距离在使用0.5KV～2KV电压的SEM对测试结构进行观察，正常情况下有源区通孔连线和栅极通孔连线均是暗的，若通孔连线发生了偏移并且与所述栅极以及有源区紧贴时便会变亮，通过检测测试结构中是否存在一个或者多个发亮的通孔连线
  • 测试结构
  • [实用新型]测试结构-CN201320804311.4有效
  • 王喆 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2013-12-09 - 2014-06-04 - H01L23/544
  • 本实用新型提出了一种测试结构，用于监测半导体芯片的性能稳定性，包括多个测试单元，所述测试单元包括PMOS、与平行PMOS并保持一定间距的NMOS、形成于PMOS和NMOS之上的公共栅极、位于NMOS之下的测试单元中包括NMOS、PMOS以及公共栅极，在测试单元形成之后通过对测试结构进行性能检测便能够检测出所述NMOS的预掺杂宽度是否会对测试结构造成一定影响，从而监测出所述NMOS的预掺杂宽度对半导体芯片稳定性是否有影响
  • 测试结构
  • [实用新型]测试结构-CN201720607616.4有效
  • 张沥文;宋永梁 - 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2017-05-26 - 2017-12-19 - H01L23/544
  • 本实用新型提供了一种测试结构，所述测试结构为位于层间介质中的金属测试结构，所述测试结构包括第一测试结构和第二测试结构，所述第一测试结构包括第一层导线、第二层导线和若干段层间导线，所述第一层导线包括各自断开的若干段第一导线段在本实用新型提供的测试结构中，形成交替连接的曲折导线结构的第一测试结构，通过测试第一测试结构上两端即可得到金属导线的电气特征；在第一测试结构与第二测试结构之间进行测试即可得到层间介质的电气特性；当分别从第一测试结构的一端来与第二测试结构进行测试可快速的确认发生异常的位置
  • 测试结构
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