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[发明专利]成膜装置-CN201780012924.5有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;深田启介;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;藤林裕明;上东秀幸;内藤正美;原一都;青木宏文;小泽隆弘 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;株式会社力森诺科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
装置

[发明专利]半导体装置及电力变换装置-CN202180031629.0在审
发明人：福冈大辅;上东秀幸;梅泽昌义;大岛正范;上泷领二;平野敬洋 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中，热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为，在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。
半导体装置电力变换

[发明专利]碳化硅单晶及其制造方法-CN201980040774.8有效
发明人：徳田雄一郎;上东秀幸;星乃纪博;土田秀一;镰田功穗 -专利权人：株式会社电装;一般财团法人电力中央研究所
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
碳化硅及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880032744.8有效
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]SiC锭的制造方法-CN201780078707.6有效
发明人：藤川阳平;上东秀幸 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种SiC锭的制造方法。在该SiC锭的制造方法中，包括使晶体在相对于{0001}面具有偏离角的主面上生长的晶体生长工序，至少在所述晶体生长工序的所述晶体从所述主面生长7mm以上后的后半生长工序中，使倾斜面与所述{0001}面所成的锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°，该倾斜面是与沿着偏离方向切割的切割截面垂直且通过晶体生长面的中心和晶体生长面的偏离下游端部这两者的面。
sic 制造方法

[发明专利]SiC单晶复合体和SiC锭-CN201780068972.6有效
发明人：藤川阳平;上东秀幸 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本SiC单晶复合体具备位于俯视中央的中央部和围绕所述中央部外周的外周部，所述中央部与所述外周部的结晶面倾斜或不同，在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶方向隔着所述边界而不同。
sic 复合体

[发明专利]结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统-CN201911366053.4在审
发明人：高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA;株式会社电装
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
结晶氧化物半导体装置系统

[发明专利]结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统-CN201911364732.8在审
发明人：高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA;株式会社电装
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
结晶氧化物半导体装置系统

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201780082719.6在审
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm²以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm²以下。
单晶基板外延晶片外延层基底面偏离角主面相位错制造

[发明专利]碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置-CN201910102205.3在审
发明人： 上东秀幸 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：碳化硅半导体基底包括第一导电类型基底(1)，其掺杂有第一导电类型杂质以具有第一导电类型并且具有30mΩcm或更小的电阻率。第一导电类型基底中的少数载流子的寿命设定为100纳秒或更少。
第一导电类型基底碳化硅半导体碳化硅半导体装置少数载流子电阻率掺杂

[发明专利]具有结势垒肖特基二极管的碳化硅半导体装置-CN201380048022.9有效
发明人： 上东秀幸;内藤正美;森野友生 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。
具有结势垒肖特基二极管碳化硅半导体装置

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