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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]层积基板及其制造方法和金刚石膜及其制造方法-CN200910253987.7无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明以低成本提供：金刚石和单晶基板不会破损，且具有面积大、结晶性高的单晶金刚石膜作为连续膜的层积基板及其制造方法。该层积基板是至少具有单晶基板和在该单晶基板上化学气相沉积的金刚石膜的层积基板，其特征在于，上述单晶基板是Ir单晶或Rh单晶。该层积基板的制造方法的特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序，并且上述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶。
层积及其制造方法金刚石

[发明专利]单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材-CN202310686780.9在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材，其中，单晶金刚石基板的制备方法至少包括以下步骤：在一硅基板的上表面制备一层蓝宝石层，且硅基板的上表面的形貌为原子层台阶；在蓝宝石层上生长一层合金膜，硅基板、蓝宝石层和合金膜组成用于生长单晶金刚石基板的基材；在基材上采用微波等离子体化学气相沉积制备单晶金刚石基板；当单晶金刚石厚度达到预设厚度时，停止生长单晶金刚石，并对单晶金刚石基板进行剥离，得到带有合金膜的单晶金刚石基板采用本发明提供的制备方法可以制备大面积的单晶金刚石基板。
金刚石制备方法生长基材

[发明专利]硅单晶基板的制造方法及硅单晶基板-CN202180051548.7在审
发明人：曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序；通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理，将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序由此，提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。
硅单晶基板制造方法

[发明专利]接合体和弹性波元件-CN201880001047.6有效
发明人：后藤万佐司;鹈野雄大;浅井圭一郎;多井知义 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。
接合弹性元件

[发明专利]单晶硅基板的制造方法-CN202210975661.0在审
发明人：伊贺勇人;田畑晋;平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供单晶硅基板的制造方法，生产率高。在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此，与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。
单晶硅制造方法

[发明专利]半导体基板和半导体器件的制造方法-CN200880017947.6有效
发明人：山崎舜平;田中幸一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的是通过在大尺寸的玻璃基板上大面积设置单晶硅层以获得大尺寸的SOI基板。在将分别设置有分离层的多个矩形单晶半导体基板对齐在伪基板上、并通过低温凝结剂固定两个基板之后，将多个单晶半导体基板结合到支承基板；将温度升高至该低温凝结剂不具有接合效果的温度，以隔离伪基板与单晶半导体基板；执行热处理以沿着各个分离层的边界分离单晶半导体基板的各个部分；以及在支承基板上设置单晶半导体层。
半导体半导体器件制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体基板-CN202080073540.6在审
发明人：二井谷美保;若林大士;山田健人;吉田和彦 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体基板的制造方法，通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层，而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板，至少包含以下工序：在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理，在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜作为绝缘膜；以及在所述氮化硅膜上外延生长所述半导体单晶层。由此，提供一种半导体基板的制造方法及半导体基板，即使在将设置于单晶硅基板与半导体单晶层之间的绝缘膜设置为氮化硅膜的情况下，也能够以简便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。
半导体制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法、SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆-CN202110442064.7在审
发明人：曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
半导体制造方法 soi 晶圆

[发明专利]复合寿命的控制方法-CN201880084042.4有效
发明人：竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。
复合寿命控制方法

[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010226110.1有效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
金刚石生长基材制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置及它们的制造方法-CN200710087841.0无效
发明人：宇都宫纯夫;石黑英人 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在半导体薄膜的制造方法中，将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4)，使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理，使半导体薄膜熔融晶体化，在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此，提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。
半导体元件装置它们制造方法

[发明专利]制备具有单晶薄膜的基板的方法-CN200910117817.6有效
发明人：久保田芳宏;川合信;田中好一;飞坂优二;秋山昌次;野岛义弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板
制备具有薄膜方法

[发明专利]单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010167218.8无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(
金刚石生长用基板以及制造方法

[发明专利]金刚石膜的制造方法-CN201510627462.0在审
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石膜的制造方法，其特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序，所述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶，所述单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用，其中，由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序是，通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温，利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜；或者，使用在界面注入离子后，加热层积基板，而利用离子注入层进行分离的离子注入剥离法
金刚石制造方法

[发明专利]用于制造半导体基板、显示面板和显示设备的方法-CN200810169153.3有效
发明人：山崎舜平;大沼英人;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：如果所附着的单晶硅层的尺寸不合适，即使使用大玻璃基板，也无法使将要获得的面板的个数达到最大。因此，在本发明中，从大致呈圆形的单晶半导体晶片中，形成了大致呈四边形的单晶半导体基板，并且通过用离子束照射到单晶半导体基板中，形成了破损层。在支撑基板的一个表面上，排列多个单晶半导体基板，以便彼此分离。通过热处理，在破损层中产生了破裂，并且使单晶半导体基板分离，同时单晶半导体层留在支撑基板上。之后，从接合到支撑基板的单晶半导体层中，制造出一个或多个显示面板。
用于制造半导体显示面板设备方法

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